Скачать презентацию Униполярные транзисторы МОП-транзистор МОП металл-окисел-полупроводник MOS Скачать презентацию Униполярные транзисторы МОП-транзистор МОП металл-окисел-полупроводник MOS

MOP-tranzistor.ppt

  • Количество слайдов: 79

Униполярные транзисторы. МОП-транзистор МОП – металл-окисел-полупроводник MOS – metal-oxide-semiconductor Б. Г. Коноплев Униполярные транзисторы. МОП-транзистор МОП – металл-окисел-полупроводник MOS – metal-oxide-semiconductor Б. Г. Коноплев

Конструкция МОП-транзистора Б. Г. Коноплев Конструкция МОП-транзистора Б. Г. Коноплев

Структура МОП-тразистора Структура МОП-тразистора

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы – пороговое напряжение – контактная разность потенциалов – равновесный удельный заряд МДП-транзисторы Униполярные транзисторы – пороговое напряжение – контактная разность потенциалов – равновесный удельный заряд поверхности – поверхностный потенциал Зонные диаграммы МДП-транзистора – диэлектрическая проницаемость полупроводника – концентрация примеси Б. Г. Коноплев

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) МОП-транзистора Б. Г. Коноплев Вольт-амперные характеристики (ВАХ) МОП-транзистора Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Распределение поля и зарядов в МДП-транзисторе а – при нулевом напряжении МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Распределение поля и зарядов в МДП-транзисторе а – при нулевом напряжении на стоке; б – при положительном напряжении на стоке. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Распределение поля и зарядов в МДП-транзисторе а – на границе насыщения МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Распределение поля и зарядов в МДП-транзисторе а – на границе насыщения (Uси=Uсн); б – в области насыщения (Uси>Uсн). Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Статические характеристики МДП-транзистора а – выходные; б – передаточные. Б. Г. МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Статические характеристики МДП-транзистора а – выходные; б – передаточные. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Квазилинейные участки выходных ВАХ МДП-транзистора Б. Г. Коноплев МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Квазилинейные участки выходных ВАХ МДП-транзистора Б. Г. Коноплев

Эквивалентные схемы МОП-транзистора Б. Г. Коноплев Эквивалентные схемы МОП-транзистора Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Схемы включения МДП-транзистора: а – с общим истоком; б – с МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Схемы включения МДП-транзистора: а – с общим истоком; б – с общим затвором. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Малосигнальные эквивалентные схемы МДП-транзистора: а – полная; б – упрощенная (Uпи=0). МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Малосигнальные эквивалентные схемы МДП-транзистора: а – полная; б – упрощенная (Uпи=0).

Разновидности униполярных транзисторов Б. Г. Коноплев Разновидности униполярных транзисторов Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Структура МДП-транзистора со встроенным n-каналом Б. Г. Коноплев МДП-транзисторы Униполярные транзисторы Структура МДП-транзистора со встроенным n-каналом Б. Г. Коноплев

THE MOS DEVICE Субмикронные МОП-транзисторы MOS STRAIN Starting 90 nm, introduction of strained silicon THE MOS DEVICE Субмикронные МОП-транзисторы MOS STRAIN Starting 90 nm, introduction of strained silicon to speed-up the carrier mobility NMOS: Tensile strain Stretching the lattice allows the charges to flow faster The intrinsic mobility of electrons (supposed to be a physical constant) is INCREASED !

THE MOS DEVICE METAL GATE – STARTING 65 NM Highest mobility is obtained with THE MOS DEVICE METAL GATE – STARTING 65 NM Highest mobility is obtained with optimized Ti. N/Hf. O 2

THE MOS DEVICE THE OLD MOS MODEL 1 5 parameters THE MOS DEVICE THE OLD MOS MODEL 1 5 parameters

THE MOS DEVICE THE MOS MODEL 3 10 parameters THE MOS DEVICE THE MOS MODEL 3 10 parameters

THE MOS DEVICE THE MOS MODEL 3 MOS Model 3 takes into account the THE MOS DEVICE THE MOS MODEL 3 MOS Model 3 takes into account the sub-threshold (VG

THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4 0. 35 V U 0/2 0. THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4 0. 35 V U 0/2 0. 25 V

THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4 THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4

THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4 • 20 key parameters listed in THE MOS DEVICE THE MOS MODEL BSIM 4 • 20 key parameters listed in Microwind • Details on BSIM 4 equations in Microwind: Chapter 3 of the book

THE MOS DEVICE MOS SIZING If you want to go faster, you can ask THE MOS DEVICE MOS SIZING If you want to go faster, you can ask for more current • More current: more W • You may also reduce L, but by default, L= 2 lambda = Lmin Where is W, L ?

THE MOS DEVICE MOS SIZING Effect of 10 x Width Impact on Ion? THE MOS DEVICE MOS SIZING Effect of 10 x Width Impact on Ion?

Электронный ключ на МОП-транзисторе Б. Г. Коноплев Электронный ключ на МОП-транзисторе Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники МДП-транзисторный ключ с резистивной нагрузкой: а – схема; б МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники МДП-транзисторный ключ с резистивной нагрузкой: а – схема; б – рабочие точки на выходной ВАХ. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники МДП-транзисторный ключ с динамической нагрузкой: а – схема; б МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники МДП-транзисторный ключ с динамической нагрузкой: а – схема; б – рабочие точки на выходной ВАХ. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Паразитные емкости МДП-транзисторного ключа: а – составляющие емкости; б МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Паразитные емкости МДП-транзисторного ключа: а – составляющие емкости; б – результирующая емкость. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе: а – эквивалентная схема МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе: а – эквивалентная схема после запирания; б – эквивалентная схема после отпирания; в – ход процесса отпирания на выходных ВАХ. Б. Г. Коноплев

МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе Б. Г. Коноплев МДП-транзисторные ключи Основы цифровой схемотехники Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе Б. Г. Коноплев

Помехоустойчивость ключей Основы цифровой схемотехники Методы определения рабочих точек в последовательной цепочке ключей: а Помехоустойчивость ключей Основы цифровой схемотехники Методы определения рабочих точек в последовательной цепочке ключей: а – непосредственный метод; б – метод биссектриссы; в – метод линии нагрузки. Б. Г. Коноплев

Помехоустойчивость ключей Основы цифровой схемотехники Оценка помехоустойчивости ключа Б. Г. Коноплев Помехоустойчивость ключей Основы цифровой схемотехники Оценка помехоустойчивости ключа Б. Г. Коноплев