Скачать презентацию Влияние дефектов упаковки 110 проекция fcc решетки Агломерат Скачать презентацию Влияние дефектов упаковки 110 проекция fcc решетки Агломерат

Лекция ДУ.pptx

  • Количество слайдов: 46

Влияние дефектов упаковки Влияние дефектов упаковки

(110>)проекция fcc решетки Агломерат вакансий Дефект упаковки вычитания (intrinsic stacking fault) ÞВместо ABCABCA. . (110>)проекция fcc решетки Агломерат вакансий Дефект упаковки вычитания (intrinsic stacking fault) ÞВместо ABCABCA. . ABCABABCA. . . – ДЕФЕКТ УПАКОВКИ ( ДУ) stacking fault Энергия дефекта упаковки ( ЭДУ) stacking fault energy γ - 100 m. J/m 2. • Ag: 22 Cu: 78 Ni: 128 •

Дефекты упаковки в плотно упакованных решетках Дефекты упаковки если - Дефекты упаковки в плотно упакованных решетках Дефекты упаковки если -"A"; hexagonal close packed lattice (hcp) если "C", face centered cubic lattice (fcc) (гцк) fcc: ABCABCABCA. . . hcp: ABABABA. .

Для линии => Д линии Для линии => => ------------------ Для линии => Д линии Для линии => => ------------------

Для линии => => Для линии => =>

------------------------------------------------ ------------------------------------------------

-----------: -----------:

Ана лиз Анализ Анаюююлиз--=> Ана лиз Анализ Анаюююлиз--=>

Пример: деформационные дефекты упаковки в ГЦК- сплавах системы Ni-Co Энергия Пример: деформационные дефекты упаковки в ГЦК- сплавах системы Ni-Co Энергия

Нанодвойникованная структура мартенсит а. Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 ЭМВР Нанодвойникованная структура мартенсит а. Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 ЭМВР J. Pons at al. , Materials Science and Engineering A 438– 440 (2006)

Нанодвойникованная структура мартенсита Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 ЭМВР J. Нанодвойникованная структура мартенсита Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 ЭМВР J. Pons at al. , Materials Science and Engineering A 438– 440 (2006)

Модель надодвійникованої структури стехіометричного Ni 2 Mn. Ga: (а) арторомбічна комірка із положеннями атомів. Модель надодвійникованої структури стехіометричного Ni 2 Mn. Ga: (а) арторомбічна комірка із положеннями атомів. ( ) – система координат, яка відповідає L 21 структурі аустенітної фази; ( ) – нова система координат, яка використовується у розрахунках; (б) схема пакування майже щільноукладених площин (001) вздовж осі A 3 в двох взаємно двійникових доменах, розділених когерентною двійниковою границею (ДГ).

Співвідношення між координатами і загальноприйнятими для кубічної ґратки координатами є наступними: де - ступінь Співвідношення між координатами і загальноприйнятими для кубічної ґратки координатами є наступними: де - ступінь орторомбічності ґратки. Отже, в новій системі координат щільноукладеними площинами є площини (001), а напрямок зсуву площин є [010].

Для моделювання пакування шарів в роботі було вибрано просту ступінчасту функцію розподілу ДГ: Така Для моделювання пакування шарів в роботі було вибрано просту ступінчасту функцію розподілу ДГ: Така модель передбачає, що наступна ДГ може з'являтись не ближче від попередньої ДГ, ніж через li шарів; на інших відстанях, l, ДГ може з'являтись з постійною ймовірністю α. Оскільки домени однієї та іншої двійникових орієнтацій можуть бути з якихось причин нерівнозначними (і виявлена експериментально наявність двох найбільш ймовірних товщин нанодвійників для однієї і тієї ж модульованої структури це підтверджує ), то моделювання проводилось для кристалів з бімодальною модуляцією, для чого задавались функції: P 1(l 1) та P 2(l 2).

ступінь упорядкованості нанодвійникового мартенситу α ступінь упорядкованості нанодвійникового мартенситу α

Розподіли інтенсивності, розраховані для структури з l 1 = l 2 = 4 при Розподіли інтенсивності, розраховані для структури з l 1 = l 2 = 4 при різних значеннях α. Криві для α = 0. 5, 0. 7 і 0. 9 по інтенсивності наведено в логарифмічному масштабі. Пунктирні лінії показують положення відповідні відношенню b/a=0, 94.

Розподіли інтенсивності, розраховані для структури з l 1 = 2 і l 2 = Розподіли інтенсивності, розраховані для структури з l 1 = 2 і l 2 = 3 (1), l 1 = 3 і l 2 = 4 (2) і l 1 = 5 і l 2 = 7 (3), при а = 0. 8.

Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4

b/a = 0. 9 a ) K = 2, b) K = 3, c) b/a = 0. 9 a ) K = 2, b) K = 3, c) K = 4

Обратное пространство : нанодвойникованный мартенсит Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 Обратное пространство : нанодвойникованный мартенсит Ni 48, 5 Mn 30, 1 Ga 21, 4 Эксперимент ( нейтроны) Моделироание

k ширина дифракционной линии (HKL) согласно формуле Селякова-Шеррера зависит от среднего размера области когерентного k ширина дифракционной линии (HKL) согласно формуле Селякова-Шеррера зависит от среднего размера области когерентного рассеяния (ОКР) в направлении нормали к плоскости (hkl) (hkl): k-коэффициент, зависящий от формы ОКР, (полагают k=1)