Скачать презентацию Основы кристаллографии Основателем современных представлений о кристаллах Скачать презентацию Основы кристаллографии Основателем современных представлений о кристаллах

Л2. Индексы Миллера 2012.ppt

  • Количество слайдов: 52

Основы кристаллографии Основы кристаллографии

Основателем современных представлений о кристаллах считается французский ученый Рене Жюст Гаюи (1743— 1822). Центральное Основателем современных представлений о кристаллах считается французский ученый Рене Жюст Гаюи (1743— 1822). Центральное место в работе Гаюи занимало изучение кристаллов. Долгое время он стремился вскрыть логическую связь между геометрией внешней формы кристаллов и их внутренним строением.

Рисунок Гаюи, и поясняющий модель построения кристалла из «элементарных кирпичиков» . Рисунок Гаюи, и поясняющий модель построения кристалла из «элементарных кирпичиков» .

ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ Кристаллы Кристаллические материалы могут существовать как в форме крупных монокристаллов ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ Кристаллы Кристаллические материалы могут существовать как в форме крупных монокристаллов или достаточно тонких монокристаллических слоев, нанесенных на подложку, так и в виде поликристаллических веществ, представляющих собой совокупность большого числа сросшихся друг с другом сравнительно мелких кристаллических зерен (кристаллитов). Под монокристаллом понимают однородное твердое тело периодического строения без явных макродефектов структуры, вызывающих нарушение дальнего порядка в расположении атомов, ионов или молекул. В случае поликристалла в пределах каждого зерна также сохраняется упорядоченность структуры, однако регулярное расположение частиц нарушается на границах раздела, при переходе от одного зерна к другому. Граница между зернами представляет собой переходной слой толщиной 1÷ 5 нм.

Элементы зонной теории твердого тела Положение энергетических зон у диэлектриков, полупроводников и металлических проводников Элементы зонной теории твердого тела Положение энергетических зон у диэлектриков, полупроводников и металлических проводников 1 – валентная зона; 2 – зона проводимости; 3 – запрещенная зона;

Симметрия кристаллов Термин «симметрия» (от греч. — соразмерность, синонимы: однородность, пропорциональность, гармония), как предполагают, Симметрия кристаллов Термин «симметрия» (от греч. — соразмерность, синонимы: однородность, пропорциональность, гармония), как предполагают, ввел в обиход Пифагор (VI в. до н. э. ), обозначив им пространственную закономерность в расположении одинаковых фигур или их частей.

Симметрия кристаллов • Основу симметрии кристаллической решетки составляет ее пространственная периодичность - свойство совмещаться Симметрия кристаллов • Основу симметрии кристаллической решетки составляет ее пространственная периодичность - свойство совмещаться с самой собой при параллельных переносах, или трансляциях, на определенные расстояния и в определенных направлениях. • Симметричной фигурой называется фигура, которая может совместиться сама с собой в результате симметричных преобразований. • Русский кристаллограф Федоров Е. С. определил симметрию, «как свойство геометрических фигур в различных положениях приходить в совмещение с первоначальным положением» . • Отражения и вращения, приводящие геометрическую фигуру в совмещение с самой собой, называются преобразованиями симметрии, или симметричными преобразованиями. Симметричное расположение атомов монокристалле платины, в

Симметрия кристаллов Кристаллические решетки большинства веществ имеют как правило несколько элементов симметрии. С элементом Симметрия кристаллов Кристаллические решетки большинства веществ имеют как правило несколько элементов симметрии. С элементом симметрии связана операция симметрии, при выполнении которой пространственная решетка переходит сама в себя. Элементом симметрии часто бывает поворотная ось на углы, называемая соответственно осью вращения (или поворотной осью). • Порядок оси симметрии n = 2π/α показывает, сколько раз фигура совместится сама с собой при полном обороте вокруг этой оси. В кристаллах возможны только оси симметрии 1, 2, 3, 4, 6 -го порядков. Другими элементами симметрии являются плоскость симметрии ( или зеркальная плоскость) и центр симметрии (часто его называют центром инверсии).

 • Центр симметрии или центр инверсии (I), - это особая точка внутри фигуры, • Центр симметрии или центр инверсии (I), - это особая точка внутри фигуры, характеризующаяся тем, что любая прямая, проведенная через центр симметрии, встречает одинаковые, соответственные точки фигуры по обе стороны от центра на равных расстояниях. • В связи с этим симметрическое преобразование в центре симметрии - это зеркальное отражение в точке, когда каждая точка фигуры отражается в центре так, что фигура как бы поворачивается при этом с лица наизнанку.

