ОПЕРАТИВНА ПАМ ЯТЬ СУЧАСНИЙ РОЗВИТОК ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ ЯТІ ПЛАН

ОПЕРАТИВНА ПАМ’ЯТЬ СУЧАСНИЙ РОЗВИТОК ОПЕРАТИВНОЇ ПАМ’ЯТІ

ПЛАН Частина 1 Основні поняття про оперативну пам’ять Пам’ять типу DRAM Пам’ять типу SRAM Типи оперативної пам’яті і її продуктивність Пам’ять SDRAM Пам’ять DDR 2 SDRAM Пам’ять DDR 3 Пам’ять RDRAM Модулі пам’яті Модулі SIMM, DIMM i RIMM Регістрові модулі

Частина 2 Визначення обсягу та інших характеристик модулів пам'яті Банки пам’яті Швидкодія пам’яті Контроль парності і коди корекції помилок Збільшення об’єму пам’яті Стратегії модернізації Вибір та установка модулів пам’яті Придбання модулів пам’яті Заміна модулів пам’яті більш ємними версіями Установка модулів пам’яті SIMM, DIMM i RIMM Процедури локалізації дефекту пам’яті Логічна організація пам’яті Сучасний розвиток оперативної пам’яті

Частина 1 Основні поняття про оперативну пам’ять Оперативна пам'ять - це робочий простір процесора комп'ютера. У ньому під час роботи зберігаються програми і дані, якими оперує процесор. Оперативна пам'ять часто розглядається як тимчасове сховище, тому що дані і програми в неї зберігаються тільки при включеному комп'ютері.

Типи пам’яті ROM – Постійний запам’ятовуючий пристрій DRAM – Динамічне запам'ятовуючий пристрій з довільним порядком вибірки. SRAM – Статична оперативна пам'ять.

Пам’ять типу DRAM Динамічна оперативна пам'ять (Dynamic RAM - DRAM) використовується в переважній більшості систем оперативної пам'яті сучасних ПК. Основна перевага пам'яті цього типу полягає в тому, що її осередки дуже щільно упаковані, тобто в невелику мікросхему можна упакувати багато бітів, а значить, на їх основі можна організувати пам'ять великої ємності. Осередки пам'яті в мікросхемі DRAM - це крихітні конденсатори, які утримують заряди.

Екран смерті

Пам’ять типу SRAM Її особливість полягає в тому, що не потрібно регенерувати записані в ній дані, а отже вона набагато швидкодіюча від DRAM, що дозволяє працювати на частоті сучасних процесорів. Порівняння SRAM та DRAM Тип Вартість Щільність Швидкодія SRAM Висока Низька Висока DRAM Низька Висока Низька

Типи оперативної пам’яті і її продуктивність

Основні типи модулів пам’яті і їх швидкодія

Пам’ять SDRAM Це тип динамічної оперативної пам'яті (DRAM), робота якої синхронізується з шиною пам'яті. SDRAM передає інформацію в пакетах, що використовують високошвидкісний синхронізований інтерфейс. Характеристики модулів пам’яті SDRAM DIMM Довжина циклу, нс Частота, МГц Специфікація 15 66 PC 66 10 100 PC 66 8 125 PC 100 7, 5 133 PC 133 7, 0 143 PC 133

Пам’ять DDR SDRAM

Відношення між тактовим сигналом і циклами передачі даних пам'яті SDR і DDR

Типи і пропускна здатність модулів пам'яті DDR SDRAM

Типи і пропускна здатність нестандартних модулів пам'яті DDR SDRAM

Пам’ять DDR 2 SDRAM

Пам’ять DDR 2 для ноутбука

Типи і пропускна здатність модулів пам'яті DDR 2 SDRAM

Типи і пропускна здатність нестандартних модулів пам'яті DDR 2 SDRAM для розігнаних систем

Пам’ять DDR 3

Типи і пропускна здатність стандартних модулів пам'яті DDR 3

Пам’ять RDRAM Стандарт Rambus DRAM (RDRAM) є радикально новою архітектурою модулів пам'яті, які встановлювалися у високопродуктивних комп'ютерах з 1999 по 2002 рік. Компанії Intel і Rambus підписали угоду про співпрацю в 1996 році, відповідно до якого Intel зобов'язалася підтримувати пам'ять стандарту RDRAM до 2001 року.

