Полевые транзисторы Подготовили студенты группы ПО-012 Полевые

Полевые транзисторы Подготовили студенты группы ПО-012

Полевые транзисторы - это полупроводниковый прибор управление выходным током у которого осуществляется электрическим полем. Достоинства полевого транзистора: 1) Высокое входное сопротивление: от 106… 1016. 2)Более высокая температурная стабильность. 3)Низкий уровень собственных шумов.

Классификация полевых транзисторов 1) Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом затвор исток Р N Затвор - предназначен для регулирования площади поперечного сечения канала. Исток – предназначен для введения носителей заряда в канал. Р затвор Сток – предназначен для собирания носителей. Полевой транзистор включается под обратное напряжение и в зависимости от типа управляющего канала, различают полевые транзисторы n и p типа.

Принцип работы c Iз з Ic N P c RH Iз и -+ Uз и сток затвор - + Uси з Ic P N и +Uзи Условно графическое обозначение + Uси сток затвор исток p-типа RH исток n-типа При увеличении входного напряжения (Uзи) увеличивается величина обратного напряжения, что вызовет увеличение запирающего слоя, следовательно, уменьшится и площадь поперечного сечения области, через которую проходят носители заряда. Это, в свою очередь, повлияет на сопротивление канала. Его сопротивление растет, ток стока уменьшается. При некотором значении обратного напряжения (Uзи) канал полностью перекрывается запирающем слоем, ток стока очень мал, транзистор закрывается. Напряжение Uзи, при котором происходит перекрытие запирающем слоем всего канала, называется напряжением отсечки.

Статические характеристики и методика определения параметров в полевых транзисторов 1)Переходные или стокозатворные: А)Крутизна ВАХ: S= I’c / Uзи [m. A/B] Ic Uст>0 р. т Uст2>Uст1 I’с Uзи

2) Выходные или стоковые Ic А I’с р. т Iс Uзи 2 Uзи 1 В Uзи= Uзи 3 - Uзи 1 Uзи 3 Uси 1. Крутизна вольтамперной характеристики, характеризует управляющие действие затвора. S = Iс / Uзи [m. A/B] 2. Выходное сопротивление (внутреннее) транзистора Ri = Uси / Iс 3. Статический коэффициент усиления по напряжению. = Uси / Uзи

2)ПТ с изолированным затвором, то есть МДП транзисторы А) МДП- транзистор с индуцированным каналом З И С P+ P+ N Условно графическое обозначение с и з n-канал с и з p-канал Если напряжение затвор-исток равно нулю, то ток стока протекать не будет, т. к. отсутствует токопроводящий канал между стоком и истоком. Если приложить обратное напряжение затвористок, то электроны отталкиваются в глубь кристалла, а дырки притягиваются на поверхность кристалла и в поверхностном слое полупроводника образуется тонкий слой p-типа. При увеличении отрицательного напряжения на затворе происходит увеличение числа носителей заряда. Процесс увеличения числа носителей заряда в канале называется обогащением. Ток стока при этом увеличивается.

Б) МДП- транзистор со встроенным каналом З И С P+ P+ N Условно графическое обозначение с и з n-канал с и з p-канал При отрицательном напряжении на зажимах затвор-исток дырки будут втягиваться в канал из кристалла или соседних областей. Произойдет обогащение канала основными носителями заряда. Электропроводность канала увеличится, сопротивление уменьшится. Такой режим работы транзистора называется обогащением. При положительном напряжении на зажимах затвор-исток дырки будут выталкиваться из канала в кристалл. Произойдет обеднение канала основными носителями заряда. Электропроводность канала уменьшается, сопротивление увеличится. Такой режим работы транзистора называется обеднением.