Скачать презентацию РГЗ по Твердотельной электронике Вопрос 24 Режимы
РГЗ Дьяков.pptx
- Количество слайдов: 7
РГЗ по Твердотельной электронике Вопрос № 24 Режимы работы биполярных транзисторов – отсечки, насыщения и активного режима Факультет: РЭФ Группа: РН 1 -01 Студент: Дьяков С. В. Преподаватель: Каменская А. В. Новосибирск, 2012
Вопрос № 1 Укажите график распределения концентрации электронов n-p-n транзистора в режиме отсечки. А В Б Г
Вопрос № 2 Выберите верное утверждение А В режиме отсечки уровень инжекции эмиттерного перехода выше уровня инжекции коллекторного перехода Б В режиме насыщения инжекция отсутствует В В активном режиме эмиттерный переход инжектирует носители, коллекторный экстрагирует. Г В активном режиме инжекция отсутствует
Правильный ответ!!! В начало теста Следующий вопрос
Неправильный ответ!!! Попробовать еще раз
Неправильный ответ!!! Попробовать еще раз
Правильный ответ!!! В начало теста