ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО Элементная база преобразователей

ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО Элементная база преобразователей частоты вентильных электродвигателей

Полностью управляемые полупроводниковые приборы и их параметры Диоды Шоттки УГО и структура диода Шоттки: 1 – низкоомный исходный кристалл кремния, 2 – эпитаксиальный слой высокоомного кремния, 3 – контакт металл-полупроводник, 4 – металлический контакт Выпрямительные диоды Б(B) – база (Base), Э(E) – эмиттер (Emitter), К(C) – коллектор (Collector) MOSFET (field-effect transistors) Обозначения электродов: З(G) – затвор (Gate), И(S) – исток (Source), С(D) – сток (Drain). Биполярные транзисторы Полевые транзисторы с p-n-p и n-p-n типов изолированным затвором

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT–Insulated Gate Bipolar Transistor) Схема построения биполярного транзистора с изолированным затвором Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) Структура IGBT

Схема инвертора на комплементарной паре МОП-транзисторов Обобщенная схема трехфазного мостового инвертора на основе КМОП-элементов

Схемы модулей IGBT: а - одноключевого; б - двухключевого (полумостового); б - трехфазного мостового; в - преобразователя частоты по схеме выпрямитель-инвертор Схемы силовых модулей: а - двухключевого (полумостового) на базе MOSFET; б - полумостового на базе IGBT; в - диод-транзисторного; г - транзистор-диодного; 1 -3 - силовые выводы; 4 -7 - выводы цепей управления