V-канальна поліпланарна структура Хімічне травлення Si O

V-канальна поліпланарна структура

Хімічне травлення Si. O 2 Епітаксія n та n-Si та n+Si Окиснення Перша фотолітогр. по Si. O 2 Анізотропне травлення Друга фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія p-області Окиснення Шліфування та полірування Нанесення полікрист. Si Окиснення Термічна дифузія n+-області Третя фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Четверта фотолітогр. по Al Розділення пластини та підкладки Контроль параметрів Випаювання виводів П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Термічне напилення Al Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Випробування Маркування Пакування

Кремнієво-сапфірова структура

Окиснення p -шару (Si) Перша фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Окиснення Хімічне травлення Si. O 2 Окиснення Роздільна термічна дифузія Друга фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Епітаксія n Si Третя фотолітогр. по Si. O 2 Базова терм. диф. pобласті Окиснення Четверта фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Відпаюван. контактів Шоста фотолітогр. по Al Термічне напилення Al П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Контроль параметрів Розділ. пластини та підкладки Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Пакування Маркування Випробування

Комплементарна структура

Окиснення p -шару (Si) Перша фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Окиснення Хімічне травлення Si. O 2 Окиснення Роздільна термічна дифузія Друга фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Епітаксія n Si Третя фотолітогр. по Si. O 2 Базова терм. диф. pобласті Окиснення Четверта фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Відпаюван. контактів Шоста фотолітогр. по Al Термічне напилення Al П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Контроль параметрів Розділ. пластини та підкладки Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Пакування Маркування Випробування

Епітаксійно-планарна структура

Окиснення p -шару (Si) Перша фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Окиснення Хімічне травлення Si. O 2 Окиснення Роздільна термічна дифузія Друга фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Епітаксія n Si Третя фотолітогр. по Si. O 2 Базова терм. диф. pобласті Окиснення Четверта фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Відпаюван. контактів Шоста фотолітогр. по Al Термічне напилення Al П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Контроль параметрів Розділ. пластини та підкладки Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Пакування Маркування Випробування

Епітаксійно-планарна зі схованим шаром

Окиснення p -шару (Si) Перша фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Окиснення Хімічне травлення Si. O 2 Окиснення Роздільна термічна дифузія Друга фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Епітаксія n Si Третя фотолітогр. по Si. O 2 Базова терм. диф. pобласті Окиснення Четверта фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Відпаюван. контактів Шоста фотолітогр. по Al Термічне напилення Al П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Контроль параметрів Розділ. пластини та підкладки Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Пакування Маркування Випробування

Структура з діелектричною ізоляцією

Окиснення p -шару (Si) Перша фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Окиснення Хімічне травлення Si. O 2 Окиснення Роздільна термічна дифузія Друга фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Епітаксія n Si Третя фотолітогр. по Si. O 2 Базова терм. диф. pобласті Окиснення Четверта фотолітогр. по Si. O 2 Термічна дифузія (n+) Відпаюван. контактів Шоста фотолітогр. по Al Термічне напилення Al П’ята фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Контроль параметрів Розділ. пластини та підкладки Монтаж кристала у корпус Монтаж зовнішніх виводів Герметизація Пакування Маркування Випробування

Ізопланарна структура

Хімічне травлення Si. O 2 Перша фотолітогр. по Si. O 2 Окиснення Si. O 2 до p-області Окиснення Термічне дифузія p-області Окиснення Хімічне травлення Si 3 N 4 Термічна дифузія n+-області Окиснення Третя фотолітогр. по Si. O 2 Термічне напилення Al Четверта фотолітогр. по Al Монтаж зовнішніх виводів Монтаж кристала у корпус Розділення пластини та підкладки Контроль параметрів Випаювання виводів Друга фотолітогр. по Si. O 2 Епітаксія n та n-Si та n+Si Окиснення Герметизація Випробування Маркування Пакування