p-n переход Выполнил: студент 32 АСОИ Поляев П.
I p n U
Свойства p-n-перехода. 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси: d=10 -7 м, Dj = 0. 4— 0, 8 В.
2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.
3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости).
/, 2 — участок приближенно прямолинеен экспонента; 3 - пробой диода 0, 3 - обратный ток; 0, 1 - ток меняется нелинейно. Обратный ток обусловлен наличием неосновных носителей заряда.
Применение p-n перехода Диод Фотодиод-светодиод
Диод - 2 -электродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор с односторонней проводимостью электрического тока: он хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо — в другом. Это основное свойство диода используется, в частности, для преобразования переменного тока электросети в постоянный ток.
Фотодиод-светодиод Простейший фотодиод представляет собой обычный полупроводниковый диод, в котором обеспечивается возможность воздействия оптического излучения на р–n-переход. Светодиоды-полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Работа основана на физическом явлении возникновения светового излучения при прохождении электрического тока через p-n-переход. Цвет свечения (длина волны максимума спектра излучения) определяется типом используемых полупроводниковых материалов, образующих p-n-переход.
Пробой p-n перехода p n