Урок-совещание Тема Основные критерии работоспособности КР вакуумного оборудования

Урок-совещание Тема: Основные критерии работоспособности (КР) вакуумного оборудования

Вакуумное оборудование для производства структур ИМС

участок ионного легирования Типовая установка для ионного легирования 7 - источник питания линз 1 - источник ионов 8 - система отклонения луча по вертикали 2 - масс-спектрометр 9 - система отклонения луча по горизонтали 3 - диафрагма 10 - мишень для поглощения нейтральных 4 - источник высокого напряжения частиц 5 - ускоряющая трубка 11 - подложка 6 - линзы

Высокоэнергетическая установка ионного легирования “Везувий 9 М” 1 — ионный источник; 2 — магнит источника; 3 — компенсатор; 4 — сильфон; 5 —магнитный масс-сепаратор; 6, 12— отклоняющая система; 7 —одиночная линза; 8, 14 —вакуумный затвор; 9, 18 — крионасос; 10, 17 — ускорительная трубка; 11, 16— магнитная ловушка; 13, 22 — цилиндр Фарадея; 15 — устройство сканирования пучка; 20 — датчики юстировки ионного пучка; 21 — подавляющий электрод; 23 — корпус приемной камеры; 26 — нагреватель; 28 — привод механического сканирования; 29 — полупроводниковая пластина Установка "Везувий-9 М" оснащена эффективными источниками многозарядных ионов, позволяющими: получить ток двухзарядных ионов фосфора, мышьяка и сурьмы 1000 мк. А, а ток трехзарядных ионов — 400 мк. А; получить для имплантации ионы тяжелых элементов с кратностью заряда 4, 5. На установке можно применять как поштучный, так и групповой режимы имплантации, при которых на полупроводниковые пластины подается регулируемое пилообразное напряжение амплитудой до 5 к. В и частотой 50 и 427 Гц и осуществляется двухкоординатное электростатическое сканирование пучка ионов

Установка ионной имплантации больших доз "Везувий -8 М" Установка "Везувий -8 М" ионной имплантации больших доз предназначена для непрерывного режима работы в производстве" МОП БИС, где требуется высокая воспроизводимость дозы легирования, и используется для имплантации ионов бора, фосфора и мышьяка в пластины диаметром 76, 100 и 125 мм. Установка оснащена двумя модифицированными источниками дугового разряда с прямонакальным катодом, встроенными в масс-сепаратор, что способствует ее непрерывной работе без разгерметизации до 100 ч. В масссепараторе применены постоянные магниты малых габаритов и массы, имеющие стабильное и однородное поле. В установке использовано электростатическое двухкоординатное сканирование с частотой 30 и 2500 Гц соответственно в горизонтальном и вертикальном направлениях. Четыре датчика дозиметрии (цилиндры Фарадея) способствуют контролю однородности имплантации и настройке пучка на центр мишени. Установка позволяет получать неоднородность имплантации при легировании не более 1 % в широком диапазоне доз и хорошую воспроизводимость при обработке пластин кремния ионами бора и фосфора с различными энергиями и дозами.

Установка “Везувий-3 М” 1. масс-сепаратор; 2. одиночная линза; 3. система формирования; 4. источник ионов бора; 5. источник ионов фосфора; Установка ионнолучевая УЛИ. П-150 -003 “Везувий-3 М” с двухкамерным приёмным устройством повышенной производительности для групповой обработки пластин увеличенного диаметра 76 -100 -150 мм предназначена для имплантации малых и средних доз ионами бора, фосфора, мышьяка, цинка для производства МДП БИС. Диапазон энергии ионов от 15 до 150 кэ. В. Установка представляет собой технологический высоковольтный электрофизический комплекс, в котором в условиях высокого вакуума осуществляется получение ионов различных веществ, сепарация ионного пучка, формирование, ускорение до заданной энергии и легирование партии полупроводниковых пластин в групповом режиме до набора заданной дозы поочерёдно в двух камерах.

