Скачать презентацию ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ROM ПЗУ предназначено для Скачать презентацию ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ROM ПЗУ предназначено для

ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ROM.ppt

  • Количество слайдов: 10

ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ROM ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА ROM

ПЗУ предназначено для хранения некоторой однажды записанной в него информации. В ПЗУ хранятся: -константы; ПЗУ предназначено для хранения некоторой однажды записанной в него информации. В ПЗУ хранятся: -константы; - стандартные подпрограммы; - контрольные программы – тесты. ПЗУ энергонезависимо. Режим работы ПЗУ только чтение. ПЗУ проще, дешевле и надежнее ОЗУ. По способу записи информации ПЗУ бывают: -ПЗУ, программируемые маской на предприятииизготовителе; - ПЗУ, программируемые пользователем.

В первых информация заносится в ПЗУ на заводе-изготовителе с помощью фотошаблона. Такой метод пригоден В первых информация заносится в ПЗУ на заводе-изготовителе с помощью фотошаблона. Такой метод пригоден при выпуске партии ПЗУ с одной и той же записанной информацией. Во втором случае запись информации осуществляется пользователем с помощью специального устройства – программатора.

Условно графическое изображение микросхемы ПЗУ Условно графическое изображение микросхемы ПЗУ

Структурная схема ПЗУ с однократным программированием Структурная схема ПЗУ с однократным программированием

Матрица-накопитель состоит из 210 транзисторов (ЭП), образующих 32 строки и 32 столбца. Коллекторы транзисторов Матрица-накопитель состоит из 210 транзисторов (ЭП), образующих 32 строки и 32 столбца. Коллекторы транзисторов накопителя подключены к источнику питания. В цепь эмиттера каждого транзистора включена плавкая перемычка, изготовленная из нихрома, поликремния или титаната вольфрама и имеющая сопротивление в несколько десятков Ом. При программировании для пережигания перемычки (запись 0) достаточно через транзистор пропустить импульс тока 20… 30 м. А и длительностью порядка 1 мк. С. При считывании в отличии от ОЗУ из накопителя выдается содержимое целой строки ЭП. Такая строка содержит обычно несколько слов. С помощью селектора из строки выделяется и передается на выход требуемое слово. Пример, ПЗУ имеет емкость М=28 слов по 22 =4 разряда в каждом слове. Накопитель будет содержать 210 ЭП, расположенных вдоль 25 =32 строк и 25 =32 столбцов. При обращении указывается адрес слова , содержащий в данном примере 8 разрядов, разбивающийся на две группы разрядов А 1 и А 2 : пятиразрядную группу А 1 и трехразрядную группу А 2. Группа А 1 подается на дешифратор строк, который выбирает одну из 32 строк. Содержимое строки состоит 32 бит или восьми 4 -х разрядных слов, номер слова в строке задается группой А 2. Дешифратор столбцов преобразует эту адресную группу в сигнал на одном из 8 своих выходов. По этому сигналу в коммутаторе (селекторе) из содержимого строки выделяется требуемое слово, которое передается через буфер ввода-вывода на выход микросхемы.

Перепрограммируемые ПЗУ (ППЗУ) ППЗУ энергонезависимо. ППЗУ обладает теми же достоинствами, что и ПЗУ. Режимы Перепрограммируемые ПЗУ (ППЗУ) ППЗУ энергонезависимо. ППЗУ обладает теми же достоинствами, что и ПЗУ. Режимы работы ППЗУ: -запись; - чтение; - хранение. Применение ППЗУ - используются в процессе отладки устройств, когда необходимо уточнить информацию, хранимую в памяти.

ЭП с электрической записью информации ЭП с электрической записью информации

Структура транзистора VT 2 Структура транзистора VT 2

Принцип работы ЭП с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом. Транзистор VT 1 Принцип работы ЭП с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом. Транзистор VT 1 служит для выборки ЭП. Хранение информации осуществляется в транзисторе VT 2. Особенность транзистора VT 2 состоит в том, что он имеет изолированный затвор. При подаче достаточно большого напряжения к p-n переходу истока или стока происходит инжекция электронов в затвор, после чего этот заряд может удерживаться на затворе неопределенно долго. Отрицательный заряд на затворе, притягивая дырки, создает в n – области проводящий р-канал между истоком и стоком. Транзистор оказывается в состоянии лог. 0. Если к p-n переходу не прикладывалось повышенного напряжения, заряд на затворе отсутствует, транзистор оказывается в непроводящем состоянии (состояние лог. 1). Стирание информации осуществляется подачей ультрафиолетового излучения через прозрачную кварцевую крышку в корпусе микросхемы. Под действием этого излучения в течение примерно 10 минут снимается заряд с затворов транзисторов и все транзисторы накопителя оказываются установленными в непроводящее состояние. Обычное комнатное освещение практически не влияет на состояние транзисторов. ППЗУ дороже ПЗУ и их применяют при отладке устройств, когда необходимо уточнить информацию, которая должна храниться в памяти. После отладки можно заменить ППЗУ более дешевым ПЗУ.