Скачать презентацию Нитрид галлия. Основные свойства и применение. Ga. N Скачать презентацию Нитрид галлия. Основные свойства и применение. Ga. N

нитрид.ppt

  • Количество слайдов: 4

Нитрид галлия. Основные свойства и применение. Ga. N и твердые растворы на его основе Нитрид галлия. Основные свойства и применение. Ga. N и твердые растворы на его основе Студент Преподаватель Жукова Е. В. Субботин К. А.

Основные свойства Ø Ø Ø Элементарная ячейка типа вюрцит Теплопроводность: 130 Вт/(м*К) Ширина запрещенной Основные свойства Ø Ø Ø Элементарная ячейка типа вюрцит Теплопроводность: 130 Вт/(м*К) Ширина запрещенной зоны: 3. 39 э. В при 300 К Прямозонный полупроводник При легировании кислородом или кремнием проявляет электонный тип проводимости Ø При легировании магнием становится полупроводником дырочного типа Ø Высокая поверхностная концентрация дислокаций: от 100 млн до 10 млрд на см 2

Применение Широко используется для создания: § светодиодов § полупроводниковых лазеров § сверхвысокочастотных транзисторов § Применение Широко используется для создания: § светодиодов § полупроводниковых лазеров § сверхвысокочастотных транзисторов § массивов солнечных батарей на спутниках § в качестве подложек

Твердые растворы на основе Ga. N Особый интерес к твердым растворам обусловлен возможностью плавного Твердые растворы на основе Ga. N Особый интерес к твердым растворам обусловлен возможностью плавного управления шириной запрещенной зоны полупроводников путем изменения их компонентного состава.