Определение характеристики ПИ Характеристика приемника излучения ПИ это

Определение характеристики ПИ Характеристика приемника излучения (ПИ) это свойство приемника, которое может быть описано несколькими значениями каких-либо параметров и выражено в виде графика или таблицы. Различают спектральные, вольтовые, частотные, температурные, фоновые, временные, пространственные, люксомические, энергетические и световые характеристики ПИ.

Спектральные характеристики ПИ 1 – сернисто-кадмиевый фоторезистор Cd. S; 2 – кремниевый фотодиод; 3 – германиевый фотодиод; 4 – неохлаждаемый фоторезистор Pb. S 295; 5 – охлаждаемый фоторезистор Pb. S 78; 6 – охлаждаемый фоторезистор In. Sb 78; 7 – глубокоохлаждаемый (Т=ЗО К) фоторезистор Ge; 8 – охлаждаемый фотоприемник (фоторезистор, фотодиод) Hg 1 -x. Cdx. Te при х=0, 95 и температуре охлаждения Т=70 К; 9 – то же, при х=0, 1 и температуре охлаждения Т=83 К; 10 – охлаждаемый фоторезистор Go: Au 78

Частотные характеристики ПИ а) тепловых приемников: 1 - металлического болометра с давлением гелия в баллоне 13, 3 Па; 2 - то же с давлением 10130 Па; 3 - полупроводникового болометра; б) сернисто-свинцового и сурьмяно-индиевого фоторезисторов: 4 - охлаждаемых до 195 К; 5 - неохлаждаемых; 6 - сурьмяно-индиевых охлаждаемых до 78 К; в) германиевого фотодиода; г) фотоэлектронного умножителя

Вольтовые характеристики Зависимости изменения среднеквадратичного значения шумов (кривая 1), амплитуды сигнала (2) и отношения сигнал/шум (3) от питающего напряжения для фоторезистора Pb. Se

Зависимости параметров от мощности излучения • Люкс-омическая характеристика фоторезистора – зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности; • Световая характеристика фотоумножителя – зависимость анодного тока фотоумножителя от значения потока; • Энергетические характеристики - зависимости силы тока или напряжения сигнала от потока излучения, падающего на ПИ; • И ряд других характеристик.

Энергетические характеристики Графики энергетических характеристик для фотодиодного (а) и генераторного (б) режимов работы фотодиода; сопротивление нагрузки: 1 – 10 к. Ом; 2 – 20 к. Ом; 3 – 50 к. Ом

Температурные характеристики Зависимость темнового тока кремниевого фотодиода ФД-24 К от температуры слоя Зависимость D* от температуры слоя фоторезисторов Ge: Hg (1) и Cd. Hg. Te (2)

Временные и пространственные характеристики Переходные характеристики - описывают изменение сигнала на выходе ПИ при внезапном облучении или затемнении его чувствительного слоя. Зонная характеристика - распределение чувствительности по площадке приемника. Угловая характеристика чувствительности – зависимость чувствительности от угла падения лучей на чувствительный слой ПИ. Координатная характеристика (для координатных ПИ) – зависимость сигнала на выходе ПИ от координаты изображения (пятна) на чувствительном слое. Временной дрейф нулевой точки координатного ПИ – смещение нулевой точки координатной характеристики при постоянной температуре в течение заданного интервала времени. К временным характеристикам можно отнести также зависимости изменения параметров приемника во времени, характеризующие их стабильность.

Схемы включения фоторезисторов Типовая схема включения фоторезистора

Схемы включения фоторезисторов Мостовая схема включения фоторезисторов Транзисторные каскады с регулируемым коэффициентом усиления

Схемы включения фотодиодов (1) (2) (3) (4) Электрические схемы включения фотодиода: а — генераторный режим работы фотодиода; б — фотодиодный режим работы фотодиода

Схемы включения фотодиодов (5) (6) Электрическая принципиальная схема включения фотодиода с использованием операционного усилителя

Схемы включения фототранзисторов Электрическая схема включения фототранзистора (7) Электрическая принципиальная схема включения фототранзистора

Схемы включения фотоумножителей Электрическая принципиальная схема включения ФЭУ с полевым транзистором на входе усилителя

Схемы включения термоэлементов Схемы включения термоэлектрических приемников излучения: а — термопара; б — термоприемник из двух термопар