Резонансное туннелирование в наноструктурах Граничная частота диода. Резонансно-туннельный диод. Магнитотуннельная спектроскопия. Поляроны. Туннелирование в квантовых точках.
Диод с ОДС dI = dIc dI = wCdVсм w = (С дVсм/дI)-1
Резонансно-туннельный диод
Резонансное туннелирование в приближении туннельного гамильтониана Золотое правило Ферми z Закон сохранения энергии Закон сохранения поперечного импульса Условие РТ
Резонансное 3D-2D и 2D-2D туннелирование z EFe EFc
Калибровка Ландау В планарном магнитном поле сохраняется планарная компонента обобщенного импульса при Условие резонансного туннелирования В силу эффекта Штарка Магнитотуннельная спектроскопия
Л. Д. Ландау, С. И. Пекар, ЖЭТФ 18, 419 (1948). Rp – радиус полярона Поляроны
Резонансное туннелирование в поляронные состояния Особенности, неописываемые СОФТ: Слабая зависимость фононных реплик от магнитного поля объясняется слабой дисперсией поляронов. Антикроссинг особенностей – результат антикроссинга в спектре поляронов.
Эксперимент
Асимметричный РТД Асимметричный наноРТД НаноРТД
Кулоновская блокада и туннельный экситон