Типи і пропускна здатність модулів RDRAM

Модулі пам’яті Процесор і архітектура системної плати (набори мікросхем) визначають ємність фізичної пам'яті комп'ютера, а також типи та форму використовуваних модулів пам'яті. За останні роки швидкість передачі даних і швидкість пам'яті значно виросли. Швидкість і розрядність пам'яті визначаються процесором і схемою контролера пам'яті.

Модулі SIMM, DIMM i RIMM Мікросхеми повинні бути одночасно і припаяними, і легко замінними. Цей принцип знайшов своє застосування в модулях SIMM. Як альтернативу установці окремих мікросхем пам'яті в абсолютній більшості настільних систем використовують модулі SIMM, DIMM або RIMM. Це невеликі плати з мікросхемами пам'яті, які вставляються в спеціальні роз'єми материнської плати.

Регістрові модулі

Частина 2 Визначення обсягу та інших характеристик модулів пам'яті

Маркування типових модулів DDR об'ємом 512 Мбайт та 1 Гбайт виробництва Crucial Technologies

Припустимо, у вас є модуль пам'яті, що містить мікросхеми зінаступної маркуваннями: MT 46 V 64 M 8 TG-75 - MT - Micron Technologies (виробник мікросхем пам'яті) - 46 - DDR SDRAM - V - напруга живлення 2, 5 В - 64 M 8 - 8 млн. рядків × 8 (одно 64) × 8 банків (часто задається у вигляді 64 Meg × 8) - TG – 66 - контактний копус мікросхеми TSOP -75 - час доступу 7, 5 нс при затримці CL 2 (DDR 266)

Банки пам'яті Процесор Разрядность шины данных Разрядность банка (без битов четности) Разрядность банка (с битами четности) Количество 8/9 разрядных модулей SIMM на один банк Количество 32/36 разряд ных модулей SIMM на один Банк Количество 64/72 разрядных модулей DIMM на один банк 8088 8 8 9 1 - - 8086 16 16 18 2 - - 286 16 16 18 2 - - 386 SX, SLC 16 16 18 2 - - 486 SLC, SLC 2 16 16 18 2 - - 386 DX 32 32 36 4 1 - 486 SX, DX 2, DX 4, 5 х86 32 32 36 4 1 - Pentium, Athlon и более новые в одноканальном режиме 64 64 72 - - 1 Pentium, Athlon и более новые в двухканальном режиме 64 128 144 - - 2

Швидкодія пам'яті

Контроль парності та коди корекції помилок (ECC) - Скачки в енергопостачанні або шум на лінії. Причиною може бути несправний блок живлення або настінна розетка. - Використання пам'яті з некоректним типом або характеристиками. Тип пам'яті повинен підтримуватися конкретним набором мікросхем - Електромагнітні завади. Пов'язана з розташуванням радіопередавачів поряд з комп'ютером, що іноді призводить до генерування паразитних електричних сигналів в монтажних з'єднаннях і схемах комп'ютера. Майте на увазі, що бездротові мережі, миші та клавіатури збільшують ризик виникнення перешкод. - Статичні розряди. Викликають моментальні скачки в енергопостачанні, що мо же вплинути на цілісність даних. - Помилки синхронізації. Не надійшли вчасно дані можуть стати причиною появи програмних помилок. Найчастіше причина полягає в невірних парамет рах BIOS, оперативної пам'яті, швидкодія якої нижче, ніж потрібно системі, розігнаних процесорах та інших системних компонентах. - Тепловиділення. Швидкісні модулі пам'яті характеризуються більш високими робочими температурами, ніж модулі застарілих типів. Більшість описаних проблем не призводять до припинення роботи мікросхем пам'яті (Хоча неякісне енергопостачання або статичну електрику можуть фізично їх пошкодити), однак можуть вплинути на збережені дані. Ігнорування збоїв, звичайно, - не кращий спосіб боротьби з ними. На жаль, саме цей спосіб вибрали сьогодні багато виробників комп'ютерів. Краще б вони підвищили відмовостійкість систем. Для цього необхідні механізми визначення і, можливо, управління помилок у пам'яті ПК. В основному для підвищення відмовостійкості в сучасних комп'ютерах застосовуються такі методи: - контроль парності; - коди корекції помилок (ECC).

