Скачать презентацию Современные программные комплексы CAD CAM История и тенденции развития Скачать презентацию Современные программные комплексы CAD CAM История и тенденции развития

Лекция_Модел_1.pptx

  • Количество слайдов: 63

Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Российский рынок программных систем САПР в Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Российский рынок программных систем САПР в последние годы имеет устойчивую тенденцию к развитию не смотря на депрессивное состояние нашей электронной промышленности. Наблюдается расширение спектра программных продуктов, сокращение времени создания новых, более совершенных версий, активизация зарубежных компаний через расширяющуюся сеть дистрибьюторов, доступ через Internet к демонстрационным версиям на Web-серверах компаний. Это, возможно, обусловлено возросшей квалификацией пользователей, осознанием производственниками необходимости внедрения компьютерных технологий для сокращения сроков и качества проектирования. Результат - резко увеличившийся объем предложений САПР различного уровня и, прежде всего зарубежных. Наши разработки закрывают бреши, выигрывая за счет учета российских стандартов и традиций проектирования, использования русского в качестве языка общения и более узкой специализации.

Современные программные комплексы CAD/CAM. 32 -разрядная система ACCEL EDA 13. 0 выполняет полный цикл Современные программные комплексы CAD/CAM. 32 -разрядная система ACCEL EDA 13. 0 выполняет полный цикл проектирования печатных плат (ПП), включающий в себя графический ввод схем, упаковку схемы на печатную плату, ручное размещение компонентов, ручную, интерактивную и/или автоматическую трассировку проводников, контроль ошибок в схеме и печатной плате и выпуск документации. Программа SPECCTRA фирмы Cadence размещает компоненты в автоматическом режиме и трассирует платы большой сложности благодаря Shape. Based-технологии. Программа Dr. Spice 2000 A/D 8. 2 совместно с системой ACCEL EDA 13. 0 образуют сквозную систему проектирования электронных устройств, включающую в себя графический ввод схем, их моделирование, разработку печатных плат и выпуск технической документации для их изготовления.

Современные программные комплексы CAD/CAM. Design. Lab 8. 0 корпорации Micro. Sim - интегрированный программный Современные программные комплексы CAD/CAM. Design. Lab 8. 0 корпорации Micro. Sim - интегрированный программный комплекс для сквозного проектирования аналоговых, цифровых и смешанных аналого-цифровых устройств, синтеза устройств программируемой логики и аналоговых фильтров. Micro-CAP (Micro computer circuit Analysis Program) семейство программ схемотехнического моделирования на персональных компьютерах фирмы Spectrum Software. Electronics Workbench 5. 0 – отличается от других программ схемотехнического моделирования пользовательским интерфейсом. Источники входных сигналов и измерительные приборы изображаются на экране дисплея с максимальным приближением к реальности. APLAC 7. 0 – универсальная программа моделирования электрических схем и систем. В состав последних могут входить как аналоговые, так и цифровые компоненты, в том числе устройства СВЧ.

Современные программные комплексы CAD/CAM. • System View 1. 9 – представляет собой программу моделирования Современные программные комплексы CAD/CAM. • System View 1. 9 – представляет собой программу моделирования функциональных схем из набора стандартных модулей. • Workview Office 3. 0 фирмы Viewlogic Systems - система проектирования цифровых устройств. В дополнение к стандартному набору средств САПР, таких как графический ввод электронных схем, моделирование, анализ временных диаграмм, Workview Office включает в себя современные программы Speed. Wave и моделирование устройств на языках VHDL и Verilog, MOTIVE и XTK фирмы Quad Design (моделирование с учетом временных задержек и анализ целостности сигналов) и многое другое В целом не возможно однозначно отдать пpедпочтение одной из систем пpоектиpования, все они имеют свои сильные и слабые стоpоны.

Современные программные комплексы CAD/CAM. MAX+PLUSII (фирма ALTERA) – система проектирования и программирования цифровых устройств Современные программные комплексы CAD/CAM. MAX+PLUSII (фирма ALTERA) – система проектирования и программирования цифровых устройств в базисе FLEX/MAX/ Classic PLD фирмы ALTERA. САПР ПЛИС “ФОРС+” (центр “Логические системы”, г. Москва) система проектирования и отладки цифровых логических устройств в базисе программируемых логических интегральных схем. Complab Professional – система структурного моделирования радиотехнических устройств, разработана в Нижегородском политехническом институте. В основу этой системы положено представление математической модели исследуемого объекта в виде структурной схемы, состоящей из набора определенным образом соединенных функциональных блоков. Радиолаборатория (Центр Интеллектуальных Систем “МЕТОД”, г. Москва) - исследование аналоговых радиоэлектронных схем

