ОЗУ Оперативное запоминающее устройство Поколение DDR SDRAM и

ОЗУ Оперативное запоминающее устройство. Поколение “DDR” (SDRAM) и её различия между другими версиями.

DDR 1 Другой стандарт памяти, DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), использованный для оснащения видеокарт с чипами n. Vidia Ge. Force 256, был основан на существующей технологии памяти, поэтому производители чипсетов обратили внимание именно на него. Память DDR обходится существенно дешевле в производстве, обеспечивает вдвое большую пропускную способность, поэтому идея применить ее не только для оснащения видеокарт, но и для построения основной системной памяти вполне логична. DDR 1 Рассмотрим существующие системы с процессором Pentium-III или Celeron. Процессор работает на шине с частотой 100 или 133 МГц, значит, максимальная мгновенная (без учета управляющих сигналов и задержек) скорость передачи данных от чипсета к процессору и наоборот составляет 100 x 8=800 или 133 x 8=1064 Мбайт в секунду. А память DDR, работающая на частоте 100 или 133 МГц, дает вдвое большую скорость — 1600 и 2128 Мбайт в секунду. Тем самым DDR 1 обгоняет сам процессор по скорости!

DDR 2 Как и DDR, DDR 2 использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной RAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR 2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для RAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR 2 от DDR 1! Внешнее отличие модулей памяти DDR 2 от DDR — 240 контактов (по 120 с каждой стороны). DDR 2 Преимущества по сравнению с DDR üБолее высокая полоса пропускания üКак правило, меньшее энергопотребление üУлучшенная конструкция, способствующая охлаждению. Недостатки по сравнению с DDR Обычно более высокая CAS-латентность* (от 3 до 6) Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше. *Задержка-CAS (англ. column address strobe latency) — это время (в циклах) ожидания между запросом процессора на получение ячейки с информацией из памяти и временем, когда оперативная память сделает первую ячейку доступной для чтения.

DDR 3 У DDR 3 уменьшено на 15% потребление энергии по сравнению с модулями DDR 2, что обусловлено пониженным (1, 5 В, по сравнению с 1, 8 В для DDR 2 и 2, 5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Возможности микросхем DDR 3 q. Предвыборка 8 байт q. Функция асинхронного сброса с отдельным контактом q. Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне q. Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей q. Выполнение CAS Write Latency за такт q. Встроенная терминация данных q. Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней) q. Автоматическая калибровка шины данных Преимущества по сравнению с DDR 2 üБо льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с) üМеньшее энергопотребление DDR 3 Недостатки по сравнению с DDR 2 Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

DDR 4 Новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR 2, DDR 3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года. Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR 4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти. Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR 4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте. ) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c.

Диаграмма использования DDR Поколение DDR (SDRAM) 1 -2% 17% 37% DDR 1 DDR 3 44% DDR 2 DDR 4