Установка “Лада-20” 1 - электромагнит масс-анализатора, 2 - пульт управления высоковольтным напряжением, 3 коллиматор, 4 - ускорительная трубка, 5, 7 диффузионные насосы с криогенными азотными ловушками, 6, 14 -горизонтальные и вертикальные отклоняющие пластины, 8 - шлюзовое устройство выгрузки, 9 - механизм выгрузки, 10 - приемная камера, 11, 12 - шлюзовое устройство и механизм загрузки, 13 поворотный столик приемной камеры, 15 - электроды квадрупольной линзы, 16 -корпус установки, 17 высоковольтный источник вытягивающего напряжения, 18 - источник ионов, 19 - диффузионный насос Установка "Лада-20" предназначена для легирования полупроводниковых пластин диаметром 76 и 100 мм ионами массой до 100 а. е. м. (бор, фосфор, мышьяк), пучок которых имеет ток до 200 мк. А в диапазоне энергий 20200 кэ. В. Установка оснащена автоматическим приемным устройством непрерывного действия для индивидуальной (поштучной) обработки полупроводниковых пластин, максимальная производительность которого 200 шт/ч. Управляет работой вакуумной системы, а также процессом легирования пластин автоматическая система, оснащенная микро ЭВМ. Дополнительно контролировать ход имплантации можно, визуально наблюдая его на экране осциллографа. Информационная система микро ЭВМ дает распечатку (цифро-печать) основных технологических параметров имплантации на каждую полупроводниковую пластину, что является их сопроводительным документом(паспортом).

Установка ионного легирования ТИУС-200/2 Основные системы: Ионный источник: газоразрядный с накаливаемым катодом, позволяет работать на 3 -х испаряемых и 2 -х газообразных веществах. Приемные камеры: легкозаменяемые, адаптируемые под тип продукции. Система откачки: безмасляная на базе криогенных и турбомолекулярных насосов. Система управления: автоматизированная на базе программируемых контроллеров с ПЭВМ в качестве пульта оператора. Габариты установки: Высота: 2, 5 м, площадь: 3, 0 х4, 0 м Ионно-лучевая установка типа ТИУС-200/2 является высоковольтным ионным имплантером с энергией, устанавливаемой с относительной точностью 1%. Возможно использование 4 -х типов ионов с оперативным переключением и любой тип ионов с заменой источников и рабочих веществ (газовые соединения или испарение из твердой фазы). Время перехода с одного рабочего вещества на другое - не более 20 мин. Двухкоординатное перемещение держателя обрабатываемых изделий обеспечивает высокую однородность легирования по всей площади

Установка «Днепр» Предназначено для обработки пластин диаметром 76 -150 мм. ионами различных веществ (бор, фосфор, мышьяк) с энергией до 200 кэ. В. Установка построена на модульном принципе и обеспечивает индивидуальную обработку пластин

Участок пиролиза Установка Изоплаз-150

Схема реактора установки «УВП-2 М» с плазменной активацией реагентов при пониженном давлении

Изотрон 4 -150 Оборудование, предназначенное для получения диэлектрических слоев

Установка Corial 200 R Установка осаждения диэлектриков при пониженном давлении.

Участок напыления Установка вакуумного испарения ВАК-760 фирмы Balzers

Внутрикамерная оснастка с кольцевыми и овально-протяженными планарными магратронами

Внутрикамерная оснастка с овальнопротяженными магратронами

Внутрикамерная оснастка установок периодического действия

Внутрикамерная оснастка установки «Оратория 22»

Схема установки вакуумного испарения с резистивным нагревом

Типы резистивных источников испарения: а-спиральная проволока, б-лодочка, влодочка с дефлектором, г-тигель

Резистивный испаритель непрерывного действия

Индукционный испаритель

Электроннолучевой испаритель

Схема установки катодного распыления типа УВН

Схема многокамерной установки Varian m-2 i

Оратория 29 Вакуумная установка напыления металлических плёнок с магнетронной системой (модернизированная) и адсорбционной ловушки.

Установка магнетронного напыления Предназначена для создания функциональных гетероструктур на основе диэлектрических и полупроводниковых подложек с пленками металлов, оксидов, нитридов различного диапазона толщин (от микронного до наноразмерного).

