Скачать презентацию Строение вещества в конденсированном состоянии Кристаллическое состояние Скачать презентацию Строение вещества в конденсированном состоянии Кристаллическое состояние

Кристаллическое состояние.ppt

  • Количество слайдов: 21

Строение вещества в конденсированном состоянии Кристаллическое состояние Строение вещества в конденсированном состоянии Кристаллическое состояние

Для кристаллического состояния характерно строго определенное расположение частиц во всем объеме кристалла, т. е Для кристаллического состояния характерно строго определенное расположение частиц во всем объеме кристалла, т. е в расположении частиц существует дальний порядок. Это обусловливает анизотропию кристаллического вещества – различие физических свойств кристалла в разных направлениях.

Кристаллическая решетка характерное для кристалла расположение атомов, ионов или молекул, обладающее периодической повторяемостью в Кристаллическая решетка характерное для кристалла расположение атомов, ионов или молекул, обладающее периодической повторяемостью в трех измерениях. Различают четыре основных типа структур кристаллических веществ, или кристаллических решеток, - атомную, ионную, металлическую и молекулярную.

1. В узлах атомной кристаллической решетки находятся атомы одинаковых или различных элементов, соединенные между 1. В узлах атомной кристаллической решетки находятся атомы одинаковых или различных элементов, соединенные между собой ковалентными связями, например, С(алмаз).

2. Ионные кристаллические решетки построены из положительно и отрицательно заряженных ионов, между которыми действуют 2. Ионные кристаллические решетки построены из положительно и отрицательно заряженных ионов, между которыми действуют электростатические (кулоновские) силы притяжения, например, Na. Cl. + - + - +

3. Металлическая кристаллическая решетка состоит из катионов металла, между которыми относительно свободно перемещаются валентные 3. Металлическая кристаллическая решетка состоит из катионов металла, между которыми относительно свободно перемещаются валентные электроны. Отрицательный заряд таких электронов компенсирует + заряды катионов металла и удерживает их в узлах кристаллической решетки + + +

4. В узлах молекулярной кристаллической решетки расположены молекулы, связанные между собой слабыми межмолекулярными связями. 4. В узлах молекулярной кристаллической решетки расположены молекулы, связанные между собой слабыми межмолекулярными связями. Между неполярными молекулами действуют дисперсионные силы; между полярными молекулами – дисперсионные, ориентационные и индукционные силы. +- + - + - + +- +- +-

Энергия кристаллической решетки равна энергии, которую необходимо затратить на удаление составных частей кристаллической решетки Энергия кристаллической решетки равна энергии, которую необходимо затратить на удаление составных частей кристаллической решетки на бесконечно большое расстояние друг от друга, измеряется в к. Дж/моль. Полиморфизм (многоформенность) – способность одного и того же вещества образовывать различные кристаллические формы в зависимости от условий.

Различные кристаллические формы одного и того же вещества называются полиморфными модификациями (алмаз, графит, карбин Различные кристаллические формы одного и того же вещества называются полиморфными модификациями (алмаз, графит, карбин ). Существование различных веществ в одной и той же кристаллической форме называется изоморфизмом (равноформенностью), а такие вещества изоморфными.

Зонная теория проводимости кристаллов Кристалл - единая система взаимодействующих частиц. Зонная теория - это Зонная теория проводимости кристаллов Кристалл - единая система взаимодействующих частиц. Зонная теория - это теория молекулярных орбиталей для системы с большим (N=1023) числом частиц. В кристалле количество молекулярных орбиталей должно равняться сумме орбиталей атомов, образующих кристалл.

Взаимодействие в кристалле большого числа атомов (N=1 O 23) приводит к появлению практически сплошного Взаимодействие в кристалле большого числа атомов (N=1 O 23) приводит к появлению практически сплошного спектра энергий молекулярных орбиталей, т. е. к образованию энергетической зоны. Электроны могут находиться только на строго определенных энергетических уровнях и в кристалле также существуют зоны разрешенных и запрещенных энергий.

Энергетические уровни, на которых находятся валентные электроны, образуют валентную зону. Совокупность свободных, не занятых Энергетические уровни, на которых находятся валентные электроны, образуют валентную зону. Совокупность свободных, не занятых электронами уровней (валентных орбиталей), расположенных энергетически выше валентной зоны, в некоторых случаях в пределах ее, называется зоной проводимости.

В зависимости от природы взаимодействующих атомов и типа кристаллической решетки валентная зона и зона В зависимости от природы взаимодействующих атомов и типа кристаллической решетки валентная зона и зона проводимости могут перекрываться или не перекрываться друг с другом. В последнем случае между валентной зоной и зоной проводимости возникает энергетический разрыв, называемый запрещенной зоной.

В зависимости от ширины запрещенной зоны Е все кристаллические вещества подразделяются на проводники (металлы), В зависимости от ширины запрещенной зоны Е все кристаллические вещества подразделяются на проводники (металлы), полупроводники и диэлектрики (изоляторы). В металлах валентная зона и зона проводимости перекрываются между собой, т. е. Е =0.

Na Si E E 3 p 3 s r 0 r 4 s 3 Na Si E E 3 p 3 s r 0 r 4 s 3 p 3 s 3 2 1 1 -валентная зона 2 -запрещенная зона 3 -зона проводимости r 0 r

Вещества, у которых ширина запрещенной зоны составляет 0, 1 -4, 0 э. В, относятся Вещества, у которых ширина запрещенной зоны составляет 0, 1 -4, 0 э. В, относятся к полупроводникам. У проводников с увеличением температуры электрическая проводимость растет, у полупроводников уменьшается. Вещества, у которых ширина запрещенной зоны превышает 4 э. В, относятся к изоляторам (алмаз).

Для ионных кристаллов ширина запрещенной зоны составляет около 6 э. В. У молекулярных кристаллов Для ионных кристаллов ширина запрещенной зоны составляет около 6 э. В. У молекулярных кристаллов энергетические уровни локализованы в пределах молекул и энергетические зоны не возникают. Поэтому указанные вещества относятся к изоляторам.

Жидкое состояние Для жидкого агрегатного состояния характерны изотропия - одинаковость физических свойств по всем Жидкое состояние Для жидкого агрегатного состояния характерны изотропия - одинаковость физических свойств по всем направлениям и текучесть способность легко изменять внешнюю форму под воздействием малых нагрузок. По высокой плотности и малой сжимаемости жидкости близки к твердым телам.

В жидкостях существует ближний порядок в расположении молекул, который проявляется в том, что число В жидкостях существует ближний порядок в расположении молекул, который проявляется в том, что число соседних молекул у каждой молекулы, а также их взаимное расположение в среднем для всех молекул в объеме жидкости одинаково. У жидкостей сильно выражена самодиффузия, т. е. непрерывные переходы молекул с места на место.

Аморфное состояние характеризуется изотропностью и отсутствием четко фиксируемой точки плавления. Для такого состояния в Аморфное состояние характеризуется изотропностью и отсутствием четко фиксируемой точки плавления. Для такого состояния в расположении частиц наблюдается только ближний порядок. Аморфные вещества встречаются в двух формах: в форме однородного компактного твердого материала, получаемого при переохлаждении жидкости, и в форме дисперсного материала (порошка).

Твердый аморфный материал, который образуется при переохлаждении жидкости, называется стеклом. Стекло можно определить и Твердый аморфный материал, который образуется при переохлаждении жидкости, называется стеклом. Стекло можно определить и как продукт плавления, перешедший при охлаждении в твердое состояние без кристаллизации. Аморфное состояние вещества является термодинамически нестабильным и при благоприятных условиях переходит в кристаллическое.