Спинтронные приборы
Согласно классическим представлениям, электрическое сопротивление металлов уменьшается при понижении температуры, так как электроны все слабее и слабее рассеиваются на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. Но в области очень низких температур возможны три различных сценария поведения сопротивления. Они показаны на рис. 1 Сопротивление большинства чистых металлов (например, Cu, Au и. Al) уменьшается при понижении температуры до тех пор, пока не достигнет определенной остаточной величины. Некоторые металлы (например, Pb и Nb) при охлаждении становятся сверхпроводящими: их сопротивление падает фактически до нуля при критической температуре Tc.
Однако в металлах, содержащих небольшое количество магнитных примесей (таких как Fe, Co, Ni), сопротивление при очень низких температурах увеличивается, что связано с ненулевым полным спином всех электронов в образце. Этот эффект получил название эффекта Кондо (Kondo effect). Он наблюдается не только в металлах с магнитными примесями, но и в квантовых точках. Температуру TK, при которой начинается рост сопротивления, называют температурой Кондо (Kondo temperature).
Квантовые точки представляют собой еще один класс систем, транспортные свойства которых можно регулировать, используя эффект Кондо. По сравнению с магнитными примесями в объемных металлах для квантовых точек возможен более высокий уровень контроля параметров системы. Квантовая точка, содержащая строго определенное число электронов, может вести себя как магнитная примесь. Полный спин квантовой точки равен нулю или целому числу при четном числе электронов в ней и полуцелому числу при нечетном числе электронов. Последний случай — классический пример для наблюдения эффекта Кондо. При этом все электроны, кроме одного (с самой высокой энергией), можно игнорировать, что эквивалентно наличию в квантовой точке единственного носителя спина s=1/2.
Квантовуюточкусзатворамиможноэлектрическипер еключатьиз состояния «кондо-система» в состояние «не-кондо-система» , по- скольку количество электронов в ней может быть изменено с нечетного на четное. Такая структура показана на рис. 3. 40, а. Квантовая точка соединена с двумя источниками электронов туннельными каналами, пропускная способность которых управляется смещением, прикладываемым к входному и выходному затворам. Cвязь точки со стоком и истоком приводит к появлению у энергетического уровня электрона в ней дополнительной составляющей E. Число электронов в точке и их уровни энергии регулируются напряжением, прикладываемым к центральному затвору.
Температуру Кондо можно изменить, меняя напряжение на затворе, поскольку при этом энергия одноэлектронного состояния приближается к уровню Ферми. Отличие квантовой точки от объемного металла с магнитной примесью обусловлено, главным образом, разной природой электронных состояний в них. В металлах эти состояния представляют собой плоские электронные волны, а энергетический спектр является квази непрерывным. В квантовой же точке могут существовать только стоячие электронные волны, а энергетические уровни квантуются вследствие эффекта квантового ограничения. Этоприводит к диаметрально противоположному характеру температурных зависимостей проводимости квантовой точки и объемного металла с магнитной примесью
Разработанные спинтронные приборы основаны на эффекте гигантского магнитосопротивления и спинзависимого туннелирования. В них изменение направления намагниченности осуществляется посредством собственного внутреннего или внешнего магнитного поля. Большое количество предложенных и теоретически обоснованных приборов все еще ожидает экспериментальной проверки. Спин-поляризованный полевой транзистор, баллистический спин-фильтрующий транзистор, логический элемент, униполярные спиновые диоды и транзисторы — лишь некоторые из тех приборов, которые следует упомянуть в числе перспективных. Кроме того, под пристальным вниманием исследователей и разработчиков находятся приборы для квантовых вычислений на основе квантовых точек.
Этот прибор, называемый также спин-вентильной головкой воспроизведения, был первым спинтронным прибором, который в промышленных масштабах стали производить в IBM, начиная с 1997 г. Размеры головки, считывающей магнитные биты, которые записаны на поверхности дисков или лент в виде магнитных областей с различной ориентацией намагниченности(доменов), сведены к минимуму и составляют 10– 100 нм. Там, где головные части двух противоположно намагниченных доменов соприкасаются, нескомпенсированные полюса генерируют магнитное поле. Это по ленаправлено в сторону от носителя информации перпендикулярно поверхности домена. В том месте, где соприкасаются хвостовые части двух доменов, доменные стенки содержат нескомпенсированные полюса, образующие сток для силовых линий магнитного потока, возвращающегося в носитель информации. Головка «чувствует» изменение направления магнитного поля на стенках домена. Конструкция головки и принцип ее работы иллюстрируются на рис.
