Слоевое сопротивление
Слоевое сопротивление вычисляется как обратная величина средней проводимости слоя, получаемой из уравнения , (1) где y 1 и y 2 определяют границы слоя (измеренные от верхней поверхности кремниевой подложки); q - элементарный заряд; N(y) - чистая концентрация носителей; (С) - соответствующая подвижность носителей, которая является функцией полной концентрацией примеси.
Концентрация заряженных примесей вычисляется в предположении, что она равна полной концентрации, за исключением мышьяка, для которого предполагается, что только атомы, не входящие в кластеры, вносят вклад в образование носителей зарядов, а также для фосфора, для которого концентрация электронов n связывается с атомарной концентрацией примеси C посредством следующего выражения: Оба эти исключения важны для сильно легированных состояний.
Слоевое сопротивление вычисляется для всех слоев отдельных типов примеси, которые получаются в результате моделирования технологических процессов. Например, в случае моделирования, результатом которого является n-p-n слоевая структура, вычисляются три значения слоевого сопротивления: а) n-слой от поверхности кремния до n-p перехода; b) p-слой от первого (n-p) до второго (p-n) перехода; c) n-слой от второго (p-n) перехода до конца моделируемой области. Слоевое сопротивление области, ограничивающей конец пространства моделирования, может и не иметь физического смысла. Слоевое сопротивление среднего слоя в приведенном выше примере, который можно интерпретировать как пинч-резистор базы, может быть завышено, так как обедненные области в этих расчетах не рассматриваются.
Скачать презентацию Слоевое сопротивление Слоевое сопротивление вычисляется как обратная
Слоевое сопротивление.pptx