Зондовая микроскопия наноструктур Рельеф поверхности полученный СЗМ

Зондовая микроскопия наноструктур Рельеф поверхности, полученный СЗМ

Поверхность ограненного алмаза • Образец - бриллиант, огранённый алмаз из Якутской группы месторождений, представлен д. г-м. н. Высоцким С. В. (Институт геологии ДВО РАН). • На изображении представлена поверхность, перпендикулярная оси четвертого порядка кристалла, изначальная шлифовка поверхности стандартная. Дополнительно проводилась предварительная очистка поверхности различными растворителями. Суть картинки в том, что на ней проявилось блочное микростроение алмаза. Кроме того, на изображении видны ямки в форме внутренней поверхности четырехугольных пирамид, что ожидаемо для ямок травления на исследуемой плоскости. Изображение получено В. Г. Курявым (Институт химии ДВО РАН) с использованием контактного метода.

Атомные ступеньки на Sr. Ti. O 3. "Полуконтактный" Метод Атомные ступеньки на поверхности Sr. Ti. O 3. Prof. Cristof Gerber, IBM Zurich Research Center.

Травленный кремний. Контактный метод. ИНТЕГРА Прима Рельеф текстурированной поверхности кремния после анизотропного травления, изображение с перепадом высот 4 микрона получено в контактном режиме. Щёлушкин В. , ООО "Солекс", Россия, Рязань.

Атомарное разрешение на слюде. Метод Постоянной Силы. ИНТЕГРА Терма Атомарное разрешение в АСМ, достигнутое со сканером с обратной связью (время сканирования около 5 мин, Размер скана: 4. 5 x 4. 5 nm). НТ-МДТ, Беляев А. , Россия, Москва.

Атомарные ступеньки Ga. As. "Полуконтактный" метод. Solver АСМ изображение эпитаксиально выращенных слоев Ga. As на кремниевой подложке. Marco Salerno, INFM-NNL Lecce, Italy.

Pb. Te на Be. F 2 Спиральная структура с моноатомными ступеньками. Sukarno Olavo Ferreira, Departamento de Física, Universidade Federal de Viçosa Av. P. H. Rolfs, sn - Campus UFV, 36571 -000 - Viçosa – MG - BRAZIL

Ca. F 2 эпитаксиальная пленка выращенная на кремнии (100) Mode: Метод Постоянной Силы Размер скана: 1200 x 18 nm Н. Соколов, Физико-Технический Институт Иоффе, РАН, Санкт-Петербург, Россия

Sn. O 2 ССМ изображение массива ячеек Sn. O 2 Mode: Метод Постоянной Силы Размер скана: 3 x 3 µm A. Беляев, Государственный Институт Физических Проблем и НТ-МДТ, Москва, Россия.

Атомное разрешение на ВОПГ, Метод Постоянного Тока СТМ изображение высоокориентированного пиролитического графита с атомарным разрешением. НТ-МДТ, Москва, Россия.

СТМ изображение гладкого участка поверхности оксида рутения титана (Ru. O 2 Ti. O 2) Размер скана: 4. 8 x 4. 8 nm Метод Постоянной Высоты

ССМ изображение aтомной решетки Mo. Te 2.

Al 2 O 3 Метод Постоянной Силы Рельефное изображение самоорганизующейся матрицы пористого анодного Al 2 O 3 НТ-МДТ

ДНК Плазмоид DNA p. Gem 7 zf+ • • • Поперечно-силовая микроскопия Размер скана: 1. 3 x 1. 3 nm Линейные ДНК молекулы (3000 b. p. ) осаждены на свежерасщепленной слюде

Solver Bio-M, полуконтактный метод Молекулы ДНК (p. Gem 7 zf+ plasmid, 3000 bp, linearized at the Sma I site) нанесенные на поверхность модифицированного высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ) с помощью модификатора графита (GM). Изображение получено на воздухе с использованием зондов серии NSG 01, снабженных DLC наноостриями. DLC (Diamond-Like Carbon) - алмазо-подобные покрытия

Полиметилметакрилат, Контактный метод. Solver P 47 -PRO Обратимое структурирование поверхности полиметилметакрилата содержащего азобензол. Kati Gharagozloo-Hubmann, Olga Kulikovska, Joachim Stumpe, Fraunhofer-Institut fur Angewandte Polymerforschung.

