Схема отражения и поглощения света в полупроводнике

Схема отражения и поглощения света в полупроводнике

Зависимость интенсивности светового потока Φ от глубины χ

Виды оптического поглощения Собственное поглощение Прямой переход Эскитонное поглощение Непрямой переход Поглощение на свободных носителях Примесное поглощение

q – заряд электрона; µn, µp - подвижности электронов и дырок в полупроводнике; ∆n, ∆p - неравновесные концентрации электронов и дырок в полупроводнике

Общий вид зависимости фототока J в полупроводнике от энергии hv падающего света 1 – примесный фототок 2 – фототок в области края собственного поглощения

Релаксация фотопроводимости: а -прямоугольный световой импульс; б -нарастание и спад неравновесной концентрации носителей заряда; I - интенсивность излучения; Ƭ - время жизни носителей;

Релаксация фотопроводимости: а -прямоугольный световой импульс; б -нарастание и спад неравновесной концентрации носителей заряда; I - интенсивность излучения; Ƭ - время жизни носителей;

Семейство вольтамперных характеристик p-n перехода при различных уровнях освещения