Полупроводниковые диоды 1. Определение, классификация, устройство полупроводниковых диодов

Полупроводниковые диоды 1. Определение, классификация, устройство полупроводниковых диодов 2. Вольтамперная характеристика 3. Параметры диодов, эквивалентная схема (модель) 4. Выпрямительные диоды 5. Высокочастотные диоды 6. Импульсивные диоды 7. Стабилитроны 8. Маркировка полупроводниковых приборов

Рисунок № 1 – Классификация полупроводниковых диодов.

Условные изображения диодов 1 - выпрямительный и импульсный диод; 2 - стабилитрон и стабистор; 3 - симметричный стабилитрон; 4 - варикап; 5 - туннельный диод; 6 - излучающий диод; 7 - фотодиод.

Рис. № 5. ВАХ полупроводникового диода. а) идеального p-n перехода, б) реального диода

Рис. 6. Параллельное соединение полупроводниковых диодов

Рис. 7. Последовательное соединение полупроводниковых диодов

МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ • Первый элемент обозначения определяет исходный полупроводниковый материал: германий - Г или 1; кремний - К или 2; соединения галлия - А или 3.

• Второй элемент обозначения - буквенный - определяет класс прибора: транзисторы биполярные - Т; транзисторы полевые - П; диоды выпрямительные - Д; выпрямительные столбы и блоки - Ц; диоды сверхвысокочастотные - А; варикапы - В; диоды шупельные и обращенные - %; стабилитроны и стабисторы - С; тиристоры диодные до 10 А - Н; тиристоры триодные до 10 А - У.

• Третий элемент обозначения - цифры от 1 до 99 - определяют диапазон основных параметров прибора (мощность, частота, основное назначение и т. д. ). • Четвертый элемент обозначения двухзначное число от 01 до 99 - определяет номер разработки. • Пятый элемент обозначения - буквы русского алфавита от А до Я - определяет деление технологического типа на параметрические группы, например по обратным напряжениям, коэффициенту передачи тока и т. д.

Примеры • ГТ 308 В Г - исходный полупроводник германий; Т - транзистор биполярный; 3 - высокочастотный, малой мощности; 08 - номер разработки; В - коэффициент передачи тока базы 50 120.

• КД 202 Р К - исходный полупроводник кремний; Д- выпрямительный диод; 2 - средней мощности; 02 - номер разработки; Р - максимально допустимое обратное напряжение 600 В. • КС 162 А К - исходный полупроводник кремний; О - опорный диод (стабилитрон); 162 - малой мощности (150 м. Вт); напряжение стабилизации (1 - 9, 9)В; А - напряжение стабилизации (5, 8 - G, G)B; максимальный обратный ток стабилизации 22 м. А, допустимая мощность рассеяний 150 м. Вт.

• ГД 402 А Г - исходный полупроводник германий; Д - выпрямительный диод; 4 - универсальный с рабочей частотой до 1000 МГц; 02 - номер разработки; А - максимально допустимое обратное напряжение 15 В. • КВ 102 А К - исходный полупроводник кремнии; В - варикап; 1 - подстроечный; 02 - номер разработки; А - допустимое напряжение 45 В.

• 1 И 302 А 1 - исходный полупроводник германий; И - туннельный диод; А - ток пика (1, 7 - 2, 3) м. А. • ЗИ 301 А 3 - исходный материал арсенид галлия; И - туннельный диод; 301 - переключающий; А - ток пика 5 м. А.