Скачать презентацию Транзисторы Семенов Иван Подлевских Антон 10 А класс Скачать презентацию Транзисторы Семенов Иван Подлевских Антон 10 А класс

Транзисторы.pptx

  • Количество слайдов: 29

Транзисторы Семенов Иван Подлевских Антон 10 А класс Транзисторы Семенов Иван Подлевских Антон 10 А класс

Определение Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным Определение Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Классификация транзисторов • По структуре 1. 2. Биполярный транзистор Полевой транзистор • По основному Классификация транзисторов • По структуре 1. 2. Биполярный транзистор Полевой транзистор • По основному полупроводниковому материалу 1. 2. 3. Германиевые Кремниевые Арсенид-галлиевые • По мощности 1. 2. 3. Маломощные транзисторы до 100 м. Вт Транзисторы средней мощности от 0, 1 до 1 Вт Мощные транзисторы (больше 1 Вт)

Биполярный транзистор Биполярный транзистор

 • Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой • Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы 2 p-n перехода и перенос заряда в приборе осуществляется носителями 2 видов — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» . • Применяется в электронных устройствах для усиления генерации электрических колебаний и в качестве переключающего ток элемента, например, в логических электронных схемах.

Устройство • Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной Устройство • Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n -p транзисторы • Биполярный транзистор состоит из трёх различным образом легированных полупроводниковых слоёв: эмиттера E (Э), базы B(Б) и коллектора C (К). В зависимости от чередования типа проводимости этих слоёв различают n-p-n (эмиттер − nполупроводник, база − p-полупроводник, коллектор − nполупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты.

Принцип работы В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён Принцип работы В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).

 Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электрическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллектора получается лишь немного меньше тока эмиттера. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу.

Основные параметры • Входное сопротивление h 11 = Um 1/Im 1, при Um 2 Основные параметры • Входное сопротивление h 11 = Um 1/Im 1, при Um 2 = 0. • Коэффициент обратной связи по напряжению h 12 = Um 1/Um 2, при Im 1 = 0. • Коэффициент передачи тока h 21 = Im 2/Im 1, при Um 2 = 0. • Выходная проводимость h 22 = Im 2/Um 2, при Im 1 = 0.

Режимы работы биполярного транзистора • Нормальный активный режим UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), Режимы работы биполярного транзистора • Нормальный активный режим UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид UЭБ<0; UКБ>0. • Инверсный активный режим Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: UКБ>0; UЭБ<0 (для транзистора n-p-n типа). • Режим насыщения • Режим отсечки В данном режиме оба p-n перехода смещены в обратном направлении. Режиму отсечки соответствует условие UЭБ<0, UКБ<0. • Барьерный режим

Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе (UE, UB, UC) Смещение перехода база-эмиттер для типа n-p-n Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе (UE, UB, UC) Смещение перехода база-эмиттер для типа n-p-n Смещение перехода база-коллектор для типа n-p-n Режим для типа n-p-n прямое нормальный активный режим прямое режим насыщения обратное режим отсечки обратное Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе (UE, UB, UC) обратное прямое инверсный активный режим Смещение перехода база-эмиттер для типа p-n-p Смещение перехода база-коллектор для типа p-n-p Режим для типа p-n-p обратное прямое инверсный активный режим обратное режим отсечки прямое режим насыщения прямое обратное нормальный активный режим

Схемы включения • Схема включения с общей базой ▫ Достоинства Хорошие температурные и широкий Схемы включения • Схема включения с общей базой ▫ Достоинства Хорошие температурные и широкий частотный диапазон. Высокое допустимое коллекторное напряжение. ▫ Недостатки Малое усиление по току Малое входное сопротивление

 • Схема включения с общим эмиттером ▫ Достоинства Большой коэффициент усиления по току. • Схема включения с общим эмиттером ▫ Достоинства Большой коэффициент усиления по току. Большой коэффициент усиления по напряжению. Наибольшее усиление мощности. Можно обойтись одним источником питания. Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного. ▫ Недостатки Имеет меньшую температурную стабильность.

 • Схема с общим коллектором ▫ Достоинства Большое входное сопротивление. Малое выходное сопротивление. • Схема с общим коллектором ▫ Достоинства Большое входное сопротивление. Малое выходное сопротивление. ▫ Недостатки Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.

Применение • • • Усилители, каскады усиления Генератор сигналов Модулятор Демодулятор (Детектор) Инвертор Микросхемы Применение • • • Усилители, каскады усиления Генератор сигналов Модулятор Демодулятор (Детектор) Инвертор Микросхемы на транзисторной логике

Полевой транзистор Полевой транзистор

 • Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, • Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком. • Так как принцип действия полевых транзисторов основан на перемещении основных носителей заряда одного типа (электронами или дырками), такие приборы ещё называют униполярными, тем самым противопоставляя их биполярным.

Классификация полевых транзисторов • Транзисторы с управляющим p-n-переходом • Транзисторы с изолированным затвором (МДПтранзисторы) Классификация полевых транзисторов • Транзисторы с управляющим p-n-переходом • Транзисторы с изолированным затвором (МДПтранзисторы) ▫ МДП-транзисторы с индуцированным каналом ▫ МДП-транзисторы со встроенным каналом ▫ МДП-структуры специального назначения

Схемы подключения • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком • Схемы подключения • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком • Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором

Применение • Интегральные схемы • Схемы ждущих и следящих устройств • Схемы малого потребления Применение • Интегральные схемы • Схемы ждущих и следящих устройств • Схемы малого потребления и энергосбережения • Электронные часы и пульт дистанционного управления