 • Осью симметрии n называется прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый • Осью симметрии n называется прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый определенный угол а фигура совмещается сама с собой. А Ж Задание. Пренебрегая несущественными деталями разбейте прописные буквы русского (латинского) алфавита по группам симметрии Я

С точки зрения кристаллографии важнейшее различие между разными типами кристаллических решеток— их разная симметрия. С точки зрения кристаллографии важнейшее различие между разными типами кристаллических решеток— их разная симметрия. 3 оси симметрии 4 -го порядка, перпендикулярные граням куба и проходящие через их центры 3 плоскости симметрии, перпендикулярные ребрам куба

Магнитная анизотропия ИЗОПЕРМА • Магнитный сплав изоперм имеет в составе 50% Fe и 50% Магнитная анизотропия ИЗОПЕРМА • Магнитный сплав изоперм имеет в составе 50% Fe и 50% Ni. • Входе обработки подвергают жесткой прокатке и рекристаллизации, получая квазимонокристаллическое состояние. • Материалы с такой структутрой применяют для изготовления слаботочных трансформаторов в которых нежелательны линейные искажения.

Решетки Бравэ Исходя из идеи о периодическом расположении центров сферических материальных частиц в кристаллическом Решетки Бравэ Исходя из идеи о периодическом расположении центров сферических материальных частиц в кристаллическом веществе, О. Бравэ в 1848 году показал, что все многообразие кристаллических структур можно описать с помощью 14 типов решеток, отличающихся по формам элементарных ячеек и по симметрии и подразделяющихся на 7 кристаллографических сингоний. Эти решетки были названы решетками Бравэ

Для выбора ячейки Бравэ используют три условия: • Симметрия элементарной ячейки должна соответствовать симметрии Для выбора ячейки Бравэ используют три условия: • Симметрия элементарной ячейки должна соответствовать симметрии кристалла, точнее наиболее высокой симметрии той сингонии, к которой относится кристалл. • Элементарная ячейка должна содержать максимальное число прямых углов и равных ребер. • Элементарная ячейка должна иметь минимальный объем. • По характеру взаимного расположения узлов все кристаллические решетки по Бравэ разбиваются на четыре типа: • примитивные (Р); • базоцентрированные (С); • объемно центрированные (J); • гранецентрированные (F).

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Пространственная решетка Трансляционная группа a≠b≠c; 1. Триклинная I – простая α ≠ β ≠ γ ≠ 90 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) 2. Моноклинная Пространственная решетка II – простая III – базоцентрированная Трансляционная группа a≠b≠c; α = γ = 90 о ; β ≠ 90 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) 3. Ромбическая (орторомбическая) Пространственная решетка IV – простая V – базоцентрированная VI – объемноцентрированная VII – гранецентрированная Трансляционная группа a≠b≠c; α = β = γ = 90 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) 4. Гексагональная Пространственна я решетка VIII – простая Трансляционная группа a=b≠c; α = β = 90 о ; γ = 120 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Пространственная решетка Трансляционная группа 5. Тригональная (ромбоэдрическая) IX – ромбоэдрическая (примитивная) a=b=c; α = β = γ ≠ 90 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ во взаимосвязи с кристаллическими системами Кристаллическая система (сингония) 6. Тетрагональная Пространственная решетка X – простая XI– объемноцентрированная Трансляционная группа a=b≠c; α = β = γ = 90 о

Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ Кристаллическая система (сингония) 7. Кубическая Пространственная решетка XII– Характеристика трансляционных групп пространственных решеток Бравэ Кристаллическая система (сингония) 7. Кубическая Пространственная решетка XII– простая XIII– объемно-центрированная XIV– гранецентрированная Трансляционная группа a=b=c; α = β = γ = 90 о Число атомов, содержащееся в элементарной кристаллической ячейке твердого тела называют кратностью кристаллической ячейки k

 • Закономерность и симметрия структуры кристалла - следствие динамического равновесия многих сил или • Закономерность и симметрия структуры кристалла - следствие динамического равновесия многих сил или процессов. • Внешние воздействия, электрическое или магнитное поле, механическое усилие или добавление чужеродных атомов, могут нарушать это динамическое равновесие и соответственно менять свойства кристалла. Модель расположения частиц в веществе: а - кристалл; б - жидкость; в - газ.