Упорядоченная структура молекул пентадекановой кислоты Метод Постоянного Тока. Solver P 47 -PRO Упорядоченная структура молекул пентадекановой кислоты на поверхности ВОПГ. Измерения проводились в жидкости. Hiroshi Uji-i, Tohoku University, Department of Chemestry.

Порфирин "Полуконтактный" Метод Порфириновая пленка осажденная на подложке из слюды. В. Встовский, С. Котова, Институт Химической Физики РАН.

Упорядоченная структура молекул стеариновой кислоты Метод Постоянного Тока. Solver P 47 -PRO Упорядоченная структура молекул стеариновой кислоты на поверхности ВОПГ. Измерения проводились в жидкости. Изображение слева получено с помощью CЗМ Solver P 47, изображение справа - с применением сканирующей СТМ измерительной головки (SFS 012). Hiroshi Uji-i, Tohoku University, Department of Chemestry.

Квантовые точки. Метод Отражения, Solver SNOM Поперечно-силовая микроскопия(Слева) и СБОМ (справа) изображение квантовых точек получено с помощью He-Cd лазера (442 нм). НТ-МДТ.

Полимеры с внедренными наночастицами. "Полуконтактный" метод, ИНТЕГРА Томо АСМ изображения рельефа образца полимера с внедренными наночастицами после среза ультрамикротомом поверхности экземпляра. А. Ефимов, НТ-МДТ, Москва, Россия.

Ориентация молекулярных цепочек Атомарное разрешение молекулярных цепочек самосборных монослоев 4, 4¢-терфенилзамещенных алканетиолов на золотой (111) подложке. "Полуконтактный" Метод , ИНТЕГРА Прима, Размер скана: 55 x 55 nm Козодаев Д. , НТ-МДТ, Образец - Др. Андреас Терфорт, Университет Гамбурга, Германия.

Адсорбция на триглицинсульфате(TGS) Адсорбция (наиболее вероятна на электрических доменах) на TGS. Видно изчезновение аадсорбента при последовательном сканировании. Mode: "Полуконтактный" Метод Размер скана: 996. 8 x 11034 nm Резонансная частота: 510. 0 k. Hz A. Л. Толстихина, ИК РАН, Москва, Россия.

Поры в оксиде алюминия Изображение высоты (слева) и фазового контраста (справа) пор в оксиде алюминия, изображения получены кантилевером типа "вискер". Mode: "Полуконтактный" Метод СЗМ модель: Solver PRO Размер скана: 0. 8 x 0. 8 µm Изображение получено Кузнецовым Е, НТ-МДТ, Россия, Москва. Образец представлен Ms. Sedigheh Sadegh Hassani, Iran (Islamic Republic Of), Tehran.

Золотые наночастицы на кремниевой подложке Самосборные квази-шестиугольно организованные ряды золотых наночастиц по мицеллярному методу. Легко контролируемые золотые наночастицы использованы для изучения поверхностных плазмонных свойств металлических частиц. Mode: "Полуконтактный" Метод СЗМ модель: Solver P 47 -PRO Размер скана: 2 x 2 µm Ксин Ван и Йин Би Ю, Институт полупроводников, Китайская академия наук.

