Скачать презентацию Постоянные Запоминающие Устройства Все ПЗУ можно разделить Скачать презентацию Постоянные Запоминающие Устройства Все ПЗУ можно разделить

Постоянные Запоминающие Устройства.ppt

  • Количество слайдов: 32

Постоянные Запоминающие Устройства Постоянные Запоминающие Устройства

Все ПЗУ можно разделить на следующие типы: Программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или Все ПЗУ можно разделить на следующие типы: Программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM); С однократным программированием (обозначают как ППЗУ или PROM); Перепрограммируемые (Репрограммируемые) ПЗУ;

Программируемые при изготовлении ПЗУ: В такие ПЗУ информация записывается непосредственно в процессе изготовления , Программируемые при изготовлении ПЗУ: В такие ПЗУ информация записывается непосредственно в процессе изготовления , на завершающем этапе технологического процесса, с помощью фотошаблона, называемого маской.

Такие ПЗУ называют масочными ПЗУ, они могут быть построены на: Диодах Биполярных транзисторах МОП Такие ПЗУ называют масочными ПЗУ, они могут быть построены на: Диодах Биполярных транзисторах МОП - транзисторах

Фрагмент схемы матрицы масочной ПЗУ на биполярных транзисторах: Фрагмент схемы матрицы масочной ПЗУ на биполярных транзисторах:

Фрагмент схемы матрицы масочной ПЗУ на полевых транзисторах: Фрагмент схемы матрицы масочной ПЗУ на полевых транзисторах:

Принцип действия: Если соединительный транзистор выполнен полностью(без разрыва), то при подаче на соответствующую строку Принцип действия: Если соединительный транзистор выполнен полностью(без разрыва), то при подаче на соответствующую строку сигнала активного уровня этот транзистор открывается и на столбце, к которому он подключен появляется логический 0 Если транзистор не подключен к соответствующему столбцу, то активизация соответствующей строки не приводит к закорачиванию столбца и на нём остаётся логическая 1.

 К масочным ПЗУ относят микросхемы серий 155, 568, 541, 55, 1656, 1801 и К масочным ПЗУ относят микросхемы серий 155, 568, 541, 55, 1656, 1801 и др. , выполненные по технологии ТТЛ, ТТЛШ, n-МОП, КМОП. Для обозначения данного вида ПЗУ после номера серии помещают две буквы РЕ. Например микросхемы К 155 РЕ 21, К 155 РЕ 22

Перепрограммируемые ПЗУ В таких ПЗУ накопитель часто построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками. Перепрограммируемые ПЗУ В таких ПЗУ накопитель часто построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками. Перемычки изготовлены из тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек.

Есть несколько способов изготовления ППЗУ, например: С использованием диодов. С использование многоэмиттерных транзисторов. С Есть несколько способов изготовления ППЗУ, например: С использованием диодов. С использование многоэмиттерных транзисторов. С использованием двух встречно включенных диодов.

Фрагмент схемы диодной матрицы ППЗУ с плавкими перемычками: Фрагмент схемы диодной матрицы ППЗУ с плавкими перемычками:

Работа диодной матрицы Пропуская импульсы тока между соответствующими строками и столбцами матрицы, такие ЗУ Работа диодной матрицы Пропуская импульсы тока между соответствующими строками и столбцами матрицы, такие ЗУ можно программировать, расплавляя те или иные перемычки.

Фрагмент схемы матрицы ППЗУ с многоэмиттерными транзисторами: Фрагмент схемы матрицы ППЗУ с многоэмиттерными транзисторами:

Работа данной матрицы: Программирование происходит также, как и в предыдущей матрице – пережиганием перемычек. Работа данной матрицы: Программирование происходит также, как и в предыдущей матрице – пережиганием перемычек.

