ПОБОЧНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ РПУ Классификация побочных излучений (ПИ) ПИ возникают из-за нелинейных преобразований колебаний в различных каскадах и посторонних электрических и механических воздействий на формирование сигнала. Нормы на ПИ определяются условиями электромагнитной совместимости (ЭМС) радиотехнических средств. Уровень любого побочного радиоколебания, передаваемого передатчиком в антенно-фидерное устройство на частоте побочного радиоизлучения не должен превышать относительного и абсолютного значений, указанных в таблице 1 ГОСТа Р 50842 -95 «Устройства радиопередающие народнохозяйственного применения. Требования к побочным излучениям. Методы измерения и контроля» . Для вновь разрабатываемых и вводимых в эксплуатацию радиопередающих устройств на всей территории Российской Федерации с 1 июля 2007 года действуют «Нормы 18 -07. Радиопередающие устройства гражданского назначения. Требования на допустимые уровни побочных излучений. Методы контроля» (решение ГКРЧ № 0719 -07 -001). Для радиопередающих устройств, введённых в эксплуатацию до 1 июля 2007 года, действуют до 31 декабря 2012 года включительно, требования к предельным уровням побочных излучений, установленные «Общесоюзными нормами на побочные излучения радиопередающих устройств гражданского назначения» (Нормы 18 -85). 1
Диапазон частот контроля побочных излучений располагается ниже и выше области внеполосных излучений радиопередатчика и определяется нижней FН и верхней FВ границами (см. рисунок). 9 -я гарм 5 -я гарм 3 -я гарм 9 к. Гц 30 МГц 1 ГГц Вк=В-30 д. Б 2, 5 Вн ВН - необходимая ширина полосы радиочастот; ВК – контрольная ширина полосы частот ( на уровне минус 30 д. Б относительно максимального уровня сигнала); 2
Разнос частот (отстройка DFi) между центральной частотой основного излучения f. С и нижней границей FН измерений в области побочных излучений Для Вн< Отстройка Широкополосные передачи DFi для Отстройка значений Для Вн> Отстройка DFi D Fi Вн 250 Гц 625 Гц 2, 5 Вн 10 к. Гц 1, 5 Вн + 10 к. Гц 150 к. Гц< fс <30 МГц 4 к. Гц 10 к. Гц 2, 5 Вн 100 к. Гц 1, 5 Вн + 100 к. Гц 30 МГц < fс <1 ГГц 25 к. Гц 62, 5 к. Гц 2, 5 Вн 10 МГц 1, 5 Вн + 10 МГц 1 ГГц < fс < 3 ГГц 100 к. Гц 250 к. Гц 2, 5 Вн 50 МГц 1, 5 Вн + 50 МГц 3 ГГц < fс <10 ГГц 100 к. Гц 250 к. Гц 2, 5 Вн 100 МГц 1, 5 Вн + 100 МГц Полоса рабочих частот 9 к. Гц < fс <150 к. Гц Узкополосные передачи Частотный диапазон радиопередатчика Границы диапазонов измерений побочных излучений Ниже области внеполосных излучений ( F′B) Выше области внеполосных излучений ( F B) 9 к. Гц – 300 МГц 9 к. Гц 9 -я гармоника 300 МГц – 5200 МГц 30 МГц 5 -я гармоника 5, 2 ГГц – 17, 7 ГГц 1 ГГц 3 -я гармоника 3
ГОСТ Р 50842 -95 Полоса частот Средняя мощность передатчика Требования к уровню ПК (ПИ) нормируемые перспективн. =< 50 к. Вт > 50 к. Вт портативные < 5 Вт -30 дб -40 дб, но не более 200 м. Вт 50 м. Вт -40 дб, но не более 25 мк. Вт 2, 5 мк. Вт менее 100 м. Вт 235 – 960 МГц 50 м. Вт 100 м. Вт – 25 Вт 30 -235 МГц -60 дб подвижные 9 к. Гц – 30 МГц -40 дб, 50 м. Вт -40 дб, но не более 10 мк. Вт 2, 5 мк. Вт более 25 Вт -60 дб, но не более 1 м. Вт -70 дб морск. подвижн. службы кл. F 3 менее 20 Вт более 20 Вт не более 10 мк. Вт Предел увел. пропорционально мощности менее 25 Вт -40 дб, но не более 25 мк. Вт 2, 5 мк. Вт более 25 Вт -60 дб, но не более 20 м. Вт -70 дб 4