Ступенчатая поверхность кремния (111). "Полуконтактный" Метод Solver P 47 H-PRO Ступенчатая поверхность кремния (111) после осаждения 0, 2 MC золота при температуре 9000 С в сверхвысоком вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры. В результате охлаждения происходит объединение адатомов на террасах в островки моноатомной высоты. Впервые экспериментально зарегистрировано увеличение концентрации атомов за счёт выхода на поверхность междоузельных атомов кремния, образующихся при диффузии золота в объёме полупроводника при повышенных температурах. Родякина Е. Е. , Косолобов С. С. , Щеглов Д. В. , Латышев А. В. , Институт физики полупроводников СО РАН, Россия

Нитевидные кристаллы (нановискеры) Ga. As, "Полуконтактный" ИНТЕГРА Аура Начальная стадия МЛЭ-роста Ga. As нановискеров на поверхности Ga. As(111), активированной каплями Au. Физико-Технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия МЛЭ –молекулярно-лучевая эпитаксия

Монокристал сапфира облученный высоко энергетичными Bi ионами "Полуконтактный" Метод АСМ изображени кристала сапфира облученного 710 MЭв Bi ионов. Каждое сталкновение иона производит конусообразный холмик amorphised Al 2 O 3 с диаметром основания 15 нм и высотой 1. 5 ни. В. А. Скуратов, ОИЯИ, Дубна.

Дно ВИМС кратера на кремнии, образованного при работе системы ВИМС в низкоэнергетическом режиме и с вращающимся координатным столом. (ВИМС-Вторично-ионная масс-спектроскопия) Изображение и образец предоставлены Erica Iacob, Physics Chemistry of Surfaces and Interfaces Division, ITC-irst Center for Scientific and Technological.

Опаловая матрица. "Полуконтактный" Метод АСМ изображение решетки опала состоящей из 200 нм шаров Si. O 2 помещенных на поверхность Si. В центральной части Фурье преобразования хорошо видно шестиугольную структуру. Решетки опала могут быть использованы как калибровочные структуры для СЗМ и субмикронного диапазона покрывающего "мертвую зону" между микронным диапазоном и атомарным диапазоном кристалической структуры использующейся сейчас для калибровок. Б. M. Медведев, NT-MDT.

Нано–ленточки (Размер: 8 x 8 um) Нано–ленточки, сформированные реакцией метилфосфорной кислоты, этанола и алюминия. Изображение получено полуконтактным методом. Изображение предоставлены Monede R. S. Costa, Braulio S. Archanjo and Bernando R. A. Neves, Dept. of Physics, UFMG, Бразилия.

СТМ изображение фулерена C 60 на поверхности графита. • Отображение Работы Выхода • 9. 8 x 7. 8 nm

Углеродные нанотрубки. "Полуконтактный" Метод. Solver PRO Изображение высоты (слева) и фазового контраста (справа) группы углеродных нанотрубок. Е. Кузнецов, НТ-МДТ, Россия, Москва.

Нанотрубки. Метод Постоянной Высоты СТМ изображение углеродных нанотрубок насажденных на ВОПГ подложку. Атомарная структура нанотрубок, отчетливо видны конец трубки и подложка. В. К. Неволин, Московский Институт Электронной Техники, Россия.

Нанотрубки. "Полуконтактный" Метод. ИНТЕГРА Терма Углеродные нанотрубки на кремниевой подложке. Dr. Ho-Bun Chan, University of Florida, Department of Physics, USA

Изображение рельефа поверхности тонкой пленки сегнетоэлектрика PZT • Пленка изготовлена при помощи золь-гелевой технологии и кристаллизована из аморфного состояния процедурой быстрого термического отжига. Видно совместное сосуществование обычных частиц и частиц розеточного типа. Левое и правое изображения-рельефa и отклонения сигнала соответственно, получено при помощи контактного метода АСМ.

Сегнетоэлектрические полосовые домены на PZT (AСAM) ACМ рельеф и Атомно-силовой Акустической Микроскопии (АСАМ) изображения PZT. На АСАМ изображении хорошо видна полосовая сегнетоэлектрическая доменная структура благодаря разнице в величинах модуля Юнга для доменов с различной поляризацией. Образец предоставлен Walter Arnold, Fraunhofer Institute for Nondestructive Testing, Saarbruecken, Germany.