Современные программные комплексы CAD/CAM. • QUARTUS-II – система проектирования и программирования цифровых устройств фирмы Современные программные комплексы CAD/CAM. • QUARTUS-II – система проектирования и программирования цифровых устройств фирмы ALTERA. • САПР ПЛИС “ФОРС+” (центр “Логические системы”, г. Москва) система проектирования и отладки цифровых логических устройств в базисе программируемых логических интегральных схем. • Complab Professional – система структурного моделирования радиотехнических устройств, разработана в Нижегородском политехническом институте. В основу этой системы положено представление математической модели исследуемого объекта в виде структурной схемы, состоящей из набора определенным образом соединенных функциональных блоков. • Радиолаборатория (Центр Интеллектуальных Систем “МЕТОД”, г. Москва) - исследование аналоговых радиоэлектронных схем • MACAD (разработка НПО автоматики) - сквозная универсальная САПР микроэлектронной аппаратуры

Современные программные комплексы CAD/CAM. • САПР динамических систем управления (кафедра автоматики и информационных технологий Современные программные комплексы CAD/CAM. • САПР динамических систем управления (кафедра автоматики и информационных технологий УГТУ) - открытая система моделирования для применений в промышленности и научных исследованиях. Состоит из ряда подсистем. Подсистема моделирования и представления объектов на ЭВМ включает: графическое представление систем структурными, функциональными и принципиальными электрическими схемами; текстовое описание динамических систем на языке, близком к естественному научно-инженерному, позволяющее формировать описание практически любых физических объектов дифференциально-разностными уравнениями; включение экспериментальных и табличных данных нелинейных функциональных зависимостей с произвольным числом переменных в описание объектов; графическое представление результатов моделирования, анализа и

Современные программные комплексы CAD/CAM. Почему не используем? Современные программные комплексы CAD/CAM. Почему не используем?

Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Or. CAD Capture — графический редактор, Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Or. CAD Capture — графический редактор, предназначенный для создания моделей электрических схем из моделей элементов. Or. CAD Capture CIS (Component Information System) PSpice Schematics -- графический редакторв среде Design Lab 8. 0. (является предшественницей Or. CAD 9. 2) Or. CAD PSpice — программа моделирования в среде Or. CAD. В Or. CAD применяются три версии Or. CAD PSрice: Or. CAD Pspice Or. CAD PSpice A/D Basic Or. CAD PSpice A/D

Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Or. CAD Probe — программа, позволяющая Современные программные комплексы CAD/CAM. История и тенденции развития Or. CAD Probe — программа, позволяющая осуществлять обработку результатов моделирования в виде осциллограмм. Or. CAD PSpice Model Editor — программа, предназначенная для создания и редактирования математических моделей электронных элементов. Or. CAD Stimulus Editor— программа, использующаяся при создании и редактировании моделей источников сигналов. Or. CAD PSpice Optimizer— программа параметрической оптимизации режимов работы моделей методом наискорейшего спуска.

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD Ishot. lib - Mультивибраторы 74 ac. lib - Состав стандартных библиотек среды Or. CAD Ishot. lib - Mультивибраторы 74 ac. lib - Цифровые устройства 74 act. lib 74 als. lib 74 as. lib 74 f. lib 74 hct. lib 74 ls. lib 74 s. Iib 7400. lib adv_lin. lib - Операционные усилители ana_swit. lib - Ключи аналоговых сигналов analog. lib - Аналоговые элементы anlg_dev. lib - Analog Device In apex. Lib - Мощные ОУ фирмы Apex apexpwm. lib – ШИМ фирмы Apex bipolar. lib buffer. lib burr_brn. lib – ОУ фирмы Burr- Brown Corp. burrbn. lib - разное фирмы Burr- Brown Corp. cd 4000. lib eel. lib cmos. lib comlin. lib - ОУ фирмы Comlinear