Чувствительный элемент головки представляет собой типичный спиновый вентиль, состоящий из двух слоев: одного — с легко изменяемой (обращаемой) намагниченностью, а другого — с фиксированной (или трудно обращаемой). Когда головка проходит над стенкой домена, направление намагниченности изменяется только в легко обращаемом слое. Вектор намагниченности мягкого слоя реагирует на исходящие от носителя информации поля, поворачиваясь либо вверх, либо вниз. Связанное с изменением направления намагниченности изменение сопротивления головки регистрируется током, проходящим через спинвентильнуюструктуру. Такиеголовки позволили достичь очень высокой плотности записи на жесткихносителях — до 25 Гбит на квадратный дюйм.
Элементы памяти, использующие эффект ГМС, объединяют в матрицы, чтобы получить совокупность элементов, функционирующих как энергонезависимая память. Принцип работы таких элементов иллюстрирует рис. 3. 42. Эти элементы являются, по существу, спинвентильными структурами, расположенными в определенной последовательности и соединенными между собой проводящими дорожками, которые образуют шины считывания. Шина считывания сохраняет информацию и имеет сопротивление, равное сумме сопротивлений составляющих ее элементов. Ток протекает по шине считывания, и усилители в конце линий обнаруживают изменение общего сопротивления.
Магнитные поля, необходимые для манипулирования намагниченностью элементов, обеспечиваются дополнительными, литографически сформированными проводящими дорожками, проходящими над и под элементами. Пересечения шины считывания этими дорожками образуют двухкоординатную (xy)сеточную структуру, в каждом пересечении которой находится запоминаю- щий элемент на гигантском магнитосопротивлении. Проводящая дорожка, проходящая параллельно шине считывания, при записи действует как словарная шина, а дорожка, пересекающая шину считывания перпендикулярно ей, действует как записывающая битовая шина. Все дорожки электрически изолированы. Когда импульсы тока проходят через словарные и битовые шины, они генерируют магнитные поля, управляющие сопротивлением элементов на ГМС.
Принцип построения энергонезависимой памяти на основе спин- зависимого туннелирования показан на рис. 3. 43. Запоминающее устройство с произвольным порядком выборки сформировано из двух ортогональных (в плоскости) массивов параллельных ферромагнитных дорожек, разделенных тонким изолирующим слоем. Каждое пересечение дорожек действует как магнитный туннельный переход. Когда векторы намагниченности двух противоположных ферромагнитных областей ориентируются внешним магнитным полем в одном направлении, туннельное сопротивление оказывается ниже, чем в случае, когда они антипараллельны. Для практического применения в устройствах памяти необходимо изменение сопротивления на величину около, по крайней мере, 30%.
Высокое сопротивление туннельных переходов препятствует использованию для считывания той же схемы, что и в запоминающем устройстве на гигантском магнитосопротивлении. Поэтому к каждому элементу присоединяют четырехзондовое измерительное устройство (по двум из четырех зондов протекает ток, а два других позволяют провести независимое измерение напряжения). Выводы такого устройства допускают его двоякое использование, так как импульсны етоки, протекающие по верхней и нижней линиям (а не через туннельный переход), могут обеспечивать магнитные поля, необходимые для манипулирования направлением намагниченности в ферромагнитных областях.
Спин-вентильный транзистор — это трехконтактный прибор, аналогичный транзистору с металлической базой. Он и его энергетическая диаграмма схематически изображены на рис. 3. 44. Базовая область транзистора содержит металлический многослойный спиновый вентиль, расположенный между двумя областями кремния с n-типом проводимости, которые играют роль эмиттера и коллектора. В такой структуре «горячий» электрон, чтобы попасть из эмиттера в коллектор, должен пройти через спин-вентильную базу. База спроектирована как обменная развязывающая спин-вентильная система. В ней два ферромагнитных материала (а именно — Ni. Fe и. Co), имеющие разные коэрцитивные силы, разделены прослойкой из немагнитного материала (Аu). Вследствие различия их коэрцитивных сил слои Ni. Fe и Co позволяют получить четко выраженную параллельную и антипараллельную ориентацию намагниченности в широком интервале температур. На границах раздела между металлической базой и полупроводниками формируются барьеры Шоттки.
В заключение следует отметить, что современное понимание спин-зависимого транспорта горячих электронов в ферромагнитных тонкопленочных структурах все еще остается неполным. Для разработки новых спинтронных приборов в первую очередь необходимо более глубокое изучение спин-зависимых механизмов рассеяния горячих электронов.
Скачать презентацию Спинтронные приборы Согласно классическим представлениям электрическое
Эффект Кондо в квантовых точках.pptx