Скачать презентацию Транзисторы с управляющим p-n переходом Рис 1 Устройство Скачать презентацию Транзисторы с управляющим p-n переходом Рис 1 Устройство

полевой транзистор.ppt

  • Количество слайдов: 5

Транзисторы с управляющим p-n переходом Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом Транзисторы с управляющим p-n переходом Рис. 1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы) Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором. Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы) Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.

МДП-транзисторы со встроенным каналом Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и статические характеристики передачи МДП-транзисторы со встроенным каналом Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и статические характеристики передачи (b) МДП-транзистора со встроенным каналом

Формулы расчёта Ic в зависимости от напряжения UЗИ 1. Транзистор закрыт Пороговое значение напряжения Формулы расчёта Ic в зависимости от напряжения UЗИ 1. Транзистор закрыт Пороговое значение напряжения МДП транзистора 2. Параболический участок -удельная крутизна транзистора. 3. Дальнейшее увеличение U 3 u приводит к переходу на пологий уровень. — Уравнение Ховстайна

Рис. 5 Рис. 4. микропроцессор Pentium 4 корпорации Intel (норма разрешения 130 нм) Рис. Рис. 5 Рис. 4. микропроцессор Pentium 4 корпорации Intel (норма разрешения 130 нм) Рис. 6