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD comlinr. lib cur_regs. Iib darlngtn. lib dc_prim. lib Состав стандартных библиотек среды Or. CAD comlinr. lib cur_regs. Iib darlngtn. lib dc_prim. lib dig_ecl. lib dig_gal. lib dig_io. lib dig_misc. lib dig_pal. lib dig_prim. Iib diode. lib ebipolar. lib eel. lib ediode. lib elantec. lib epwrbjt. lib fairch. Iib fitsub. lib fwbell. lib Операционные усилители фирмы Comlinear Регуляторы тока Транзисторы Дарлингтона Цифроаналоговые преобразователи Различные цифровые устройства Модели интерфейса А/Ц и Ц/А цифровых устройств Цифровые примитивы Цифровые устройства Различные цифровые устройства Диоды (Европа) Биполярные транзисторы (Европа) Различные цифровые устройства Диоды Операционные усилители, транзисторы фирмы Elantec Inc. Силовые биполярные транзисторы MOSFET фирмы Fairchild Различные устройства Модели генераторов фирмы F. W. Bell

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD gensemi. lib harhip. lib harprmos. lib harris. lib Состав стандартных библиотек среды Or. CAD gensemi. lib harhip. lib harprmos. lib harris. lib hpdiode. lib igbt. lib Infineon. lib intersil. lib irf. Iib jbipolar. lib jdiode. lib jfet. lib JUfet. lib jopamp. lib Диоды и диодные сборки фирмы Harris Semiconductor Силовые MOSFET фирмы Harris Semiconductor ОУ, транзисторы, силовые MOSFET, драйверы фирмы Harris Диоды IGBT Полупроводники фирмы Infineon Тепловые модели различных устройств Продукция фирмы International Rectifier Биполярные транзисторы (Япония) Диоды, стабилитроны (Япония) JFET (Япония) Операционные усилители

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD jpwrbjt. lib jpwrmos. lib linear. lib lin_tech. lib Состав стандартных библиотек среды Or. CAD jpwrbjt. lib jpwrmos. lib linear. lib lin_tech. lib magnetic. lib maxim. lib mix_misc. lib mosfet. lib motor_rf. lib motoramp. lib motormos. lib motorsen. lib nat_semi. iib nation. lib opamp. lib opto. lib phil_bjt. lib phil_fet. lib phil_rf. lib Силовые биполярные транзисторы (Япония) Силовые MOSFET (Япония) Линейные операционные усилители и компараторы напряжения Операционные усилители фирмы Linear Technology Corp. Ферромагнитные сердечники трансформаторов Операционные усилители и компараторы фирмы Maxim Устройства электромеханики MOSFET Радиочастотные биполярные транзисторы фирмы Motorola Операционные усилители фирмы Motorola MOSFET фирмы Motorola Датчики давления фирмы Motorola Операционные усилители фирмы National Semiconductor Различные устройства фирмы National Semiconductor Операционные усилители Оптоэлектронные пары Маломощные транзисторы фирмы Philips Полевые транзисторы фирмы Philips Радиочастотные биполярные транзисторы фирмы Philips

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD polyfet. lib pwrbjt. lib pwrmos. lib rectifie. lib Состав стандартных библиотек среды Or. CAD polyfet. lib pwrbjt. lib pwrmos. lib rectifie. lib shindngn. lib Siemens. lib source, lib swit_rav. lib tex_inst. lib thyristr. lib tj. lib tline. lib xtal. lib zetex. lib Радиочастотные MOSFET фирмы POLYFET RF Devices Мощные биполярные транзисторы Мощные MOSFET Выпрямители Диоды и диодные мосты фирмы Shindengen Продукция фирмы Siemens Источники сигналов Переключатели ОУ и компараторы напряжения фирмы Texas Instruments Тиристоры Различные устройства Длинные линии Кварцевые резонаторы Диоды, биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, MOSFET фирмы Zetex Inc.

