ТТЕ-2 Курсовая работа Расчет порогового напряжения n/p 3.1.

ТТЕ-2 Курсовая работа Расчет порогового напряжения

n/p 3.1. Расчет порогового напряжения активных транзисторов І и ІІ каскадов Пороговое напряжение МДП-транзистора с индуцированным каналом – это напряжение на затворе, при котором количество носителей в канале становится равным количеству основных носителей в подложке Для n-канального транзистора: Uпор > 0 Для p-канального транзистора: Uпор < 0 Al затвор Si* затвор мп (пп) – разность работ выхода металла затвора и п/п подложки (п/п затвора и п/п подложки) В – изгиб зон поверхности п/п; QB – плотность заряда в области обеднения под каналом; Qss – плотность заряда на границе раздела диэлектрик-п/п; Сок – удельная емкость подзатворного диэлектрика. n/p n/p

3.1. Расчет порогового напряжения активных транзисторов І и ІІ каскадов Разность работ выхода n/p NG – концентрация примесей в затворе; NB – концентрация примесей в подложке; ni – концентрация собственных носителей в п/п; v – удельное объемное сопротивление подложки; n, p – подвижность электронов, дырок в подложке

3.1. Расчет порогового напряжения активных транзисторов І и ІІ каскадов – изгиб зон поверхности п/п, В – плотность заряда в области обеднения под каналом, Кл/см2 – плотность заряда на границе раздела диэлектрик-п/п, Кл/см2 – удельная емкость подзатворного диэлектрика, Ф/см2 п, д – диэлектрическая проницаемость п/п, диэлектрика; Uип – напряжение между истоком и подложкой (U0 либо 2U0); Nss – концентрация заряда на границе раздела диэлектрик-п/п; dок – толщина подзатворного диэлектрика;

3.1. Расчет порогового напряжения активных транзисторов І и ІІ каскадов Проверка величины порогового напряжения Проведение подлегирования

3.2. Расчет порогового напряжения нагрузочных транзисторов І и ІІ каскадов МДП транзисторы с индуцированным каналом МДП транзисторы с встроенным каналом n/p Пороговое напряжение МДП-транзистора с встроенным каналом (или напряжение отсечки) – это напряжение на затворе, при котором проводящий встроенный канал перекрывается объемным зарядом и ток истока становится равным нулю Для n-канального транзистора: Uпор < 0 Для p-канального транзистора: Uпор > 0

3.2. Расчет порогового напряжения нагрузочных транзисторов І и ІІ каскадов Пороговое напряжение МДП-транзистора с встроенным каналом Ds – доза легирования канала; Xi – глубина встроенного канала; Xd – ширина области обеднения в подложке с каналом: Xd0 – ширина области обеднения в нелегированной подложке: Nc – концентрация носителей заряда в канале:

Домашнее задание Рассчитать пороговое напряжение транзисторов І и ІІ каскадов (п.н.3.1 и 3.2)