С ростом мощности растут относительные требования к уровню ПИ. Различают следующие виды ПИ : • возникающие в процессе формирования выходного сигнала ; • обусловленные паразитной модуляцией ; • шумовые; • интерполяционные (интермодуляционные); • паразитные. Побочные излучения, возникающие в процессе формирования несущей. Излучения на частотах nw 0 вызваны нелинейным режимом АЭ в УМ. Основной метод борьбы – выбор схемы и параметров цепи согласования выходного каскада с нагрузкой. Если этого недостаточно, то в фидер включаются специальные фильтры гармоник, которые пропускают w 0, а мощность гармоник отражают и/или поглощают в специальной нагрузке. IКn=an(q) IКm 5
Схема УМ может быть построена так, что некоторые гармоники будут подавлены (например, чётные в двухтактной схеме). Дополнительное ослабление достигается рациональным выбором угла отсечки. Побочные излучения на частотах кратных w 0/N возникают в том случае, если перед УМ стоит УЧ на N. На выходе УЧ избирательная нагрузка выделяет колебания с w 0=N (w 0/N), но из-за не идеальности подавления составляющих с частотами w 0/N, 2 w 0/N, 3 w 0/N, … все они также присутствуют на входе и на выходе УМ. Если в тракт РПУ включены два УЧ, то в спектре выходного сигнала будут составляющие с (w 0/N 1*N 2). Если N 1*N 2 велико (N 1*N 2 9 ), то фильтрация ближайших к w 0 гармоник w 0(1 1/N 1*N 2) в ЦС выходного сигнала будет слабая. РПУ, задающий генератор которого работает в режиме УЧ, может создавать излучения с частотой, кратной частоте задающего генератора. Если частота таких излучений ниже частоты основного излучения РПУ, то их называют субгармониками (часто, но это не совсем так: они не в целое число раз меньше ). Для подавления субгармоник mw 0/N, близких к несущей w 0 в РПУ с фиксированной частотой иногда усложняют ЦС умножительного каскада с входом последующего, добавляя в них фильтры субгармоник. 6
Схема с ФАПЧ: исключает возникновение новых комбинационных составляющих, но и подавляет комбинационные составляющие, возникшие ранее (за счёт ФНЧ). ФНЧ Излучения, обусловленные паразитной модуляцией и шумовое излучение. Влияние пульсаций переменных напряжений, механических вибраций, переменных внешних полей и акустических воздействий вызывает модуляцию частоты и амплитуды колебаний и появление ПИ с частотами, обычно расположенными весьма близко к несущей. Возникая в возбудителях, эти виды модуляции могут преобразовываться, углубляться последующими каскадами и создавать значительный уровень ПИ. Для их ослабления необходимо уменьшать как уровень самих воздействий, так и степень их влияния на параметры колебаний. Шумовое излучение РПУ с связано флуктуациями токов и напряжений в элементах РПУ (особенно АЭ). Шумы, связанные с природой процессов токопрохождения, называются естественными. Все активные сопротивления дают тепловой шум (шум резисторов), а АЭ, кроме того, дробовой шум, связанный с процессами переноса заряда. Оба шума имеют белый спектр. Т. е. спектральная плотность напряжения шума e(f) [В/Гц1/2] 7 или тока i(f) [А/Гц1/2] не зависит от частоты.