Состав стандартных библиотек среды Or. CAD polyfet. lib pwrbjt. lib pwrmos. lib rectifie. lib Состав стандартных библиотек среды Or. CAD polyfet. lib pwrbjt. lib pwrmos. lib rectifie. lib shindngn. lib Siemens. lib source, lib swit_rav. lib tex_inst. lib thyristr. lib tj. lib tline. lib xtal. lib zetex. lib Радиочастотные MOSFET фирмы POLYFET RF Devices Мощные биполярные транзисторы Мощные MOSFET Выпрямители Диоды и диодные мосты фирмы Shindengen Продукция фирмы Siemens Источники сигналов Переключатели ОУ и компараторы напряжения фирмы Texas Instruments Тиристоры Различные устройства Длинные линии Кварцевые резонаторы Диоды, биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, MOSFET фирмы Zetex Inc.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ по постоянному току позволяет получать характеристики схемы (токи, Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ по постоянному току позволяет получать характеристики схемы (токи, напряжения, мощности) при изменении параметров источников напряжения, источников тока, глобальных параметров схемы, параметров модели и температуры элемента. При анализе задаются интервалы изменения перечисленных параметров, характер их изменения (линейный, логарифмический с основанием 10 и с основанием 8) и шаг изменения. Возможно также табличное задание изменения перечисленных параметров. Существует возможность одновременного изменения двух параметров.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ по переменному току позволяет производить построение амплитудно-частотных характеристик Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ по переменному току позволяет производить построение амплитудно-частотных характеристик схемы (токи, напряжения, мощности и т. д. ). Анализ производится от источника переменного тока IAC или источника переменного напряжения VAC, для которого указываются амплитудное значение переменной составляющей и величина постоянной составляющей (в частном случае может быть принята равной нулю). При анализе задаются минимальное значение частоты, максимальное значение частоты и, для линейного значения частоты, общее число точек, а для логарифмического закона изменения частоты — число точек на декаду либо октаву.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ шумов позволяет рассчитывать входную и выходную спектральные плотности Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ шумов позволяет рассчитывать входную и выходную спектральные плотности шумов. Анализ производится от источника переменного тока или напряжения, для которого указываются амплитудное значение переменной составляющей и величина постоянной составляющей. При анализе задаются элемент, на котором будет рассматриваться выходное напряжение шумов, наименование используемого источника и интервал расчета парциальных уровней шума. Анализ шумов является составной частью анализа по переменному току. Результатом анализа являются кривые спектральных плотностей по входу и выходу.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ переходных процессов позволяет получать значения характеристик схемы (токов, Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ переходных процессов позволяет получать значения характеристик схемы (токов, напряжений, мощностей и т. д. ) при переходном процессе. Анализ переходных процессов всегда начинается с момента времени t = 0. Указывается время окончания анализа переходного процесса и максимальный шаг интегрирования (пользователем или по умолчанию).

Функциональные возможности среды Or. CAD Фурье-анализ позволяет осуществить разложение функций, полученных в результате анализа Функциональные возможности среды Or. CAD Фурье-анализ позволяет осуществить разложение функций, полученных в результате анализа переходного процесса в ряд Фурье. В среде Or. CAD применяется быстрое преобразование Фурье. Для проведения анализа необходимо задать частоту первой гармоники, количество гармоник (не более 100, по умолчанию — 10) и список переменных, спектр которых надо рассчитать. В результате получаются зависимости амплитуд гармоник спектральных характеристик соответствующих функций от частоты в заданном диапазоне.

Функциональные возможности среды Or. CAD Параметрический анализ позволяет осуществить ряд итераций, во время которых Функциональные возможности среды Or. CAD Параметрический анализ позволяет осуществить ряд итераций, во время которых производится расчет некоторой функции цепи (I, U и т. д. ) во время переходного процесса или анализа по постоянному или переменному току при скачкообразном изменении задаваемого пользователем глобального параметра, параметра модели, величины компонента или рабочей температуры. За один цикл достигается эффект, эквивалентный просчету переходного процесса схемы столько раз, сколько раз изменяется заданный параметр. В результате выдается семейство кривых переходного процесса анализируемой функции, при этом количество кривых равно числу изменений величины заданного параметра.

Функциональные возможности среды Or. CAD Температурный анализ позволяет осуществить расчет схемы при разных заданных Функциональные возможности среды Or. CAD Температурный анализ позволяет осуществить расчет схемы при разных заданных температурах окружающей среды (по умолчанию температура окружа ющей среды равняется 27 градусам Цельсия). В результате выдаются соответствующие функции анализируемой схемы (токи, напряжения и т. д. ) при заданных температурах.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ разброса параметров методом Монте-Карло позволяет получить некоторые схемные Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ разброса параметров методом Монте-Карло позволяет получить некоторые схемные функции (токи, напряжения и т. д. ) при изменении параметра некоторого элемента схемы по задаваемому закону с использованием различных типов генераторов случайных чисел (всего имеется 10 различных генераторов). Результатом анализа по методу Монте-Карло являются гистограммы изменения соответствующих схемных функций по отношению к номинальному значению.

Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ чувствительности методом наихудшего случая предназначен для определения возможного Функциональные возможности среды Or. CAD Анализ чувствительности методом наихудшего случая предназначен для определения возможного наихудшего значения некоторой схемной функции, если заданы диапазоны разброса параметров схемы. При этом рассматриваются все возможные комбинации изменения параметров в пределах разброса и определяется величина наихудшего значения рассматриваемой схемной функции. Результатом анализа чувствительности методом наихудшего случая является нахождение наибольшего или наименьшего отклонения рассматриваемой схемной функции от номинального значения.

Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 1. Создание проекта. Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 1. Создание проекта. • Analog or Mixed A/D • PC Board Wizard • Schematic 2. Тип проекта планарный —в котором все элементы модели указываются на принципиальной схеме без применения блоков; иерархический — проект, в котором допускается на принципиальной схеме модели указывать как собственно элементы, так и иерархические блоки

Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 3. Разработка моделей Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 3. Разработка моделей элементов (если моделей нужных элементов не имеется в наличии). При этом предоставляются две возможности: • создание модели в редакторе Model Editor, с использованием необходимой справочной информации, зависящей от типа модели; • создание модели в текстовом файле, путем разработки подсхемы, с использованием необходимой технической информации. Уровень разрабатываемой модели при этом определяется пользователем

Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 4. Создание схемы Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 4. Создание схемы проекта. В редакторе Capture создается моделируемая схема, на основе моделей элементов из библиотек. 5. Создание профиля моделирования. Процедура, предшествующая моделированию, автоматически обеспечивающая передачу проекта из Capture в PSpice и требующая задать имя профиля моделирования. 6. Выбор необходимых видов анализа. На этом этапе выбирается вид анализа. 7. Задание опций анализа. 8. Запуск моделирования.

Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 9. Обработка ошибок. Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD 9. Обработка ошибок. В случае, если в запущенной на моделирование схеме имеются формальные ошибки, на экран выдается сообщение о наличии ошибок, а в текстовый файл — их перечень и, в некоторых случаях, рекомендации по устранению. 10. Собственно процесс моделирования. 11. Просмотр и обработка результатов моделирования.

Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD Среда Or. CAD Вспомним основные этапы при моделировании электронной схемы в среде Or. CAD Среда Or. CAD позволяет импортировать проекты, созданные в других средах моделирования, например Micro. Sim.

Spice - формальное описание языка Система Spice предназначена для моделирования электрических процессов, протекающих в Spice - формальное описание языка Система Spice предназначена для моделирования электрических процессов, протекающих в электрических схемах. Математическая модель электрической схемы формируется на основе моделей элементов и схемы их соединений. Если в электрической схеме функционального узла заменить все элементы схемы их топологическими моделями, то получим топологическую модель этого узла. На основе топологической модели узла строится его аналитическая модель, представляющая собой систему уравнений.

Spice - формальное описание языка Существуют два основных метода перехода от топологической модели схемы Spice - формальное описание языка Существуют два основных метода перехода от топологической модели схемы к аналитической модели - это метод переменных состояния и метод узловых потенциалов. В большинстве используемых на сегодняшний день подсистемах схемотехнического моделирования, в том числе и системе Spice, применяется метод узловых потенциалов и его модификации. Различают математические модели схемы в статическом режиме (DС), временной (Transient) и частотной областях (AC).

Spice - формальное описание языка В системе моделирования Spice исходные данные для расчета делятся Spice - формальное описание языка В системе моделирования Spice исходные данные для расчета делятся на три раздела: 1. Инструкции, описывающие топологию электрической схемы и значения элементов. 2. Инструкции, описывающие параметры моделей элементов схемы. 3. Инструкции, описывающие задание на расчет, включающие вид расчета и его параметры.

Spice - формальное описание языка Первая инструкция в исходных данных является заголовком рассчитываемой схемы, Spice - формальное описание языка Первая инструкция в исходных данных является заголовком рассчитываемой схемы, а последняя инструкция - ". END" указывает на окончание описания схемы. Порядок следования инструкций в исходных данных произвольный, кроме строк, являющихся продолжением инструкций, которые должны следовать строго за началом инструкции.

Spice - формальное описание языка Поля в инструкциях могут разделяться пробелами, знаком запятая Spice - формальное описание языка Поля в инструкциях могут разделяться пробелами, знаком запятая ", ", знаком равно "=" и левой "(" и правой ")" скобками. Инструкции могут записываться на нескольких строках. В этом случае в строке продолжения первым символом записывается знак "+". Нумерация узлов при описании топологии схемы осуществляется в произвольном порядке, однако узел "земля", относительно которого будут отсчитываться потенциалы остальных узлов, должен иметь номер "0". Каждый узел должен быть гальванически связан с "землей".