Збільшення обсягу пам'яті

Стратегії модернізації Існує кілька способів визначити необхідний тип модулів. - Уважно розгляньте модулі, встановлені в системі. На кожному з них є маркування, що містить всі необхідні відомості про його ємності та швидкодії. . - Перевірте систему за допомогою утиліти конфігурування пам'яті від виробника

Вибір та установка модулів пам'яті

Придбання модулів пам'яті

Заміна модулів пам'яті більш ємними версіями

Установка модулів пам'яті DIMM, RIMM або SIMM

Установка модулів пам'яті DIMM, RIMM

Встановлення модулів SIMM

…двома великими пальцями …

Модуль SIMM, встановлений в роз'ємі (затискачі блокували його на місці)

Процедури локалізації дефекту пам'яті

Алгоритм виконання процедури локалізації дефекту

У цій системі використовуються змінені налаштування пам'яті, що може привести до нестабільной роботі

Логічна організація пам'яті

НОВИНКИ 2010 року

СЕРВЕРНІ ВЕРСІЇ

Samsung починає випуск модулів серверної пам'яті ємністю 32 ГБ

G. Skill показала комплект пам'яті ємністю 48 ГБ

ВЕРСІЇ ДЛЯ ПК

G. Skill показала комплекти пам'яті DDR 3 ємністю 24 ГБ

KINGMAX розробила модулі пам'яті з невидимим радіатором

Kingston випустила модулі пам'яті з системою водяного охолодження

Ge. IL випустила двоканальні комплекти пам'яті Black Dragon DDR 3 Gaming Series

НОВИНКИ 2011 року

G. Skill випустила серію модулів пам'яті Sniper для геймерів (Чорний)

Коричневий

Детальні технічні характеристики комплектів пам'яті G. Skill серії Sniper представлені в таблиці. Частота Схема синхронізації Ємкість Напруга Колір Модель Сумісні платформи 1333 МГц CL 9 -9 -9 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 5 В Чорний SR Intel P 55, P 67, H 61, H 67, X 58, AMD AM 3 1600 МГц CL 7 -8 -7 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 6 В Чорний SR Intel P 55, P 67, X 58 1866 МГц CL 9 -10 -9 -28 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 5 В Чорний SR Intel P 55, P 67, X 58 1333 МГц CL 9 -9 -9 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 35 В Коричневий SR 1 Intel P 55, P 67, H 61, H 67, X 58 1600 МГц CL 9 -9 -9 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 35 В Коричневий SR 1 Intel P 55, P 67, X 58 1333 МГц CL 9 -9 -9 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 25 В Чорний SR 2 Intel P 55, P 67, H 61, H 67, X 58 1600 МГц CL 9 -9 -9 -24 8 ГБ, 12 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ 1, 25 В Чорний SR 2 Intel P 55, P 67, X 58

AMD буде продавати пам'ять DDR 3 під брендом Radeon

Kingmax представила пам'ять Nano Gaming Ram сумісну з чіпсетом Intel 6 Series

Порівняння характеристик для плат з частотами 1333 МГц та 2400 МГц

Apacer представила швидкісний комплект пам'яті DDR 3 для платформи Intel

G. Skill анонсувала комплект пам'яті DDR 3 ємністю 8 Гб із частотою 2300 МГц

Corsair випустила чотирьохканальний комплект пам'яті DDR 3 об'ємом 32 ГБ для платформи LGA 2011

Samsung розробила перший у світі модуль пам'яті стандарту DDR 4

Hynix розробила чіпи і модулі пам'яті стандарту DDR 4

Дослідники розробили універсальну комп'ютерну пам'ять

Над презентацією працювали: Никорович Богдан Хромяк Олександр