Индексы Миллера • Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования, удобный Индексы Миллера • Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования, удобный для всех кристаллографических систем координат, независимо от того, прямоугольны они или косоугольны, одинаковые у них масштабные отрезки или разные. • Кристаллическая решетка характеризуется шестью параметрами элементарной ячейки: длинами ребер (трансляциями)и углами. • Набор элементарных углов α, β, γ и элементарных трансляций a, b, c, называется метрикой

 • Знание элементов симметрии не всегда дает полное представление о кристаллах. • На • Знание элементов симметрии не всегда дает полное представление о кристаллах. • На схеме приведены кристалла резко отличающихся внешним видом, но относящихся к одному виду тетрагональной сингонии. • Необходимо выяснить взаимное расположение граней в пространстве. • Для этой цели применяются кристаллографические символы, определяющие положение любой грани кристалла относительно координатных осей и некоторой грани, принятой за исходную. • Понятие о кристаллографических символах вытекает из важнейшего закона кристаллографии – закона рациональности отношений параметров.

Индексы Миллера любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами Индексы Миллера любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами - индексами Миллера, которые обладают следующими свойствами: • это целые, не имеющие общего множителя числа; • они обратно пропорциональны отрезкам, отсекаемымплоскостью от начала координат; • все параллельные плоскости обозначаются одним набором индексов Миллера; • если плоскость параллельна какой-либо оси, соответствующий индекс равен нулю; • в кристаллах кубической системы плоскость и нормаль к ней обозначаются одинаковым набором индексов Миллера.

Индексы узлов • • Положение любого узла в решетке, относительно выбранного начала координат определяется Индексы узлов • • Положение любого узла в решетке, относительно выбранного начала координат определяется заданием трех его координат - x, y, z. Эти координаты можно выразить следующим образом: x = ua, y = vb , z = wc, где a, b, c - параметры решетки; u, v, w - целые числа. • • Если за единицу измерения длин вдоль осей решетки принять параметры самой решетки a, b, c, то координатами узла будут просто числа u, v, w, которые называются индексами узла и записываются так: [[uvw]]. Для отрицательного индекса знак минуса ставится над индексом [[uvw]].

Индексы направления • Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. Индексы направления • Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. • Ее положение однозначно определяется индексами u, v, w первого узла, через который она проходит. Поэтому индексы узла [[uvw]] являются одновременно и индексами направления. • Совокупность направлений, которые могут симметрично совместиться друг с другом с помощью преобразований симметрии, свойственных одному классу симметрии, записывается в треугольные скобки < uvw >.

Индексы Миллера Примеры индицирования кристаллографических плоскостей в кубической решетке с помощью индексов Миллера. Когда Индексы Миллера Примеры индицирования кристаллографических плоскостей в кубической решетке с помощью индексов Миллера. Когда индицируемая плоскость параллельна какой-либо из координатных осей, индекс, соответствующий этой оси, обращается в ноль. Так в кубических кристаллах плоскость (110) параллельна оси Z , а плоскость (100) одновременно параллельна осям Y и Z. При отрицательных координатах узловых точек A , B или С отвечающие им индексы Миллера также становятся отрицательными, однако знак «минус» ставят не впереди индекса, а над ним. Например, грани куба (100) и (Ī 00) ориентированы параллельно другу, но расположены по разные стороны относительно плоскости YZ.

Индексы Миллера Примеры индицирования кристаллографических плоскостей и направлений в кубической решетке с помощью индексов Индексы Миллера Примеры индицирования кристаллографических плоскостей и направлений в кубической решетке с помощью индексов Миллера. В кубических кристаллах направления и плоскости с одинаковыми индексами взаимно перпендикулярны другу. Положительное направление оси X индицируют как [100] , оно является нормалью к плоскости (100). Положительное направление оси Y обозначают символом [010] , отрицательное направление оси Z – [00Ī] , диагональ куба – [111] и т. д.

Индексы Миллера (Ī 00) {100} {111} Плоскости, различающиеся индексами Миллера, но эквивалентные в кристаллографическом Индексы Миллера (Ī 00) {100} {111} Плоскости, различающиеся индексами Миллера, но эквивалентные в кристаллографическом и физическом смысле в соответствии с симметрией кристалла называют эквивалентными плоскостями. В кубических решетках эквивалентными являются грани (100). (010), (001), (Ī 00), (0Ī 0) и (00Ī). Семейство эквивалентных плоскостей обозначаются индексами Миллера, заключенным в фигурные скобки, например, {100} или {111}. Последнее семейство включает в себя восемь плоскостей, образующих при пересечении правильный октаэдр