Cозданиe входного файла схемы Остальные узлы должны иметь цифровую или буквенную маркировку. Выберите имя Cозданиe входного файла схемы Остальные узлы должны иметь цифровую или буквенную маркировку. Выберите имя вводного файла - *. cir. Расширение *. cir указывает на схемный файл. Включите в файл команду для каждого компонента схемы. Команды для компонентов могут идти в произвольной последовательности, однако первой командой входного файла должно идти название или описание. Если на первой строке будет описание компонента, оно будет воспринято как название. Последней должна быть команда. END (набранная в нижнем или верхнем регистре).

Cозданиe входного файла схемы К основным видам расчета относятся: 1. расчет в статическом режиме Cозданиe входного файла схемы К основным видам расчета относятся: 1. расчет в статическом режиме (DC), т. е. определение напряжений, токов, мощностей в момент, когда все переходные процессы в схеме установились; 2. расчет переходных процессов (Transient), т. е. определение напряжений, токов, мощностей как функций времени в диапазоне от t = 0 до t = Ткон; 3. расчет частотных характеристик (AC), т. е. определение АЧХ, ФЧХ, ЛАЧХ в диапазоне частот от f = Fнач до f = Fкон. При этом схема моделируется в режиме малого сигнала.

Cозданиe входного файла схемы Значение 10 -15 10 -12 10 -9 10 -6 10 Cозданиe входного файла схемы Значение 10 -15 10 -12 10 -9 10 -6 10 -3 25, 4 x 10 -6 103 106 109 1012 Буквенное обозначение F P N U M MIL К Экспоненциальная форма 1 Е-15 1 Е-12 1 Е-9 1 Е-6 1 Е-3 125, 4 Е-16 1 Е 3 MEG 1 Е 6 G 1 Е 9 T 1 Е 12

Для моделирования в Spice все узлы должны быть помечены номерами (или буквами). Узлы помечены Для моделирования в Spice все узлы должны быть помечены номерами (или буквами). Узлы помечены номерами от 0 до 3. Должен присутствовать также опорный (нулевой) узел, помеченный цифрой 0.

Cозданиe входного файла схемы Описание конденсатора : С 4 5 25 NF Это означает, Cозданиe входного файла схемы Описание конденсатора : С 4 5 25 NF Это означает, что конденсатор подсоединен к узлам 4 и 5 и емкость его составляет 25 н. Ф (нанофарад). Можно упростить запись, представив единицы в оптимальной форме: С 4 5 25 п или С 4 5 25 Е-9

Cозданиe входного файла схемы Описание R 3 2 3 33 kiloohms очевидно, описывает резистор Cозданиe входного файла схемы Описание R 3 2 3 33 kiloohms очевидно, описывает резистор сопротивлением 33 к. Ом (килоома), включенный между узлами 2 и 3. Правильной является при этом и следующая запись: R 3 2 3 33 k

Cозданиe входного файла схемы Независимый источник напряжения может быть представлен в форме: V 1 Cозданиe входного файла схемы Независимый источник напряжения может быть представлен в форме: V 1 О 40 V Символ V после значения 40 указывает обычно на источник постоянного напряжения. Другая форма записи: V 1 0 40

Для моделирования в Spice все узлы должны быть помечены номерами (или буквами). Узлы помечены Для моделирования в Spice все узлы должны быть помечены номерами (или буквами). Узлы помечены номерами от 0 до 3. Должен присутствовать также опорный (нулевой) узел, помеченный цифрой 0.

Для ввода схемы в pspice A/D выберите позиции меню File, New, Text File. Появится Для ввода схемы в pspice A/D выберите позиции меню File, New, Text File. Появится пустое окно, позволяющее ввести текст. Наберите текст: First Circuit for Pspice VS 1 0 24 V Rl 1 2 10 R 2 2 0 Ik R 3 2 3 300 R 4 3 0 500. OPT nopage. OP. END

Cозданиe входного файла схемы First Circuit for Pspice VS 1 0 24 V Rl Cозданиe входного файла схемы First Circuit for Pspice VS 1 0 24 V Rl 1 2 10 R 2 2 0 Ik R 3 2 3 300 R 4 3 0 500. OPT nopage. OP. END

Cозданиe входного файла схемы Важно: не нажимайте ENTER после ввода последней строки (. END)! Cозданиe входного файла схемы Важно: не нажимайте ENTER после ввода последней строки (. END)! Если сделать это, то программа решит, что вы хотите приступить к следующему анализу. Используйте поля меню File, Save, чтобы сохранить входной файл. Важно: использовать расширение *. cir.