Эффективные значения теплового шумового напряжения UR или тока IR определяются интегрированием плотностей напряжения e(f) или тока i(f) по полосе частот где e 2(f) и i 2(f) - спектральные плотности мощности, приведенные к опорному сопротивлению 1 Ом. Для белого шума эффективные значения где B = f 2 - f 1=Df - ширина полосы в Гц. Для резисторов с сопротивлением R ( или проводимостью G=1/ R) где k=1, 38*10 -23 Дж*К-1 - постоянная Больцмана, Т – температура по Кельвину. Постоянным токам в цепях базы и коллектора IБ, IК биполярных транзисторов соответствуют токи дробового шума где e =1, 602*10 -19 [Кл] – заряд электрона, S – крутизна ВАХ, b – коэфф. усиления по току. 8
Кроме того, в АЭ существует избыточный шум (мерцательный или фликкер – шум) или шум типа 1/f. Он обычно расположен в области НЧ, и превышает уровень естественных шумов на w. И. ГР. Обычно w. И. ГР /2π=10 … 100 к. Гц. С уменьшением w плотность избыточного шума растёт как 1/w. Количественно уровень шумов усилителя характеризуют коэффициентом шума КШ, который определяется как отношение суммарной плотности шума (вместе с шумами самого усилителя) к тепловым шумам источника сигнала. Коэффициент шума в логарифмическом масштабе К*Ш=10 lg(КШ) в децибелах. На е 2 СУМ влияют как шумы источника, так и шумы АЭ. КШ не зависит от сопротивления нагрузки RН; он зависит только от сопротивления источника RГЕН , для нешумящего устройства КШ=1. 9
Из рис. видно, что Кш биполярного транзистора в диапазоне средних частот - величина постоянная, возрастающая вне этого диапазона. Увеличение Кш на низкой частоте вызвано шумами вида 1/ w (фликкер-шум). Фликкер-шум и частота f 1 возрастают с увеличением коллекторного тока. Шумы транзистора выше частоты f 1 есть белый шум, состоящий из тепловых шумов сопротивления базы и дробовых шумов в эмиттерном и коллекторном переходах. Уровень белого шума можно минимизировать, подбирая транзисторы с малым rбазы, большим усилением по току b и высокой частотой среза f. Т. При воздействии возбуждения этот шум оказывается периодически нестационарным с периодом 2π/ w 0 и имеет спектральные составляющие, лежащие вблизи w 0 и убывающие с отклонением от w 0 по закону 1/ w. 10
Уровень шума на выходе усилителя обычно характеризуют отношением спектральной плотности е. Ш на расстоянии W от рабочей частоты w 0 к квадрату амплитуды колебательного напряжения на нагрузке. Паразитные и интермодуляционные излучения. ПИ связаны с неустойчивой работой отдельных каскадов РПУ и РПУ в целом. Спектр ПИ усложняется, если возбуждение колебаний происходит в промежуточном каскаде и оно взаимодействует с основным колебанием через нелинейные элементы последующих каскадов. Интермодуляционные излучения возникают из-за электромагнитных связей с другими передатчиками и взаимодействия основного и наведённого U на нелинейных элементах. Например, при работе нескольких РПУ на одну антенну или при близко расположенных антеннах. Для подавления их нужно сначала выявить канал, по которому колебание проникает на нелинейные элементы, а затем принять меры по его устранению (фильтры, экранировка и др. ). f 1 – 1 РПУ , f 2 – 2 РПУ (f 1 f 2), 2 f 1 f 2, 2 f 2 f 1, 3 f 1 2 f 2, 3 f 2 2 f 1, 4 f 1 3 f 2, 4 f 2 3 f 1. 11
Внеполосные излучения Причины: • применение модулирующих сигналов с более широкой полосой, чем необходимо для данной системы; • применение сигналов управления ВЧ колебаниями РПУ с более крутыми фронтами импульсов, чем это необходимо; • нелинейность тракта формирования модулирующего напряжения РПУ, влияющая на полосу частот излучения; • нелинейность модуляционной характеристики РПУ, что приводит к появлению составляющих, как в спектре необходимой полосы, так и за её пределами; • перемодуляция и ограничение уровня модулирующего напряжения (напряжение в аналоговых системах передачи), что способствует расширению спектра излучения. 12
