Полупроводниковые приборы
Начиная с 1960 х гг. применение полупроводниковых прибо ров в электронной промышленности получило массовый харак тер, что обусловливается их достоинствами: высокими к. п. д. , дол говечностью, надежностью, малыми габаритами и массой и т. д. Для изготовления полупроводниковых приборов используются как простые полупроводниковые материалы (германий, кремний, селен), так и сложные (арсенид галлия, фосфид галлия и др. ). Полупроводниковыми называются приборы, действие которых ос новано на использовании свойств полупроводниковых материалов. Классификация полупроводниковых приборов приведена на рис. 2. 31. Ниже даются краткие характеристики полупроводниковых приборов. Полупроводниковые резисторы — приборы с двумя выводами, в которых электрическое сопротивление зависит от приложенного напряжения, температуры, освещенности, механических дефор маций и других управляющих параметров. Полупроводниковые ре зисторы широко используются в качестве датчиков освещеннос ти, в системах регулирования температуры, тепловой защиты, про тивопожарной безопасности и т. д.
Классификация полупроводниковых приборов
Полупроводниковые диоды — приборы с одним р—n переходом и двумя выводами, в которых используются свойства этого пере хода. Полупроводниковые диоды широко применяются в электро нике для выпрямления электрического тока, стабилизации на пряжения и тока, для генерации высокочастотных сигналов, в качестве быстродействующих переключателей в системах автома тики и т. д. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы — это прибо ры, в которых используется эффект взаимодействия оптического излучения (видимого инфракрасного или ультрафиолетового) с носителями заряда (электронами или дырками). Эти приборы ши роко используются в системах автоматики, контрольно измери тельных устройствах, в системах оптоволоконной техники, в ка честве элементов солнечных батарей и др. Биполярные транзисторы — полупроводниковые приборы, име ющие два р—n перехода и используемые для усиления и генера ции электрического сигнала. Полевые транзисторы — полупроводниковые приборы, в кото рых используются полупроводниковые материалы с различными типами электропроводности и которые образуют один р—я пере ход. Полевые транзисторы применяются в качестве усилителей и генераторов на высоких частотах.
Тиристоры — полупроводниковые приборы, имеющие три или более р— n переходов и работающие в двух устойчивых состояни ях— открытом и закрытом. Тиристоры широко применяются в качестве быстродействующих переключателей. Полупроводниковые микросхемы — микроэлектронные изделия, предназначенные для преобразования электрического сигнала, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Комбинированные полупроводниковые приборы представляют со бой различные полупроводниковые приборы, объединенные в один корпус. Эти приборы широко применяются в системах автомати ки и связи, в вычислительной технике и т. д.
Условные обозначения полупроводниковых диодов Условное обозначение полупроводниковых диодов в соответ ствии с ГОСТ 10 862— 72 состоит из четырех элементов. Первый элемент — буква или цифра — обозначает исходный полупроводниковый материал: Г или 1 — германий и его соеди нения; К или 2 — кремний и его соединения; А или 3 — галлий и его соединения. Второй элемент — буква — указывает класс прибора: Д — дио ды; Ц — выпрямительные столбы и блоки; А — диоды СВЧ; В — варикапы; И — туннельные и обращенные диоды; Н — диодные тиристоры; У — триодные тиристоры; Л — излучатели (светодиоды); Г — генераторы шума; Б — диоды Ганна; К — стабилизаторы тока; С — стабилитроны и стабисторы. Третий элемент состоит из трех цифр, обозначающих назначе ние и качественные свойства приборов, а также порядковый номер разработки.
Условное обозначение третьего элемента полупроводникового диода
Четвертый элемент (буква) обозначает классификацию диода внутри технологического типа по одному или нескольким электри ческим параметрам. В ряде случаев такая классификация может осу ществляться без буквы только с помощью третьего элемента, при этом приборам одного типа, но с различными классификацион ными параметрами даются разные трехзначные номера в пределах соответствующей сотни. Иногда в конце обозначения ставят две буквы, последняя из которых может обозначать конструктивную модификацию данного диода. Например, КД 202 К означает крем ниевый выпрямительный диод с допустимым средним прямым то ком до 10 А, разновидность К.
Классификация и условное графическое обозначение полупро водниковых диодов
Скачать презентацию Полупроводниковые приборы Начиная с 1960 х гг
9. Полупроводниковые приборы.pptx