Отчёт по научно-производственной практике Выполнил: Абдуллаев Д. А. группа ЭН-1 -08
Цели практики: • Нахождение оптимального рецепта и метода удаления пассивирующих слоёв микросхемы с максимально спланаризованной поверхностью образца • Проведение самостоятельного исследования образцов на научном оборудовании
Этапы проведённой работы 1) Декапсулирование микросхемы
• Контроль чистоты поверхности образца на оптическом микроскопе
2) Нахождение оптимального рецепта для наибольшей селективности травления Si 3 N 4 к Si. O 2 Зависимость селективности травления нитрида от добавки CHF 3
Зависимость селективности травления от давления в камере
Зависимость селективности травления нитрида кремния от мощности RF генератора
На основе проведённых экспериментов был выбран оптимальный рецепт с наибольшей селективностью травления. Далее этот рецепт применялся для стравлевания верхнего пассивирующего слоя Si 3 N 4.
3) Планаризация микросхемы После удаления верхнего слоя пассивации необходимо спланаризовать образец. Для этого была проведена серия экспериментов по полировке образца в установке ионно-лучевого травления IM 50. Изменялся угол падения пучка ионов и мощность генератора и напряжение на сетках
Снимки кросс секций чипов: 5 – левая верхняя, 10 – правая верхняя, 15 – левая нижняя, 25 - правая нижняя
Снимки кросс секций чипов: 1 – 650 В, 150 Вт; 2 - 750 В, 250 Вт; 3 – 850 В, 350 Вт
Удаление оставшегося слоя оксида кремния
4) Удаление первого слоя металлизации
После полировки пристенков
Заключение Во время прохождения практики в лаборатории УНО «Электроника» мною были проведены серии экспериментов, в результате которых были найдены оптимальные рецепты и методы удаления пассивирующих слоёв микросхем с максимально спланаризованной поверхностью образца. Все эксперименты и исследования образцов были проведены самостоятельно.
Скачать презентацию Отчёт по научно-производственной практике Выполнил Абдуллаев Д А
Отчёт по практике 9 семестр.pptx