Паразитные колебания в РПУ Причины возникновения паразитных колебаний В большинстве случаев паразитное возбуждение (ПВ) образуется за счёт ОС, которая может вводиться специально, например в АГ или для автоматической регулировки какого-либо параметра РПУ – амплитуды, частоты, фазового набега и т. д. Иногда ОС определяется свойствами АЭ (Ск в БT по схеме с ОЭ и т. д. ), нередко она возникает из-за недостаточной экранировки или плохой развязки между цепями питания каскадов. Вторая причина ПК колебаний – параметрическое возбуждение. Этот механизм действует, если в схеме есть нелинейные реактивные элементы (ёмкости, индуктивности) и на них воздействуют периодические колебания. Возможны и другие причины. Например, вблизи границы электрического пробоя п/п прибора проводимость его может стать отрицательной. Разогрев БT так изменяет параметры, что может привести к релаксации с большим периодом. 13
Паразитные возбуждения в АГ АГ по схеме Клаппа на f 0=10 МГц. Транзистор достаточно высокочастотен, граничная частота по крутизне fт >> 10 МГц и его инерционными свойствами можно пренебречь. R 1, R 2, R 3 устанавливают рабочую точку, так что крутизна Iк S=0. 25 A/B; добротность контурной катушки Q=X 3/r=20. На частоте генерации Х = Х 1+Х 2+Х 3=0 Условие самовозбуждения - коэфф. регенерации (коэфф. передачи от входа к выходу) SRy>1, SRy=SX 1 X 2/r =5 выполняется. Бла Бл 1000 п. Ф 500 п. Ф Бл 5000 п. Ф Блк Бл Блк 320 п. Ф На частоте 10 МГц: ХС 1=32 Ом; ХС 2=3, 2 Ом; выбраны блокировочные элементы ХL 1=1000 Ом >> ХС 1; ХL 2=64 Ом >> ХС 2 ; ХС 4=3, 2 Ом<< Хвх; ХС 5=16 Ом<< Х L 1; ХС 6=50 Ом< ХL 2; Ёмкости С 4, С 5 считаем бесконечно большими, т. к. С 5 параллельна С блока питания, а С 4 при малом токе базы влияет слабо. 14
Эквивалентная схема АГ по ВЧ с учетом блокировочных элементов представлена на рис. Дроссель L 1 приводит к появлению параллельного резонанса на f=2. 5 МГц в цепи X 3. L 2, C 6, C 2 цепи X 2 вызывают параллельный (L 2, C 6, C 2) и последовательный резонанс (L 2, C 6). В результате Х=Х 1+Х 2+Х 3=0 проходит через три точки f 1=1. 5 МГц, f 2=3. 5 МГц и f 0=10 МГц. Х 1=– 1/2πƒС 1 – отрицательно на всех частотах. f 0: Х 1<0, Х 2<0, Х 3>0 – колебания возможны. f 1: Х 1<0, Х 2<0, Х 3>0 – колебания возможны Др Бла 500 п. Ф Блк Др Блк 5000 500 п. Ф Эквивалентная схема АГ по ВЧ при ХС 4=0, ХС 5=0 На частоте f 1< f 0 величина SRy=SX 1 X 2/r увеличивается f 2: Х 1<0, Х 2>0, Х 3<0 – колебания не возможны (Х 1 и Х 2 должны быть одного знака) 15
На f 1: SRy 15, т. е. условия самовозбуждения выполняются для f 1 и f 0. Возможность совместного существования колебаний двух частот определяется формой зависимости средней крутизны S 1 от амплитуды Uвх. Автосмещение обычно даёт монотонно спадающую (мягкую) кривую S 1(Uвх). При этом колебания данной f подавляются колебанием другой. Выживает колебание, имеющее больший запас по самовозбуждению. В нашем случае после включения Eп установится паразитная частота f 1. При жёсткой характеристике S 1(Uвх) рабочее и паразитное колебания могут иногда сосуществовать одновременно. Если рассматривать более высокие частоты, то там тоже обнаруживаются точки, где Х=Х 1+Х 2+Х 3=0. f 1=1. 5 МГц f 2=3. 5 МГц 16
Эти резонансы вызываются паразитными контурами, образованными индуктивностями выводов АЭ и соединительных проводов и междуэлектродными ёмкостями. Однако на этих частотах, значительно больших fp АЭ, паразитные колебания возникают редко, т. к. мала крутизна транзистора. Подавление паразитных колебаний. Во первых, необходимо избавиться от параллельных резонансов сопротивлений X 2, ХЗ, которые в свою очередь вызывают появление последовательных резонансов на f 1 и f 2 суммы X 1+X 2+X 3. Для этого желательна, когда это возможно, схема последовательного питания, а не параллельного. Др 500 п. Ф Бл Др 5000 п. Ф 17
Во вторых, если опасные резонансы на f 1 и f 2 неустранимы, то следует добиваться, чтобы Х 1 и Х 2 были разных знаков (как на f 2 в нашем случае) за счёт увеличения блокировочной емкости С 6. В третьих, если и это не даёт желаемого результата, необходимо снижать параметр регенерации SRу для нерабочих частот. Так как S изменить нельзя, то уменьшают Rу. Rу = Х 1*Х 2/r'. На частоте паразитных колебаний нужно иметь Х 1*Х 2 как можно меньше, а сопротивление потерь r' как можно больше. По другому выражению Rу = k. Rн, то есть необходимо уменьшать k (коэффициент ОС) и уменьшать Rн для АЭ на частотах паразитных колебаний. Др 500 п. Ф Бл Др 5000 п. Ф 18
