Скачать презентацию Типы функциональных материалов А И Романенко 1 Сверхпроводимость Скачать презентацию Типы функциональных материалов А И Романенко 1 Сверхпроводимость

Romanenko-ФЕН-2.ppt

  • Количество слайдов: 62

Типы функциональных материалов А. И. Романенко 1. Сверхпроводимость: нулевое электросопротивление, несовместимость свенрхпроводящего состояния и Типы функциональных материалов А. И. Романенко 1. Сверхпроводимость: нулевое электросопротивление, несовместимость свенрхпроводящего состояния и магнитного поля – эффект Мейснера, слабая сверхпроводимость – эффект Джозефсона. 2. Магнетизм: ферромагнетики, антиферромагнетики, парамагнетики, диамагнетики. 3. Сигнетоэлектрики. 4. Лазерные и сцинтилляционнные материалы

Рис. 17. Температурные зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. 3 Bi 1. Рис. 17. Температурные зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. 3 Bi 1. 8 Sr 1. 9 Ca 2 Cu 3 O 10+x (фаза 2223) на различных этапах выдержки образцов при температуре 136 о. С в потоке газообразного гелия: кривая 1 — для исходного образца; 2 — после выдержки образца течение 62 ч; 3 — после выдержки образца в течение 240 ч. Непрерывными линиями показаны зависимости (11)

Рис. 19. Кристаллическая структура ВТСП с общей структурной формулой RBa 2 Cu 3 O Рис. 19. Кристаллическая структура ВТСП с общей структурной формулой RBa 2 Cu 3 O 6+x (R = Y, Pr, Eu, Gd). Позиции О 4 в ромбической фазе заняты, в тетрагональной – свободны. Параметры решетки: a = b = 3, 8588 Å, c = 11, 771 Å, a = b = g = 90 o для тетрагональной фазы, пространственная группа P 4/mmm; a = 3, 8227 Å, b = 3, 8872 Å, c = 11, 6802 Å, a = b = g = 90 o для ромбической фазы, пространственная группа Pmmm. Позиции кислорода О 5 расположены между атомами меди в той же плоскости, что и О 4

Рис. 20. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Cu. O 6+x. Параметры Рис. 20. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Cu. O 6+x. Параметры решетки: a = 5, 38 Å, b = 5, 38 Å, c = 24, 6 Å, a = b = g = 90 o

Рис. 21. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca. Cu 2 O Рис. 21. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca. Cu 2 O 8+x. Параметры решетки: a = 5, 4 Å, b = 5, 4 Å, c = 30, 7 Å, a = b = g = 90 o

Рис. 22. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 Рис. 22. Кристаллическая структура ВТСП состава Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10+x. Параметры решетки: a = 5, 4 Å, b = 5, 4 Å, c = 37, 0 Å, a = b = g = 90 o

(а) (б) Рис. 17. Температурные (в) зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. (а) (б) Рис. 17. Температурные (в) зависимости удельного электросопротивления r(T), измеренного для Pb 0. 3 Bi 1. 8 Sr 1. 9 Ca 2 Cu 3 O 10+x (фаза 2223) на различных этапах выдержки образцов при температуре 136 о. С в потоке газообразного гелия: кривая 1 — для исходного образца; 2 — после выдержки образца течение 62 ч; 3 — после выдержки образца в течение 240 ч. Непрерывными линиями показаны зависимости (11) Кривые температурных зависимостей электросопротивления r монокристалла измеренного по методу Монтгомери: ● — кривая, полученная для исходного образца; ○ — после релаксации образца при Т=419 K в течение 100 ч; - — при Т=495 K в течение 20 ч. rab(T) — электросопротивление в abплоскости (а), rc(T) — вдоль с-оси кристалла (б), rc(T)/rab(T) — анизотропия электросопротивления (в)

Рис. 36. Кривые температурных зависимостей электросопротивления r(T) образцов висмутовых ВТСП фаз 2201, 2212 и Рис. 36. Кривые температурных зависимостей электросопротивления r(T) образцов висмутовых ВТСП фаз 2201, 2212 и 2223, полученые нагревом и охлаждением на воздухе со скоростью 2 K/ч.

Кристаллическая структура (1), примитивная ячейка (2) и зона Брелюэна гексогонального (3) Mg. B 2 Кристаллическая структура (1), примитивная ячейка (2) и зона Брелюэна гексогонального (3) Mg. B 2

Изображение монокристалла Mg. B 2 полученное с помощью электронного сканирующего микроскопа Изображение монокристалла Mg. B 2 полученное с помощью электронного сканирующего микроскопа

Температурная зависимость относительного электросопротивления R(T)/R(300 K) монокристалла Mg. B 2 Температурная зависимость относительного электросопротивления R(T)/R(300 K) монокристалла Mg. B 2

Рис. 1. Эффект Мейснера в сверхпроводящем шаре, охлаждаемом в постоянном внешнем магнитном поле; при Рис. 1. Эффект Мейснера в сверхпроводящем шаре, охлаждаемом в постоянном внешнем магнитном поле; при охлаждении ниже температуры перехода линии индукции В выталкиваются из шара

Рис. 5. Кривые намагничивания отожженного поликристаллического свинца Рb и сплавов Рb. In при 4, Рис. 5. Кривые намагничивания отожженного поликристаллического свинца Рb и сплавов Рb. In при 4, 2 K. А — чистый Рb; В — сплав с 2, 08 вес. % In; С — сплав с 8, 23 вес. % In; О – сплав с 20, 4 вес. % In (Китель Ч. Введение в физику твердого тела. М. , 1978)

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики

3. Сигнетоэлектрики 3. Сигнетоэлектрики