Процесс производства полевого транзистора на основе гетероструктур Арсенида

Процесс производства полевого транзистора на основе гетероструктур Арсенида Галлия ü Пластина Ga. As с гетероструктурой Ga. As Фоторезист ü Очистка от органических неорганических примесей ü Нанесение фоторезиста на центрифуге (2500 оборотов в минуту) ü Сушка фоторезиста Ga. As и

Формирование мез жидким травлением Экспонирование Фотошаблон Фоторезист ü Совмещение пластины с фотошаблоном и экспонирование фоторезиста Ga. As ü Проявление и дубление фоторезиста Ga. As

Жидкое травление Фоторезист ü Травление мез в растворе Н 3 РО 4 : Н 2 О 2 : Н 2 О = 4 : 1 : 50 Ga. As ü Стравливание открытых участков гетероструктуры до буферного слоя Ga. As ü Удаление фоторезиста

Напыление оксида кремния Si. O 2 ü Нанесение слоя Si. O 2 (PECVD или напыление) Ga. As ü Т подложки = 200 °С ü Атмосфера аргона или азота ü Прикладываемое к подложке напряжение 10 Вольт Фоторезист ü Нанесение фоторезиста и сушка Si. O 2 Ga. As

Формирование омических контактов Экспонирование Фотошаблон Si. O 2 Фоторезист ü Совмещение пластины с фотошаблоном и экспонирование фоторезиста Ga. As Si. O 2 ü Проявление и дубление фоторезиста Ga. As

Формирование омических контактов Фоторезист ü Травление слоя оксида кремния Si. O 2 Ga. As Металлизация контактов Au. Ge ü Анизотропное напыление металлов в электронно-лучевой установке üAu. Ge/Ni/Au = 100/300/120 нм Si. O 2 ü «Взрывная литография» в ацетоне при Т = 80 °С

Формирование омических контактов Au. Ge/Ni/Au ü Удаление фоторезиста Si. O 2 Ga. As Исток Сток ü Отжиг образцов в атмосфере азота Si. O 2 ü 20 сек при Тотжига = 340 °С ü 2 минуты остывает до комнатной Т ü 20 сек при Тотжига = 380 °С

Формирование траншеи затвора Экспонирование Фотошаблон ü Фотолитография для формирования траншеи затвора Фоторезист üПроявление и дубление фоторезиста Si. O 2 Фоторезист ü Травление траншеи в установке сухого травления в плазме тетрафторида углерода Si. O 2 Ga. As

Металлизация затвора Ti/Pt/Au ü Напыление металлов в электроннолучевой установке Фоторезист ü(Ti/Pt/Au = 5/25/120 нм) Si. O 2 Ga. As Ti/Pt/Au ü Удаление фоторезиста Si. O 2 Au. Ge Ga. As

Металлизация разводки Ti/Al/Au ü Нанесение фоторезиста для закрытия траншеи затвора от напыления Фоторезист Si. O 2 üПроявление и дубление фоторезиста Ge/Au üНапыление Ti/Al/Au = 5/445/50 нм Ga. As Ti/Pt/Au Si. O 2 Ge/Au Ga. As Ti/Al/Au ü Удаление фоторезиста

Металлизация разводки Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au ü Нанесение слоя 500 нм Si. O 2 в установке плазмохимического осаждения Au. Ge Si. O 2 Ga. As Ti/Al/Au Ti/Pt/Au Si. O 2 Au. Ge Ga. As 0, 5 мкм ü Выравнивание поверхности Si. O 2 в установке химическо-механической планеризации (CMP)

Металлизация разводки Экспонирование Фотошаблон Фоторезист Ti/Al/Au ü Фотолитография Ti/Pt/Au 0, 5 мкм üПроявление и дубление фоторезиста Si. O 2 Au. Ge Ga. As Фотошаблон Фоторезист ü Травление оксида кремния до металла затвора в установке сухого травления Ti/Al/Au Si. O 2 Au. Ge Ga. As

Металлизация разводки Ti/Al/Au Фоторезист Ti/Pt/Au Ti/Al/Au Si. O 2 ü Напыление металлов Ti/Al/Au в электронно-лучевой установке Au. Ge Ga. As Ti/Pt/Au Ti/Al/Au ü Удаление фоторезиста Si. O 2 Au. Ge Ga. As

Металлизация разводки Экспонирование Фотошаблон Фоторезист Ti/Pt/Au Ti/Al/Au Si. O 2 Au. Ge ü Фотолитография для открытия траншеи под разводку для истока и стока üПроявление и дубление фоторезиста Ga. As Фоторезист Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au Au. Ge Ga. As ü Травление оксида кремния до металлической разводки истока и стока в установке сухого травления

Металлизация разводки Ti/Al/Au Фоторезист Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au ü Напыление металлов Ti/Al/Au в электронно-лучевой установке Au. Ge Ga. As Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au ü Удаление фоторезиста Au. Ge Ga. As

Металлизация разводки Экспонирование Фотошаблон Фоторезист Ti/Pt/Au Si. O 2 Ti/Al/Au ü Фотолитография для формирования контактных площадок разводки Au. Ge Ga. As Фоторезист Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au üПроявление и дубление фоторезиста Au. Ge Ga. As

Ti/Al/Au Металлизация разводки Фоторезист Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au ü Напыление металлов Ti/Al/Au в электронно-лучевой установке Au. Ge Ga. As Ti/Al/Au Si. O 2 Ti/Al/Au Ti/Pt/Au ü Удаление фоторезиста Au. Ge Ga. As

Транзистор на основе гетероструктуры Арсенида Галлия Исток Затвор Ti/Al/Au Si. O 2 Ti/Pt/Au Ti/Al/Au Au. Ge Ga. As Сток