Установка УВН-0. 5 М 2 И напыления нанокристаллических сверхтвердых покрытий

УЧАСТОК ПХТ схема сухого травления фоторезиста Плазма-НД

Сухое травление фоторезиста в кислородной плазме установка Плазма-150

Реактор ПХТ объемного типа 08 ПХО-100 Т-001 для удаления фоторезиста

Схема диодной системы высокого давления – установка с загружаемым катодом 08 ПХО-100 Т-005

Планарный реактор с загружаемым анодом 08 ПХО-100 Т-004

Схема реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы 08 ПХО 125/50 -008

Установка Лада-35 (Gir – 260) Установка Лада-35 представляет собой автоматическую установку, предназначенную для травления материала, необходимого для изготовления микроэлектронных компонентов. Автоматическое управление осуществляется посредством микропроцессорной системы. В автоматическом режиме машина выполняет следующие операции: выгрузка пластины из подающей кассеты; загрузка пластин в реакторы; травление; выгрузка пластин в приемную кассету; хранение прошедших травление пластин в приемной кассете.

Установка «Каролина 15 ПХТ» КАРОЛИНА пхт15

Блок-схема изучения оборудования напыления, ПХТ, пиролиза, ионной имплантации Неисправности Методы устранения Пути совершенствования назначение установка Регламентные работы Основные узлы и блоки Основные КР

Блок-схема общих направлений обслуживания и совершенствования вакуумного оборудования Пути совершенствования оборудования неисправности ТИП Вакуумное оборудование Метод устранени я Регламентные работы Вид работ Периодичность КР

Перспективное оборудование для производства структур ИМС

Установка Plasmalab 100 предназначена для плазмохимического осаждения, реактивно-ионного Конфигурации Plasmalab 100 для плазмохимического травления, плазмохимического травления зависят от модификации. Их существует три. В двух травятся пластины диаметром 200 мм, а в другой 100 мм. Возбуждение плазмы высокочастотное. Так же отличие есть в количестве линий газоподач. В некотором случае их восемь, в других двенадцать.

Нано. ПЛАЗМА обеспечивает: - скорость анизотропного травления: - кремния от 1 до 3 мкм/мин - двуокиси кремния, кварца, стекла от 0, 5 до 1 мкм/мин - неравномерность травления плюс два процента - аспектное соотношение один к десяти

Установка LAM предназначена для травления поликристаллического кремния. Установка включает в себя: - систему загрузки-выгрузки пластин - источник пламы - катод и анод - рабочую камеру Установка работает в автоматическом режиме.

Установка Presign предназначена для травления металлических слоев. Принимает платины диаметром 150 мм. Работает в автоматическом режиме. Человек введет процесс посредство сенсорного экрана лазерной указки. Имеет два реактора. Установка Presign

Corial 200 I – это установка плазмохимического травления индуктивно совмещенной плазмой с вакуумным шлюзом предназначена для травления Ga. N, Ga. As, Ga. P, Ga. Al. As, In. P, In. Ga. As. P, Zn. S, Cd. Te, Al. N, In. As, Al и Si. Особенно хорошо система подходит для травления арсенида галлия. Если система укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком окончания процесса, это дает возможность автоматической многошаговости процесса. Система плазмохимического травления в индуктивно совмещенной плазме с ручной системой загрузки под контролем компьютера. Установка включает в себя: - источник высокоплотной плазмы - катод - насосную систему - систему электронного контроля источник питания (высоковольтный и низковольтный) - газовую камеру - персональный компьютер

Установка для напыления Auto 306 R & D с вакуумной камерой из борсиликатного стекла.

Установка для напыления Auto 306 R & D с фронтально открывающейся камерой FL 400.

Вид установки с электронно-лучевым испарителем и ВЧ-распылительной системой вместе со шкафом управления в 19 дюймовой стойке и системой управления потоком продуктов распыления

Модуль термического испарения из тигля или с проволочным испарителем. На рисунке показан встроенный защитный экран предотвращающий от нежелательного подпыления стенки вакуумной камеры и примыкающие к модулю принадлежности

Механизм крепления плоского подложкодержателя, перемещающийся в трех измерениях

Электронно-лучевой испаритель для напыления многокомпонентного покрытия

Спасибо за внимание!