Скачать презентацию Нитрид галлия Ga N Выполнил Соловьев Вячеслав 7 Скачать презентацию Нитрид галлия Ga N Выполнил Соловьев Вячеслав 7

1428105.ppt

  • Количество слайдов: 13

Нитрид галлия Ga. N Выполнил: Соловьев Вячеслав 7 Б Нитрид галлия Ga. N Выполнил: Соловьев Вячеслав 7 Б

Нитрид галлия - Бинарное неорганическое соединение галлия и азота. При обычных условиях очень твердое Нитрид галлия - Бинарное неорганическое соединение галлия и азота. При обычных условиях очень твердое вещество с кристаллической структурой. Прямозонный полупроводник с широкой запрещенной зоной – 3, 4 э. В (при 300 К).

Первые исследования структур на основе Ga. N 1930 -40 гг. – Принстонский университет США Первые исследования структур на основе Ga. N 1930 -40 гг. – Принстонский университет США

1980 -х гг. – Советский Союз и Япония В начале 1980 -х годов 1980 -х гг. – Советский Союз и Япония В начале 1980 -х годов приоритетными были работы Г. В. Сапарина и М. В. Чукичева (МГУ им. М. В. Ломоносова) и В. Г. Сидорова в Ленинградском Политехническом Институте (ныне Санкт. Петербургский Технический Университет). В конце 1980 -х годов японские ученые из университета Нагойи под руководством профессора

В самом начале 1990 -х годов японские исследователи создали первый светодиод на основе В самом начале 1990 -х годов японские исследователи создали первый светодиод на основе Ga. N-структур с p-n-переходом.

Через год после открытия первого светодиода на основе Ga. N – структур. Через год после открытия первого светодиода на основе Ga. N – структур.

Светодиоды на основе Ga. N с синим свечением Светодиоды на основе Ga. N с синим свечением

Нитрид галлия в настоящее время помимо оптоэлектронных приборов (светодиодов, лазеров, ультрафиолетовых фотоприемников) находит все Нитрид галлия в настоящее время помимо оптоэлектронных приборов (светодиодов, лазеров, ультрафиолетовых фотоприемников) находит все более широкое применение в твердотельной электронике благодаря уникальному сочетанию физических характеристик.

Транзисторы на нитриде галлия, о создании которых впервые сообщили в начале 1993 года разработчики Транзисторы на нитриде галлия, о создании которых впервые сообщили в начале 1993 года разработчики компании APA Optics во главе с М. Ханом (M. Khan), существенно расширили возможности приборов CВЧ - диапазона. Эти приборы способны работать в значительно более широком диапазоне частот и при более высоких температурах, а также с большей выходной мощностью по сравнению с приборами на кремнии, арсениде галлия, карбиде кремния или на любом другом освоенном в производстве полупроводниковом материале.

Сравнение габаритов усилителей РМ 24 -С 8 (Ga. As) и РМ 24 -G 2 Сравнение габаритов усилителей РМ 24 -С 8 (Ga. As) и РМ 24 -G 2 (Ga. N)

Гетероструктуры из слоев Ga. N и Ga. Al. N С их помощью можно в Гетероструктуры из слоев Ga. N и Ga. Al. N С их помощью можно в одном кристалле совместить блоки СВЧ с элементами управления, что позволяет резко сократить размер соответствующих устройств и значительно повысить надежность, поскольку при этом исчезают тысячи межкристаллических соединений.

Достоинства ü Работоспособность в более широком диапазоне частот и при более высоких температурах ü Достоинства ü Работоспособность в более широком диапазоне частот и при более высоких температурах ü Более высокая выходная мощность ü Меньше размеры приборов ü Высокая теплопроводность

Спасибо за внимание! Спасибо за внимание!