Гексагональные домены в ниобате лития Mode: Силовая Микроскопия Пьезоотклика СЗМ модель: SMENA Размер скана: 64 x 64 µm Образец предоставлен T. Jung, A. Hoffmann, E. Soergel, University of Bonn Изображение предоставлено C. Gawith, Optoelectronics Research Centre University of Southampton

Кобальтовые полоски. Д МСМ. Solver PRO Изображение высоты (слева) и магнитное изображение (справа) кобальтовых полосок. Магнитное изображение показывает многодоменную структуру объектов. Кузнецовым Е, НТ-МДТ, Россия, Москва.

Магнитная структура пермалоя. Д МСМ. Слева изображение рельефа тонкой пленки пермаллоевых прямоугольников, изображение справа демонстрирует соответствующий домен структуры. Dr. B. Hillebrands, Dr. S. Demokritov, the Magnetism group of the Physical faculty of the University Kaiserslautern, Германия.

Пленка иттрий-железного граната. Д МСМ. Solver MFM Пленка иттрий-железного граната на гадолиний-галлиевом гранате. Костромин С. , Кузнецов Е. Институт Радиоэлектроники РАН

Магнтные домены в пленке граната Магнитно-силовое производное распределение(сдвиг по фазе) пленки граната. Полоса периода структуры домена около 2 mkm. Изображение получено по двухпроходной методики. Mode: Д МСМ Размер скана: 44 x 44 µm Резонансная частота: 180 k. Hz Образец предоставлен В. A. Скидановым, Elma, Москва, Россия. A. M. Алексеев и др. , Новые Магнитные Материалы для Микроэлектроники 17, МГУ, 2000, 467 -469

Магнитные домены железоиттриевого граната (Y 3 Fe 5 O 12) • Mode: Magnetic Force Microscopy (MFM) Image courtesy of A. G. Temiryazev and M. P. Tikhomirova, Institute of Radioengineering & Electronics RAS, Fryazino, Russia. Published: A. G. Temiryazev et al. Proceedings of SPM-2002, Nizhnii Novgorod, Russia, 129 -131.

220˚C Магнитные фазовые переходы в кобальте Рельеф и соответствующие МСМ изображения монокристаллического кобальта. Магнитные изображения демонстрируют изменения структуры домена при нагревании 290˚C 250˚C NT-MDT, A. Г. Пастушенков, Государственный Тверской Университет, Россия.

CD disk. Метод Постоянной Силы AFM image of CD Al cover of replicated disk. V. Losev, NT-MDT, Moscow, Russia.

DVD диск. "Полуконтактный" Метод. ИНТЕГРА Максимус АСМ изображение DVD диска. С. Лемешко, НТ-МДТ, Россия.

Видеопленка. С МСМ Магнитная лента с записью изображения со звуковым сопровождением. Слева - рельеф, справа - магнитное изображение. Оба изображения одновременно получены по двухпроходной методике. В. Жижимонтов, НТ-МДТ, Москва, Россия.

Жесткий диск. С МСМ Слева: АСМ изображение рельефа поверхности жесткого диска; Справа: МСМ изображение дорожки на жестком диске. Изображения были получены с применением двухпроходной методики и характеризуют одинаковые площадки жесткого диска. В. Жижимонтов, Гос. НИИ Физ. проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.

Жесткий диск с высокой плотностью записи МСМ изображение поверхности жесткого диска (40 Гб) с высокой плотностью записи. Расстояние между магнитными частицами составляет около 200 нм. МСМ измерения были получены с помощью мягких магнитных зондов с пермаллоевым покрытием. С. Лемешко, НТ-МДТ.

Магнито-оптический диск. С МСМ Магнитные частицы в магнитно-оптическом диске. Изображение было получено по двухпроходной методике. В. Жижимонтов, НТ-МДТ, Москва, Россия.