Индексы Миллера (Кристаллографические индексы) В кристаллографии принято характеризовать плоскости (или направления к ним) не Индексы Миллера (Кристаллографические индексы) В кристаллографии принято характеризовать плоскости (или направления к ним) не параметрами решетки (параметрами Вейса), а индексами Миллера. Индексы Миллера – три целых взаимно простых числа (hkl) обратно пропорциональных измеренным в осевых единицах отрезкам, отсекаемым плоскостью по координатным осям ОА=1 а; ОВ=4 b; OC=2 c Индексы Миллера (hkl) для данной кристаллографической плоскости представляются в виде решения уравнения плоскости, пересекающей оси координат, в отрезках: (412) К определению индексов Миллера

Индексы Миллера Чтобы определить индексы Миллера какой либо кристаллографической плоскости необходимо: • взять обратные Индексы Миллера Чтобы определить индексы Миллера какой либо кристаллографической плоскости необходимо: • взять обратные значения координат точек пересечения плоскости (А, В и С) с осями координат (X , Y , Z) отрезков 0 А , 0 В и 0 С, выраженные в единицах периодов трансляции К определению индексов Миллера • привести к общему знаменателю (в нашем случае это « 4» ); • дополнительные множители и будут индексами Миллера

Индексы Миллера К построению кристаллографической плоскости по значениям определению индексов Миллера Чтобы построить кристаллографическую Индексы Миллера К построению кристаллографической плоскости по значениям определению индексов Миллера Чтобы построить кристаллографическую какую либо плоскость по индексам Миллера (hkl) необходимо решить обратную задачу: • взять значения, обратные индексам Миллера • привести к общему знаменателю • . Дополнительные множители и будут координатами точек пересечения плоскости с осями координат X , Y , Z, выраженными в единицах периодов трансляции : OA=1 a ; OB=4 b ; OC=2 c

Использование индексов Миллера в рентгеноструктурном анализе • Зная индексы (hkl) плоскости, можно подсчитать межплоскостное Использование индексов Миллера в рентгеноструктурном анализе • Зная индексы (hkl) плоскости, можно подсчитать межплоскостное расстояние d между плоскостями (hkl) данного семейства для кубических кристаллов с периодом решетки a по формуле • Эта зависимость широко используется при рентгеноструктурном анализе кристаллических тел, имеющих кубическую решетку.

 • • Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции • • Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции отраженных рентгеновских лучей от атомов в параллельных кристаллографических плоскостях кристалла. Лучи, отраженные от этих плоскостей, будут усиливать друга при условии, когда разность пути Δ для лучей равна целому числу длин волн λ: где n — целое число; λ — длина волны рентгеновских лучей; d — межплоскостное расстояние; υ — угол падения и отражения лучей. • Формула для расшифровки линий рентгенограмм, снятых с материалов с кубической решеткой, • получится из предыдущих формул : • • По промерам рентгенограммы устанавливают sinθ. Зная длину волны λ и параметр решетки а, устанавливают индексы плоскости (hkl) от которой получены соответствующие линии на рентгенограмме.

ОСЕВАЯ ПОРИСТОСТЬ При кристаллизации слитка осевая зона незатвердевшего металла все время сужается и в ОСЕВАЯ ПОРИСТОСТЬ При кристаллизации слитка осевая зона незатвердевшего металла все время сужается и в отдельных местах происходит срастание кристаллов, растущих с противоположных боков этой зоны. Под сросшимися кристаллами затвердевание идет без доступа жидкого металла сверху из прибыльной части слитка и поэтому в этих местах образуются мелкие усадочные пустоты.

Домены Домены

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ Направления легкого, среднего и трудного намагничивания в ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ Направления легкого, среднего и трудного намагничивания в монокристаллах ферромагнитных кристаллов: а — железа; б – икеля в — кобальта

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ рисунке Кривые намагничивания кристаллов железа и никеля ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ рисунке Кривые намагничивания кристаллов железа и никеля вдоль различны» кристаллографических направлений

Магнитострикция Зависимость магнитострикционной деформации поликристаллов железа, кобальта и никеля от напряженности внешнего поля Магнитострикция Зависимость магнитострикционной деформации поликристаллов железа, кобальта и никеля от напряженности внешнего поля

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ 1. Изобразить а) 2 из 6 осей симметрии 2 -го порядка, ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ 1. Изобразить а) 2 из 6 осей симметрии 2 -го порядка, параллельные диагоналям граней куба, проходящие через середины противоположных ребер; б) 3 оси симметрии 4 -го порядка, перпендикулярные граням куба и проходящие через их центры; в) 4 оси симметрии 3 -го порядка, параллельные диагоналям куба, проходящие через его вершины. 2 Являются ли направления физически равноценными в симметричности решетки: [ 110 ]; [ 101 ]; [ 011 ]; [Ī 10]? . 3. Определите кристаллографические плоскости силу

Задачи Задачи