Фрагмент схемы матрицы ППЗУ ещё одного типа: Фрагмент схемы матрицы ППЗУ ещё одного типа:

Принцип действия: Программирование(Запись) осуществляется приложением между соответствующими строками и столбцами повышенного напряжения. Это приводит Принцип действия: Программирование(Запись) осуществляется приложением между соответствующими строками и столбцами повышенного напряжения. Это приводит к пробою диода, смещенного в обратном направлении, с образованием в нём короткого замыкания.

Отличия от предыдущих матриц: В исходном состоянии такое ППЗУ будет хранить 0, а не Отличия от предыдущих матриц: В исходном состоянии такое ППЗУ будет хранить 0, а не 1, как предыдущие. Образовавшееся короткое замыкание играет роль проводящей перемычки. Перемычки не пережигаются, а «создаются» .

 ППЗУ выпускаются в составе следующих серий микросхем 155, 541, 565, 1608. В обозначениях ППЗУ выпускаются в составе следующих серий микросхем 155, 541, 565, 1608. В обозначениях таких ЗУ используют буквы РТ. Например: К 541 РТ 1, выполнена по технологии ТТЛШ с открытым коллекторным выходом и имеет организацию 256 х4

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) Это ПЗУ которые можно программировать больше одного раза. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) Это ПЗУ которые можно программировать больше одного раза.

Технология построения: В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на осное МОП-технологии. Используются различные физические явления Технология построения: В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на осное МОП-технологии. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической средой.

В первом случае диэлектрик под затвором МОП-транзистора делают из двух слоёв: Si. N 4 В первом случае диэлектрик под затвором МОП-транзистора делают из двух слоёв: Si. N 4 и Si. O 2. В этой структуре при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раздела двух слоёв, что позволяет создавать запоминающие ячейки.

ЗУ на МНОП-транзисторах Это РПЗУ ЭС или EPROM. Они позволяют делать 104 -106 презаписей, ЗУ на МНОП-транзисторах Это РПЗУ ЭС или EPROM. Они позволяют делать 104 -106 презаписей, энергозависимы и могут хранить информацию годами. В обозначении микросхем указывают две буквы РР.

Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинноинжекционный МОП - транзистор с плавающим затвором Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинноинжекционный МОП - транзистор с плавающим затвором (ЛИЗМОП).

Упрощеная структура такого транзистора: Упрощеная структура такого транзистора:

Принцип работы В ЛИЗМОП - транзисторе при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый Принцип работы В ЛИЗМОП - транзисторе при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затора инжектируются заряды.

Принцип работы Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации Принцип работы Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации обеспечивается течение длительного промежутка времени.

Принцип работы При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного Принцип работы При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эффекта, т. е. стирание информации.

Различают 2 типа РПЗУ: EPROM E 2 PROM Различают 2 типа РПЗУ: EPROM E 2 PROM

EPROM В таких РПЗУ используют УФ стирание. В корпусе микросхемы имеется специальное прозрачное окошко EPROM В таких РПЗУ используют УФ стирание. В корпусе микросхемы имеется специальное прозрачное окошко для облучения кристалла. Информация стирается сразу во всём кристале.

2 PROM E В этих РПЗУ используют электрическое стирание. При таком стирании можно выборочно 2 PROM E В этих РПЗУ используют электрическое стирание. При таком стирании можно выборочно стирать информацию. Кроме того длительность электрического стирания значительно меньше, а число циклов перезаписи значительно больше. Обозначаются буквами РФ.

Некоторые характеристики ПЗУ Тип ПЗУ Быстродейс твие, нс ПЗУ и ППЗУ на биполярных структурах Некоторые характеристики ПЗУ Тип ПЗУ Быстродейс твие, нс ПЗУ и ППЗУ на биполярных структурах ПЗУ и ППЗУ на МОПструктурах РПЗУ Ёмкость, КБит 15 -150 Потребляе мая Мощность, МВт/бит 0, 01 -0, 8 70 -4000 0, 01 -0, 3 <256 50 -15000 <0, 1 <256 <64

Выполнил: Студент гр. 291 -Д 9 -3 ЭВТ Озарничук Валерий Выполнил: Студент гр. 291 -Д 9 -3 ЭВТ Озарничук Валерий