Spice - формальное описание языка Система Spice может моделировать электрические схемы, содержащие: • резисторы, Spice - формальное описание языка Система Spice может моделировать электрические схемы, содержащие: • резисторы, конденсаторы, индуктивности, • независимые источники напряжения и тока, • пять типов зависимых источников, • длинные линии, ключи пять типов полупроводниковых приборов: • диоды, биполярные транзисторы (BJT), • полевые транзисторы (JFET), • арсенид - галлиевые транзисторы (MESFET) и • МОП - транзисторы (MOSFET).

Spice - формальное описание языка Резистор Инструкция для описания резистора: RXXXXXXX N 1 N Spice - формальное описание языка Резистор Инструкция для описания резистора: RXXXXXXX N 1 N 2 VALUE Примеры: R 1 1 2 100 RC 1 12 17 1 K N 1 и N 2 - узлы включения резистора в схеме. VALUE - сопротивление резистора в Омах, может быть как положительным, так и отрицательным, но не может быть нулевым.

Spice - формальное описание языка Конденсатор Инструкция для описания конденсатора: CXXXXXXX N+ N- VALUE Spice - формальное описание языка Конденсатор Инструкция для описания конденсатора: CXXXXXXX N+ N- VALUE Примеры: CBYP 13 0 1 UF COSC 17 23 10 U IC=3 V N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения конденсатора соответственно. VALUE емкость конденсатора в Фарадах. IC - значение напряжения на конденсаторе (в Вольтах) в момент времени t=0, действует только если в инструкции TRAN установлен флаг UIC.

Spice - формальное описание языка Индуктивность Инструкция для описания индуктивности: LYYYYYYY N+ N- VALUE Spice - формальное описание языка Индуктивность Инструкция для описания индуктивности: LYYYYYYY N+ N- VALUE Примеры: LLINK 42 69 1 UH LSHUNT 23 51 10 U IC=15. 7 MA N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения индуктивности соответственно. VALUE значение индуктивности в Генри. IC - значение тока в индуктивности (в Амперах) в момент времени t=0, действует только если в инструкции TRAN установлен флаг UIC.

Spice - формальное описание языка Взаимная индуктивность Инструкция для описания взаимной индуктивности: KXXXXXXX LYYYYYYY Spice - формальное описание языка Взаимная индуктивность Инструкция для описания взаимной индуктивности: KXXXXXXX LYYYYYYY LZZZZZZZ VALUE Примеры: K 43 LAA LBB 0. 999 KXFRMR L 1 L 2 0. 87 LYYYYYYY и LZZZZZZZ - имена взаимных индуктивностей. VALUE коэффициент связи K, который может изменяться от 0 до 1.

Spice - формальное описание языка Независимые источники напряжения и тока Инструкция для описания независимых Spice - формальное описание языка Независимые источники напряжения и тока Инструкция для описания независимых источников: VXXXXXXX N+ N- < DC/TRAN VALUE> >> IYYYYYYY N+ N- < DC/TRAN VALUE> >> Примеры: VCC 10 0 DC 6 VIN 13 2 0. 001 AC 1 SIN(0 1 1 MEG) VMEAS 12 9 N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения соответственно. DC- значение источника в расчете статического режима. TRAN - функция, описывающая источник во временной области. ACMAG - значение амплитуды и ACPHASE - значение фазы источника в при расчете в частотной области.

Spice - формальное описание языка Импульсная функция Формат: PULSE(V 1 V 2 TD TR Spice - формальное описание языка Импульсная функция Формат: PULSE(V 1 V 2 TD TR TF PW PER) Пример: VIN 3 0 PULSE(-1 1 2 NS 2 NS 50 NS 100 NS) Обозна Параметр чение Значение по умолчанию Таблица Единицы измерения V 1 Начальное значение Ви. А V 2 Максимальное значение Ви. А TD Начало переднего фронта 0. 0 C TR Длительность переднего фронта TSTEP C TF Длительность заднего фронта TSTEP C PW Ширина импульса TSTEP C PER Период TSTEP C

Spice - формальное описание языка Кусочно-линейная функция Формат: PWL(T 1 V 1 <T 2 Spice - формальное описание языка Кусочно-линейная функция Формат: PWL(T 1 V 1 ) Пример: VCLOCK 7 5 PWL(0 -7 10 NS -7 11 NS -3 17 NS -3 18 NS -7 50 NS -7) Каждая пара значений (Ti, Vi) является координатами точек, через которые проходит функция. Соседние точки соединяются прямыми линиями.

