Резонансное туннелирование в наноструктурах 1 2 3 4

Резонансное туннелирование в наноструктурах 1. 2. 3. 4. 5. Граничная частота диода. Резонансно-туннельный диод. Магнитотуннельная спектроскопия. Поляроны. Туннелирование в квантовых точках.

Диод с ОДС d. I = d. I c d. I = w. Cd. Vсм w = (С д. Vсм/д. I)-1

Резонансно-туннельный диод

Резонансное туннелирование в приближении туннельного гамильтониана Золотое правило Ферми z Закон сохранения энергии Закон сохранения поперечного импульса Условие РТ

Резонансное 3 D-2 D и 2 D-2 D туннелирование z EFc EFe

Магнитотуннельная спектроскопия В планарном магнитном поле сохраняется планарная компонента обобщенного импульса Калибровка Ландау при Условие резонансного туннелирования В силу эффекта Штарка

Поляроны Rp – радиус полярона Л. Д. Ландау, С. И. Пекар, ЖЭТФ 18, 419 (1948).

Резонансное туннелирование в поляронные состояния Особенности, неописываемые СОФТ: 1. Слабая зависимость фононных реплик от магнитного поля объясняется слабой дисперсией поляронов. 2. Антикроссинг особенностей – результат антикроссинга в спектре поляронов.

Эксперимент

Нано. РТД Асимметричный нано. РТД

Кулоновская блокада и туннельный экситон