Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии Способы Плазмохимическое

Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии

Способы Плазмохимическое осаждение Импульсное лазерное осаждение Ионная бомбардировка

Плазмохимическое осаждение Технология Плазмохимического Осаждения из Газовой Фазы или ПХО (в английской литературе - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition или PECVD) использует газоразрядную плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы.

Оборудование PlasmaPro 800 plus Система предлагается в различных вариантах исполнения: плазмохимическое осаждение (ПХО, PECVD) реактивное ионное травление (РИТ, RIE) плазмохимическое травление (ПХТ, PE) комбинированные РИТ/ПХТ системы для приложений реверсивной инженерии

Импульсное лазерное осаждение (Абляция) Применяется для физической и химической модификации вещества, происходящей в результате поглощения сфокусированного лазерного излучения в микронном и нанометровом масштабе.

Схема лазерной напылительной установки: 1.- лазер; 2 - фокусирующая линза; 3 - сменные мишени; 4 - подложка с нагревателем; 5 - система контроля за процессом; 6 - система сканирования

Ионная бомбардировка Ускоритель HVEE-500 При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.

Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.

Схема основных процессов, обусловленных ионной бомбардировкой твёрдого тела. Показаны различные виды эмиссий заряженных и нейтральных частиц и различные виды радиационных дефектов.

Спасибо за внимание