Spice - формальное описание языка Синусоидальная функция с частотной модуляцией Формат: SFFM(VO VA FC Spice - формальное описание языка Синусоидальная функция с частотной модуляцией Формат: SFFM(VO VA FC MDI FS) Пример: V 1 12 0 SFFM(0 1 M 20 K 5 1 K) Таблица Обозна Параметр чение Значение по умолчанию Единицы измерения VO Постоянная составляющая Ви. А VA Амплитуда Ви. А FC Частота несущей MDI Индекс частотной модуляции FS Частота модуляции 1/TSTOP Гц

Spice - формальное описание языка Источник тока, управляемый напряжением Вид: GXXXXXXX N+ N- NC+ Spice - формальное описание языка Источник тока, управляемый напряжением Вид: GXXXXXXX N+ N- NC+ NC- VALUE Пример: G 1 2 0 5 0 0. 1 MMHO N+ и N- узлы включения источника. NC+ и NC- положительный и отрицательный узлы управляемого напряжения. VALUE - значение крутизны.

Spice - формальное описание языка Источник напряжения, управляемый напряжением Вид: ЕXXXXXXX N+ N- NC+ Spice - формальное описание языка Источник напряжения, управляемый напряжением Вид: ЕXXXXXXX N+ N- NC+ NC- VALUE Пример: Е 1 2 0 5 0 0. 1 MMHO N+ и N- узлы включения источника. NC+ и NC- положительный и отрицательный узлы управляемого напряжения. VALUE - значение коэффициента усиления.

Spice - формальное описание языка Источник тока, управляемый током Вид: FXXXXXXX N+ N- VNAM Spice - формальное описание языка Источник тока, управляемый током Вид: FXXXXXXX N+ N- VNAM VALUE Пример: F 1 13 5 VSENS 5 N+ и N- узлы включения источника. VNAM - имя ветви в которой протекает управляемый ток. VALUE - значение коэффициента усиления тока.

Spice - формальное описание языка Источник напряжения, управляемый током Вид: HXXXXXXX N+ N- VNAM Spice - формальное описание языка Источник напряжения, управляемый током Вид: HXXXXXXX N+ N- VNAM VALUE Пример: HX 5 17 VZ 0. 5 K N+ и N- узлы включения источника. VNAM - имя ветви в которой протекает управляемый ток. VALUE - значение коэффициента передачи сопротивления.

Spice - формальное описание языка Нелинейный зависимый источник Вид: BXXXXXXX N+ N- I=EXPR V=EXPR Spice - формальное описание языка Нелинейный зависимый источник Вид: BXXXXXXX N+ N- I=EXPR V=EXPR Примеры: B 1 0 1 I=cos(v(1))+sin(v(2)) B 1 0 1 V=ln(cos(log(v(1, 2)^2)))-v(3)^4+v(2)^v(1) B 1 3 4 I=17 B 1 3 4 V=exp(pi^i(vdd)) N+ и N- узлы включения источника. V и I – определяют тип зависимого источника и функцию закона управления. I - источником тока, V - источник напряжения. V и I могут быть функцией напряжений узлов и токов ветвей. аbs(), asinh(), cosh(), sin(), acos(), atan(), exp(), и тд- функции, которые можно использовать в выражении для V и I. В выражения допустимы операции +, -, *, /, ^.

Spice - формальное описание языка Диод ид: DXXXXXXX N+ N- MNAME <AREA> <IC=VD> <TEMP=T> Spice - формальное описание языка Диод ид: DXXXXXXX N+ N- MNAME Примеры: DBRIDGE 2 10 DIODE 1 DCLMP 3 7 DMOD 3. 0 IC=0. 2 N+ и N- узел анода и узел катода соответственно. MNAME -имя модели. AREA - коэффициент кратности, по умолчанию = 1. IC=VD - позволяет задать начальное значение напряжение на диоде, если в инструкции TRAN указана опция UIC. TEMP - значение температуры диода.

Spice - формальное описание языка Диод Вид: DXXXXXXX N+ N- MNAME <AREA> <IC=VD> <TEMP=T> Spice - формальное описание языка Диод Вид: DXXXXXXX N+ N- MNAME Примеры: DBRIDGE 2 10 DIODE 1 DCLMP 3 7 DMOD 3. 0 IC=0. 2 N+ и N- узел анода и узел катода соответственно. MNAME -имя модели. AREA - коэффициент кратности, по умолчанию = 1. IC=VD - позволяет задать начальное значение напряжение на диоде, если в инструкции TRAN указана опция UIC. TEMP - значение температуры диода.