Решетка магнитных диполей. Д МСМ. Рельеф (слева) и МСМ изображение (справа) ферромагнитных островков в парамагнитной пленке. Магнитное изображение выглядит как массив субмикронных магнитных диполей. Светлые и темные участки соответствуют различным магнитным полюсам диполей. Накопители информации, изготовленные на основе массивов из магнитных диполей, являются одними из наиболее перспектиных видов запоминающих устройств. Оба изображения получены одновременно, с помощью двухпроходной методики. Н. И. Полушкин, Институт Физических Микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.

БОМ изображение специальной оптической решетки. • Длинна волны лазера 532. 8 нм • Размер скана: 17 x 17 µm

Оптическая решетка. Метод Отражения Изображение специальной оптической решетки полученной с использованием лазерного диода с длиной волны 670 нм. НТ-МДТ.

СБОМ изображение фокусного пятна микрообъектива 2 D распределение лазерной интенсивности в фокусе 100 -кратного микрообъектива. СБОМ метод собирания.

Металлический электрод под напряжением (ЭСМ ) • Рельеф образца демонстрирует левое изображение, распределение электрического потенциала правое

СЗМ изображение поверхности интегральной схемы • Метод Постоянной Силы • Размер скана: 52 x 48 µm

СТМ литография. Размер скана: 256 x 256 nm СТМ изображение проводящей LB пленки C 18 H 37 BEDTTTF (три монослоя) после локального воздействия трех электрических импульсов V. A. Bykov. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp. 923 -932, 1996

АСМ анодно окислительная литография Портрет Жореса Алферова, Российский Нобелевский лауреат по физике, 2000. Изображение получено с помощью методики локального зондового электрического окисления на сверхтонкой титановой пленке. А. Алексеев, НТ-МДТ.

Анодно окислительная литография. ИНТЕГРА Прима Портрет Мэрлин Монро. Анодно окислительная литография была проведена на пленке Ti полуконтактным методом. S. Leesment, НТ-МДТ

АСМ анодно окислительная литография Изображение получено с помощью методики локального зондового электрического окисления на сверхтонкой титановой пленке. Д. Козодаев, НТ-МДТ

АСМ анодно окислительная литография Изображение получено с помощью методики локального зондового электрического окисления на сверхтонкой титановой пленке. А. Ефимов, НТ-МДТ.

АСМ Анодно-Окислительная Литография Анодно-Окислительная Нанолитография, выполненная с помощью DCP зонда на титановой подложке. S. Leesment, НТ-МДТ, Москва, Россия.

АСМ Анодно-Окислительная Литография. ИНТЕГРА Аура АСМ нанолитография проводилась методом локального анодного окисления сверхтонкой пленки титана на кремниевой подложке. Использовался прибор NTEGRA Aura с DCP 11 зондом. С. Краснобородько, НТ-МДТ.

АСМ Динамическая Литография - Наночеканка Получение изображения методом резонансного воздействия СЗМ на поликарбонатной пленке на кремнии. С. Н. Саунин, Институт Физических проблем и НТ-МДТ.

A. . H микрообработка (Конфокальная Объемная Литография ) внутри кварца Размер: 10 x 12 x 18 um Изображение отраженного лазерного луча, 3 D фемтосекундная лазерная обработка внутри кварца в фроме букв A. . H слой за слоем. ~1 пм между точками в слое и ~2 пм между слоями Изображение предоставлено Игорем Кудряшовым, Tokyo Instruments Inc.

Лазерный диод в работе (метод зонда Кельвина) АСМ, МЗК изображения и отображение падения напряжения (d. V/dx) Ga. Al. As/Ga. As n-i-p лазерного диода при различных приложенных напряжениях. A - АСМ изображение рельефа. Хорошо видны эмиттер и волноводная область. B, C - МЗК изображение и отображение падения напряжения при -1. 5 В (обратном) смещении. D, E - МЗК изображение и отображение падения напряжения без приложенного напряжения. F, G - МЗК изображение и отображение падения напряжения при +1. 5 V (прямом) смещении. Образец скола лазерного диода и изображения представлены Александром Анкудиновым (группа А. Н. Титкова), Физико-Технический Институт им. А. Ф. Иоффе, С. -Петербург, Россия.