Расчет параметров слоев Ом см Ом

Расчет параметров слоев

[Ом·см]

[Ом/ ] N(hслоя) = Nподл, N(hслоя) = Nэпитакс Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)

Диффузия в полуограниченную область Случай неограниченного источника примеси N(x, t) = Ns erfc (x/L) Случай ограниченного источника примеси N(x, t) = exp ( - x 2 /L 2) характеристическая длина диффузии

Примесь знаем, выбираем Т Условие 1 Условие 2 N(hслоя) = Nфоновое Получаем t, если меньше 10 минут или больше 10 часов находим

Если заданы параметры после разгонки Подбираем под Q T и t загонки выбираем Т Примесь знаем, Выбираем Q Условие 1 Условие 2 N(hслоя) = Nфоновое Получаем t, если меньше 10 минут или больше 10 часов Получаем Dt (как одну переменную)

Двух- и трехмерные точечные источники r - расстояние от источника диффузанта m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух- и трехмерного источников Формула Пуассона

«Разгонка» примеси Многостадийная диффузия Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр Если Dр tр > 3 Dз tз Если Dр tр Dз tз

Операция Dt t, T, К Скр Разд Пасс Акт сек Гл к слой обл база маск Si. O 2, Ns, Q, Si. O 2, см-3 см-2 Э мкм заг маска Загонка скр. сл заг заг Разгонка скр. с. разг Загонка разд о заг заг Разгонка разд о разг Загонка гл к заг заг Разгонка гл к разг Загонка п. базы заг Разгонка п б заг разг Загонка а базы заг разг заг разг заг заг разг заг заг заг разг разг заг Разгонка эмит разг разг Dtхарактеристическое заг Разгонка а базы разг разг Загонка эмит заг разг заг заг заг разг заг заг

Рост пленок Si. О 2

Зависимость толщины маскирующей пленки Si. O 2 от режимов проведения диффузии