Салимов Ильнур Мифтахов Данил транзистор
Изобретение транзистора 16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, вместе с теоретиком Джоном. Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Венкель представили разработанный во Франции точечный транзистор . Но точечный транзистор оказался тупиковой ветвью развития электроники. Ему на смену пришли германиевые плоскостные транзисторы. Теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора создал в 1948— 1950 годах Уильям Шокли. Первый плоскостной транзистор был изготовлен 12 апреля 1950 года методом выращивания из расплава.
Транзистор - электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три или более вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Транзисторы составляют два основных крупных класса: униполярные транзисторы и биполярные транзисторы.
В униполярных транзисторах протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака — электронами или дырками. По физической структуре и механизму работы делятся на 2 группы: -Первая- с р—n-переходом или переходом металл — полупроводник. - Вторая- с управлением посредством изолированного электрода (затвора)
В биполярных транзисторах ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Он представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: Средняя область (её обычно делают очень тонкой) — порядка нескольких мкм, называется базой, две другие — эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (р—n- переходами). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.
Скачать презентацию Салимов Ильнур Мифтахов Данил транзистор Изобретение транзистора
транзистор.pptx