В нашей схеме увеличивать С 6 и L 1. Полезно внести дополнительные затухания в дроссели, выполнив их из высокоомного провода (нихром, константан др. ) или зашунтировать их специальными антипаразитными резисторами, или вообще заменить дроссель L 1 на резистор (в ГВВ малой мощности). При возникновении паразитных СВЧ колебаний, их следует подавить включением небольших (~ 30… 50 Ом) антипаразитных резисторов последовательно в цепи базы и коллектора. В УМ и УЧ паразитные колебания могут возбуждаться из-за проходных проводимостей АЭ по эквивалентным схемам индуктивных или емкостных трехточек как на низких частотах (дроссельные колебания), так и на частотах выше рабочей – на контурах, образованных индуктивностями соединительных проводов и выводов АЭ и их междуэлектродными ёмкостями. 19
ПАРАЗИТНЫЕ ОС В ГВВ И СПОСОБЫ ИХ ОСЛАБЛЕНИЯ Рассмотрим схему лампового ГВВ на тетроде со всеми вспомогательными цепями и паразитными параметрами, справедливую в широком диапазоне частот (рис. а). В этой схеме элементы L 1, С 1 и L 5, C 5 образуют рабочие колебательные контуры, L 2 и L 3 - дроссели, С 2 и С 3 - разделительные конденсаторы, С 4 и С 6 - блокировочные. Элементы Сас1, Сас2, Сск, Сс1 с2 - межэлектродные емкости, a La, Lk, Lc - индуктивности выводов лампы. Эта схема сложна, имеет много частных резонансов (собственных частот), причем параметры каждого из них зависят от всех ее элементов. 20
В диапазоне частот, намного меньших рабочей частоты, можно использовать схему рис. б. Она содержит два колебательных контура, образованных блокировочными элементами. Обратная связь создается проходной емкостью Сас. Частота генерации должна удовлетворять условиям w. Г<(L 2 C 2)-1/2 и w. Г<(L 3 C 3)-1/2. В этом случае сопротивления контуров L 2 C 2 и L 3 C 3 носят индуктивный характер (схема Эквивалентная схема для частоты f много ниже fpаб. – индуктивная трехточка). Такие автоколебания называют дроссельными, поскольку их частота определяется индуктивностями дросселей L 2 и L 3. Для устранения этих автоколебаний снижают добротность дросселей путем использования проводов с большими потерями или небольших добавочных резисторов в цепи дросселей, либо значительным увеличением L 2. Во всем диапазоне рабочих частот можно пренебрегать блокировочными и разделительными элементами и учитывать только проходную емкость, проходную индуктивность Lk и основные колебательные контуры L 1 С 1 и L 5 C 5 (рис. в). Эта схема также может стать неустойчивой, причем если оба контура настроены на рабочую частоту, то частота паразитных автоколебаний Эквивалентная схема будет несколько ниже рабочей частоты в пределах полосы для частоты fpаб. пропускания контуров. 21
Для практического обеспечения малой проходной емкости нужно соединять вторую и третью сетки с катодом или шасси генератора проводниками с малой индуктивностью. В триодах такого экрана нет, поэтому их работа в схеме «заземленный катод» устойчива только в диапазоне ДВ. Для обеспечения устойчивой работы триодных каскадов в KB, УКВ и СВЧ диапазонах приходится использовать схему с общей сеткой, в этой схеме только при Lc = 0 сетка будет играть роль экрана. Иногда рационально применять в схеме типа «общая сетка» не только триоды, но и экранированные лампы, соединяя по переменному току все сетки с шасси. Генератор с внешним возбуждением с общей сеткой 22
Эффективным способом ослабления обратной связи через проходную емкость является нейтрализация, понять действие которой проще всего, рассматривая двухтактную мостовую схему нейтрализации (рис. а. ) В этой схеме при CN 1*CN 2 = Сас1*Сас2 наблюдается баланс моста, образованного упомянутыми емкостями. В результате входной и выходной контуры оказываются полностью развязанными во всем рабочем диапазоне частот. Это происходит благодаря действию на каждую сетку двух сигналов взаимно противоположной полярности. Если они равны по модулю, то действие проходной емкости нейтрализовано. Схемы нейтрализации ОС двухтактного ГВВ: а — принципиальная; б — эквивалентная Варианты схем нейтрализации однотактных каскадов, которые получаются при удалении одной из ламп двухтактной схемы и одного нейтродинного конденсатора приведены на следующих рисунках. 23
