Romanenko-ФЕН-2.ppt
- Количество слайдов: 62
Типы функциональных материалов А. И. Романенко 1. Сверхпроводимость: нулевое электросопротивление, несовместимость свенрхпроводящего состояния и магнитного поля – эффект Мейснера, слабая сверхпроводимость – эффект Джозефсона. 2. Магнетизм: ферромагнетики, антиферромагнетики, парамагнетики, диамагнетики. 3. Сигнетоэлектрики. 4. Лазерные и сцинтилляционнные материалы
Рис. 17. Температурные зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. 3 Bi 1. 8 Sr 1. 9 Ca 2 Cu 3 O 10+x (фаза 2223) на различных этапах выдержки образцов при температуре 136 о. С в потоке газообразного гелия: кривая 1 — для исходного образца; 2 — после выдержки образца течение 62 ч; 3 — после выдержки образца в течение 240 ч. Непрерывными линиями показаны зависимости (11)
Рис. 19. Кристаллическая структура ВТСП с общей структурной формулой RBa 2 Cu 3 O 6+x (R = Y, Pr, Eu, Gd). Позиции О 4 в ромбической фазе заняты, в тетрагональной – свободны. Параметры решетки: a = b = 3, 8588 Å, c = 11, 771 Å, a = b = g = 90 o для тетрагональной фазы, пространственная группа P 4/mmm; a = 3, 8227 Å, b = 3, 8872 Å, c = 11, 6802 Å, a = b = g = 90 o для ромбической фазы, пространственная группа Pmmm. Позиции кислорода О 5 расположены между атомами меди в той же плоскости, что и О 4
Рис. 20. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Cu. O 6+x. Параметры решетки: a = 5, 38 Å, b = 5, 38 Å, c = 24, 6 Å, a = b = g = 90 o
Рис. 21. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca. Cu 2 O 8+x. Параметры решетки: a = 5, 4 Å, b = 5, 4 Å, c = 30, 7 Å, a = b = g = 90 o
Рис. 22. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10+x. Параметры решетки: a = 5, 4 Å, b = 5, 4 Å, c = 37, 0 Å, a = b = g = 90 o
(а) (б) Рис. 17. Температурные (в) зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. 3 Bi 1. 8 Sr 1. 9 Ca 2 Cu 3 O 10+x (фаза 2223) на различных этапах выдержки образцов при температуре 136 о. С в потоке газообразного гелия: кривая 1 — для исходного образца; 2 — после выдержки образца течение 62 ч; 3 — после выдержки образца в течение 240 ч. Непрерывными линиями показаны зависимости (11) Кривые температурных зависимостей электросопротивления r монокристалла измеренного по методу Монтгомери: ● — кривая, полученная для исходного образца; ○ — после релаксации образца при Т=419 K в течение 100 ч; - — при Т=495 K в течение 20 ч. rab(T) — электросопротивление в abплоскости (а), rc(T) — вдоль с-оси кристалла (б), rc(T)/rab(T) — анизотропия электросопротивления (в)
Рис. 36. Кривые температурных зависимостей электросопротивления r(T) образцов висмутовых ВТСП фаз 2201, 2212 и 2223, полученые нагревом и охлаждением на воздухе со скоростью 2 K/ч.
Кристаллическая структура (1), примитивная ячейка (2) и зона Брелюэна гексогонального (3) Mg. B 2
Изображение монокристалла Mg. B 2 полученное с помощью электронного сканирующего микроскопа
Температурная зависимость относительного электросопротивления R(T)/R(300 K) монокристалла Mg. B 2
Рис. 1. Эффект Мейснера в сверхпроводящем шаре, охлаждаемом в постоянном внешнем магнитном поле; при охлаждении ниже температуры перехода линии индукции В выталкиваются из шара
Рис. 5. Кривые намагничивания отожженного поликристаллического свинца Рb и сплавов Рb. In при 4, 2 K. А — чистый Рb; В — сплав с 2, 08 вес. % In; С — сплав с 8, 23 вес. % In; О – сплав с 20, 4 вес. % In (Китель Ч. Введение в физику твердого тела. М. , 1978)
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики
3. Сигнетоэлектрики


