Оперативная память Оперативная память

Оперативная память

Оперативная память (ОЗУ — оперативное запоминающее устройство, она же RAM) предназначена для временного хранения и передачи данных и команд процессору, для выполнения им операций. Память состоит из ячеек, каждая из которых предназначена для хранения определенного объема данных, как правило, одного или четырех бит. Чипы памяти работают синхронно с системной шиной. Компьютерная оперативная память является динамической (отсюда - DRAM или Dynamic RAM) - для хранения данных в такой памяти требуется постоянная подача электрического тока, при отсутствии которого ячейки опустошаются. Чем меньше тайминги при одной тактовой частоте, тем быстрее память. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте. Все дело в том, что, оперативная память работает синхронно с системной шиной, поэтому память с частотой, не кратной частоте системной шины и с пропускной способностью, превышающей пропускную способность системной шины никаких преимуществ перед более дешевой не имеет.

Виды оперативной памяти Существует много различных видов оперативной памяти, но их все можно подразделить на две основные подгруппы - статическая память (Static RAM) и динамическая память (Dynamic RAM). Эти два типа памяти отличаются, прежде всего, различной в корне технологической реализацией - SRAM будет хранить записанные до тех пор, пока не запишут новые или не отключат питание, а DRAM может хранить данные лишь небольшое время, после которого данные нужно восстановить (регенерировать), иначе они будут потеряны. Рассмотрим достоинства и недостатки SRAM и DRAM: - Память типа DRAM, в силу своей технологии, имеет большую плотность размещения данных, чем SRAM. - DRAM гораздо дешевле SRAM, но последняя, производительнее и надежнее, поскольку всегда готова к считыванию.

Тип оперативной памяти На сегодняшний день в мире наиболее предпочтительным типом памяти являются модули памяти DDR(double data rate). Они различаются по времени выпуска и конечно же техническими параметрами. n DDR или DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Модули данного типа имеют на планке 184 контакта, питаются напряжением в 2, 5 В и имеют тактовую частоту работы до 400 МГц. Данный тип оперативной памяти уже морально устарел и используется только в стареньких материнских платах. n DDR 2 - широко распространенный на данное время тип памяти. Имеет на печатной плате 240 контактов (по 120 на каждой стороне). Потребление в отличие от DDR 1 снижено до 1, 8 В. Тактовая частота колеблется от 400 МГц до 800 МГц. n DDR 3 - лидер по производительности на момент написания данной статьи. Распространен не менее чем DDR 2 и потребляет напряжение на 30 -40% меньше в отличии от своего предшественника (1, 5 В). Имеет тактовую частоту до 1800 МГц. n DDR 4 - новый, супер современный тип оперативной памяти, опережающий своих собратьев как по производительности (тактовой частоте) так и потреблением напряжения (а значит отличающийся меньшим тепловыделением). Анонсируется поддержка частот от 2133 до 4266 Мгц. На данный момент в массовое производство данные модули ещё не поступили (обещают выпустить в массовое производство в середине 2012 года). Официально, модули четвертого поколения, работающие в режиме DDR 4 -2133 при напряжении 1, 2 В были представлены на выставке CES, компанией Samsung 04 января 2011 года.

Память динамического типа (DRAM (Dynamic Random Access Memory)) Экономичный вид памяти. Для хранения разряда используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов). Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. За то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени, память на конденсаторах получила своё название динамическая память. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов для восстановления необходимо «регенерировать» через определённый интервал времени. Регенерация выполняется центральным микропроцессором или контроллером памяти, за определённое количество тактов считывания при адресации по строкам. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливаются все операции с памятью, это значительно снижает производительность данного вида ОЗУ.

Память статического типа ( SRAM (Static Random Access Memory)) ОЗУ, которое не надо регенерировать (и обычно схемотехнически собранное на триггерах), называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзистов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи. Используется для сверхбыстрого ОЗУ, критичного к скорости работы.

Оперативная память DDR 2 4 Gb 6400 800 Mhz CORSAIR (1160 руб) Оперативная память DDR 2 4 Gb 6400 800 Mhz Kingston (1500 руб) CORSAIR: Kingston: Наименование: CORSAIR XMS 2 DHX Наименование: Kingston Value. RAM 4 GB DDR 2 PC 6400 DIMM CL 4 kit of 2 4 GB DDR 2 PC 6400 SO-DIMM CL 5 kit of Код товара: TWIN 2 X 4096 - 2 6400 C 4 DHX Код товара: KVR 800 D 2 S 5 K 2/4 G Производитель: CORSAIR Производитель: Kingston Вид памяти: DDR 2 Вид памяти: DDR 2 Стандарт: PC 6400 Стандарт: PC 6400 Емкость: 4 GB Емкость: 4 GB Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Тех. исполнение: DIMM Тех. исполнение: SO-DIMM Registered No Контроль четности (ECC) Non-ECC Битность 64 bits CAS Latency 4 CAS Latency 5 Питание: 2. 1 V В комплекте 2 модуля Гарантия Lifetime Гарантия 1 год Тайминг 4 -4 -4 -12

Память DIMM DDR 3 4096 MBx 4 PC 14400 1866 MHz Kingston Hyper. X Intel XMP CL 9 -11 -9 -27 [KHX 1866 C 9 D 3 K 4/16 GX] Retail Общие параметры Тип памяти: DDR 3 Форм-фактор: DIMM Основные Объем модуля памяти: 4 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тактовая частота: 1866 МГц Пропускная способность: 14400 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Количество контактов: 240 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1. 65 В Радиатор: есть Упаковка чипов: двусторонняя Количество ранков: 2 Тайминги CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (t. RCD): 11 Row Precharge Delay (t. RP): 9 Масса и объем в упаковке Вес: 0. 181 кг Объем: 0. 000681 м³