Проверка знаний Полевой транзистор 1 Направление тока

Проверка знаний. Полевой транзистор

1. Направление тока в ПТ • В ПТ n-типа вы позволяете току течь от СТОКА к ИСТОКУ при напряжении на З. В каком направлении будет течь ток в ПТ P -типа? От Ист к Ст или наоборот? • http: //electronics. stack exchange. com/questio ns/3599/basic-p-typemosfet-question

Обозначения Пол. Трнзст В каком режиме включены эти четыре транзистора (усиление, подавление, общий затвор, сток или исток). Обоснуйте ответ. http: //www. learnabout-electronics. org/fet_05. php

Перемена мест СтокИсток • http: //answers. yahoo. com/questio n/index? qid=20100713085010 AA Roa 5 x • На рисунках слева изображены два полевых транзистора. Перечислите, пожалуйста, их отличия в названиях и ибозначениях на принципиальной схеме. Можно ли в них поменять сток и исток местами? Почему? • Сформулируйте overarching (всеобъемлющее) правило названия электродов именами СТОК и ИСТОК.

• Форма сигналов до и после ПТ • http: //www. williamsonlabs. com/480_fet. htm • Посмотрите внимательнее на рисунок справа. Как называются такие схемы включения? • В каких случаях фаза сигнала смещается и насколько? • Что в обозначении транзистора подсказывает ответ?

Режим обеднения Объясните происхождение названия режима обеднения. http: //www. electrotechservices. com/electronics/images/metal_oxide_semiconductor_fet 1 _circuit. jpg

Работа ПТ с изолир. слоем • Что означает пунктир на рисунке? http: //www. electronics -tutorials. ws/transistor/tran_6. html

Назовите тип транзистора FET • http: //www. piclist. com/images/www/hobby_ elec/e_ckt 30_6. htm

http: //quiz. thefullwiki. org/Fieldeffect_transistor • FET может быть изготовлен из разных полупроводников. Самым популярным материалом является • Кремний (Silicon) • Углерод (Carbon) • Алюминий (Aluminium) • Золото (Gold)

Обработка сигналов • Вопрос № 7: На основе таких свойств полевых транзисторов можно создать, например. • Mixing console • Digital audio editor • Sound recording and Reproduction • Synthesizer

Момент открывания • Когда происходит pinch off(отсечка или смыкание) FET ? • A) без входн. сигнала и б. зн. крутизны • В) без входн. сигнала и различ. крутизне • С) без входн. сигнала и крутизне <0 • D) без входн. сигнала и крутизне = 0.

JFET смещают (bias) на другую сторону pinchoff для • • Усиления мощности Очищения Фильтрации Усиления слабых сигналов

В JFET с нулевым смещением канал обычно • • Перекрыт В состоянии лавинного пробоя В проводящем состоянии Сделан из полупроводника p-типа

В N-канальном JFET отсечка( pinchoff) происходит при смещении напряжении на затворе • • Немного в плюс В ноль Немного в минус Сильно в минус

Крутизной (transconductance) называют • Отношение изменения напряжения стока к изменению напряжения на истоке • Отношение изменения тока затвора к изменению напряжения на истоке • Отношение изменения тока стока к изменению тока затвора • Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на стоке

Входной импеданс MOSFET • • Меньше, чем у JFET Меньше, чем у биполярных транзисторов Между биполярными и JFET Чрезвычайно велик

Затвор JFET обладает • • Низким импедансом Высоким импедансом Смещением в прямую сторону Низким лавинным напряжением

Способ включения для максимального усиления • • Общий исток Общий затвор Общий сток все перечисленные схемы обладают одинаковым усилением

Что не желательно для JFET? • • Высокое входное сопротивление Основные носители заряда - дырки Проводящий канал Смещенный в прямую сторону переход

В транзисторе JFET P-типа • Затвор смещен в прямую сторону • Переход исток-затвор смещен в прямую сторону • Сток отрицателен относительно истока • Затвор должен быть заземлён по постоянному току

Какая из следующих схем переворачивает (сдвигает на 180 градусов) входной сигнал • • Схема с общим истоком Схема с общим затвором Все перечисленные

Характеристические кривые JFET обычно показывают • Напряжение стока как функцию тока истока • Ток стока как функцию тока затвора • Ток стока как функцию напряжения стока • Напряжение стока как функцию тока затвора

Преимущество MOSFET перед JFET • Шире диапазон напряжений смещения на затворе • Поставляют больше выходной мощности • Более надежные • Более долговечные

Режим усиления MOSFET распознается на схемах по • Направленной внутрь стрелке • Пунктирной вертикальной линии внутри кружка • Направленной изнутри стрелке • Сплошной вертикальной линии внутри кружка

Транзисторы JFET лучше биполярных в • В высоковольтных выпрямителях • В усилителях слабых радиочастотных сигналов • В фильтрах питания • В силовых трансформаторах

Каков основной недостаток MOS транзисторов? • Легко повреждаются статическим электричеством • Требуют для усиления больших напряжений питания • Оттягивают большой ток • Производят массу тепла

В режиме усиления MOSFET при нулевом смещении • Ток стока велик при отсутствии сигнала • Ток стока флуктуирует при отсутствии сигнала • Ток стока мал при отсутствии сигнала • Ток стока равен нулю при отсутствии сигнала

Ток через канал определяется напрямую следующими причинами, кроме • • Напряжение стока Крутизна Напряжение на затворе Смещение затвора

Ток обусловлен дырочной проводимостью, если JFET • • Изготовлен из полупроводника p-типа Смещён в прямом направлении Смещён в ноль Смещён в обратном направлении

Режим обеднения MOSFET распознается на схемах по • Направленной внутрь стрелке • Пунктирной вертикальной линии внутри кружка • Направленной изнутри стрелке • Сплошной вертикальной линии внутри кружка

Какова толщина слоя диэлектрика в ПТ с изолированным затвором? Band gap • Использование этой технологии в ternary полупроводниках типа Al. Ga. As привело к созданию транзисторов с высокой электронной подвижностью HEMT (High Electron Mobility Transistor), известных также как HFET (heterostructure FET). • • 10 мкм 1 мкм 0. 1 мкм 0. 01 мкм

Лучшие подсказки • http: //www. proprofs. com/quizschool/story. php? title=gibilisco--field-effecttransistor • http: //www. collinear. ru/book/ptranz/5. html • http: //www. journalscan. info/elektronika-i-ittehnologii/radioelektronika/ • http: //www. scorcher. ru/art/electronica/electronic a 3. php • http: //soloproject. com/articles/category/10/message/461/

Ресурсы и источники • • • www. irf. com (Kanzas, California, USA) http: //www. symmetron. ru/news/ir-RDS-2. shtml http: //www. power-e. ru/2008_1_34. php http: //ru. wikipedia. org http: //radioshema. ucoz. org/load/skhemy/ prostaja_migalka/2 -1 -0 -20 • http: //searchciomidmarket. techtarget. com/definition/field-effecttransistor • http: //www. wisegeek. com/what-is-a-field-effecttransistor. htm