В однотактных схемах нет симметрии, поэтому нейтрализация получается не совсем точной и схемы удовлетворительно работают только при достаточно высокой рабочей добротности (Qраб > 5. . . 10) «фазорасщепительных» контуров (контуров со средней точкой). Условие балансировки обеих схем имеет вид С 1*СN=Сас*С 2. Схемы нейтрализации обратной связи однотактного ГГВ: а - с сеточным фазовращателем; б - с анодным фазовращателем Введение нейтрализации может привести к появлению паразитных СВЧ автоколебаний, так как соединительные проводники нейтродинных конденсаторов имеют паразитную индуктивность, образующую с межэлектродными емкостями ламп, нейтродинных конденсаторов и индуктивностями выводов ламп дополнительные колебательные цепи. Такие СВЧ автоколебания называют нейтродинными. Для борьбы с ними снижают добротности нейтродинных контуров в диапазоне СВЧ параллельным подключением к нейтродинной шине безындуктивных резисторов R. 24
В диапазоне частот, много выше рабочей основную роль играют индуктивности выводов и монтажа, межэлектродные емкости. Сопротивление же рабочих контуров мало, и им можно пренебречь. Поэтому эквивалентная схема для УКВ и СВЧ, принимает вид, как на рис. г и д. Частота паразитных автоколебаний в таких схемах определяется индуктивностью La анода и выходной емкостью Cвых. Ее можно рассматривать как двухконтурный автогенератор, анодный контур которого образован элементами La и Сас или, точнее, Свых, сеточный — элементами (Lc + Lk) и Сс1 к. На частоте возможной генерации оба эти контура должны иметь индуктивные сопротивления, а сама схема представляет собой индуктивную трехточку. 25
Устранение паразитной генерации автоколебаний СВЧ проще всего достигается снижением добротности паразитных СВЧ колебательных контуров с помощью последовательно в цепь сетки или анода небольших безындуктивных резисторов. Даже при большом запасе устойчивости резонансы в паразитных СВЧ колебательных контурах, совпадая с гармониками рабочей частоты, могут приводить к паразитной генерации вынужденных колебаний СВЧ и к существенному искажению рабочего режима. В результате ГВВ не отдает требуемую мощность, неожиданно переходит в перенапряженный режим при возбуждении, меньшем расчетного, искажаются его амплитудные, частотные и модуляционные характеристики, возникают пробои изоляции и другие вредные явления. 26
Поэтому при наладке перед первым пуском мощного генератора необходимо проверять при пониженной мощности, нет ли паразитных резонансов в возможно более широком диапазоне частот, и устранять такие резонансы. Это можно, например, сделать, если установить режим пониженной мощности с очень малым углом отсечки и, изменяя частоту внешнего возбуждения, проверить избирательным вольтметром, детектором или даже неоновой лампочкой отсутствие больших напряжений в узлах, на деталях и проводниках устройства. При этом, если нет избирательного вольтметра или детектора, необходимо расстраивать или шунтировать основной резонансный контур. С увеличением выходной мощности генератора возрастают геометрические размеры ламп и деталей каскада, возрастает крутизна ламп, их проходная и другие межэлектродные емкости. Длина вывода катода и размеры других элементов монтажа и деталей становятся соизмеримыми с четвертью длины волны рабочих или возможных паразитных колебаний. Приходится учитывать распределенные паразитные параметры, скин-эффект и запаздывание сигнала в конденсаторах, катушках индуктивности, резисторах, ЭП. 27
27 В/(10 -180) м. А Схема ЛУ Рвых=150 Вт по схеме с ОК. Рвх=1 Вт. Для обеспечения устойчивой работы с большим Кр применена нейтрализация проходной емкости лампы VL 1. 28
Нейтрализация проходной емкости усилителя осуществляется емкостным делителем напряжения С 12 -С 14. Кроме нейтрализации, предотвращающей самовозбуждение усилителя на рабочей частоте, в усилителе приняты следующие меры по предотвращению самовозбуждения: микроволновому самовозбуждению препятствуют резисторы R 6 и R 7, самовозбуждение на длинных волнах, в котором участвуют дроссели в цепях анода и управляющей сетке, предотвращено шунтированием сеточного дросселя резистором R 9. Антипаразитный дроссель в цепи анода R 7, L 14 29
Скачать презентацию ПОБОЧНЫЕ ИЗЛУЧЕНИЯ РПУ Классификация побочных излучений ПИ ПИ
22_Побочные излучения.ppt