Скачать презентацию Полевые транзисторы Весна 2016 Лекция 5 Полевые транзисторы
Келек - лк 5.ppt
- Количество слайдов: 30
Полевые транзисторы Весна 2016 Лекция 5 Полевые транзисторы FET (field-effect transistor) Устройство, принципы работы полевых транзисторов различных типов Чем более мы размышляем, тем более убеждаемся, что ничего не знаем. Вольтер 1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа n- channel junction FET 2 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа 3 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 N-channel FET (electron-conducting ) drain gate source 4 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 P-channel FET (hole-conducting FET) drain gate source 5 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора с каналом n-типа 6 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Управляющие (сток-затворные) характеристики полевого транзистора с каналом р-типа 7 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом n-типа 8 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с каналом p-типа 9 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Участки выходной характеристики 10 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Пологая область характеристики Ic=Ic. НАЧ(1 -UЗИ/UЗИотс)2 UСИнас=|UЗИотс|-|UЗИ| S=d. Ic/d. UЗИ при Uси=const Sнач=2 IСнач/UЗИотс при UЗИ=0 S=Sнач(1 -UЗИ/UЗИотс) 11 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Крутизна характеристики транзистора с каналом n-типа 12 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевые транзисторы с изолированным затвором ( insulated-gate FET) МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) metal-insulator-semiconductor transistor (MIS insulated-gate transistor) МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник) metal-oxide-semiconductor MOS (MOS insulated transistor) 13 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 МДП-транзистор с встроенным каналом n-типа З И С 14 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа 15 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа 16 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП-транзистора с встроенным каналом n-типа Ic. НАЧ 17 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 МДП-транзистор с встроенным каналом p-типа 18 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом p-типа 19 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП- транзистора с встроенным каналом p-типа 20 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом n-типа Induced-channel FET 21 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа 22 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристика управления МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа 23 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа 24 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа 25 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа 26 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Характеристики управления МДП-транзистора с индуцированным каналом 27 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Выходные характеристики МДП-транзистора при различных напряжениях на подложке 28 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Зависимость передаточных Весна 2016 Полевые транзисторы характеристик полевых транзисторов от температуры 29 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354
Полевые транзисторы Весна 2016 Задание для самостоятельной работы Привести примеры транзисторов рассмотренных типов, а также их основные параметры, систему международных обозначений параметров и характеристик полевых транзисторов 30 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354