Модуль 2 Размерные эффекты в

Скачать презентацию Модуль 2   Размерные эффекты в Скачать презентацию Модуль 2 Размерные эффекты в

Модуль 2 МГУ.ppt

  • Количество слайдов: 84

> Модуль 2   Размерные эффекты в наноструктурах Модуль 2 Размерные эффекты в наноструктурах

> Традиционная цепочка (триада)  • Химический состав • Атомно-молекулярная структура • Физико-химические свойства Традиционная цепочка (триада) • Химический состав • Атомно-молекулярная структура • Физико-химические свойства

>Размерные эффекты      R    Размернозависимые области: Размерные эффекты R Размернозависимые области: • В химии и катализе 1… 10 нм • В нано- и опто-электронике 1. . . 100 нм • В механических и магнитных свойствах 1. . . 1000 нм

>   Размерные эффекты (РЭ) – значительные изменения физико- химических характеристик объекта при Размерные эффекты (РЭ) – значительные изменения физико- химических характеристик объекта при неизменном химическом составе в результате варьирования: • его внешних размеров • размеров морфологических size effects или структурных единиц • формы и размерности dimension effects В области малых размеров они могут иметь весьма разнообразную природу и приводить к сильным изменениям всех физико-химических свойств вещества без изменения его состава. Эти изменения могут носить различный характер и происходить для разных свойств в различных интервалах характерных размеров (даже для одного и того же вещества). Именно поэтому невозможно указать точно границы нанообласти без дополнительных уточнений. Образно говоря, свойства веществ (даже одноэлементных) зависят не только от положения элементов в периодической таблице Д. И. Менделеева, но и характерных размеров образца, т. е. R может играть роль третьей координаты в ней.

>Примеры ситуаций, в которых роль характерного размера выполняют  различные параметры системы Примеры ситуаций, в которых роль характерного размера выполняют различные параметры системы

>Типы размерных эффектов Типы размерных эффектов

> Типы размерных эффектов • РЭ можно классифицировать различным образом, принимая во внимание разные Типы размерных эффектов • РЭ можно классифицировать различным образом, принимая во внимание разные признаки. Так, на слайде показано деление на «геометрические» и «физические» РЭ. Последние могут иметь классическую или квантовую природу/объяснение и возникать из-за того, что при уменьшении размеров объекта они начинают приближаться (сравниваться) с длинами свободного пробега носителей или волн Де Бройля, корреляционными радиусами, критическими размерами зародыша новой фазы или домена, размерами атомов/молекул и т. п. • Так или иначе, возникновение РЭ приводит к тому, что интенсивные характеристики вещества (плотность, электро- и теплопроводность, коэффициент диффузии и др. ), которые не зависят от размеров или объема объекта в макрошкале, переходят в разряд экстенсивных, т. е. зависящих от размера системы и перестают совпадать с макроскопическими.

>   Конституционные и    революционные РЭ • Условно все РЭ Конституционные и революционные РЭ • Условно все РЭ можно разбить на два класса по признаку следования определенным скейлинговым соотношениям, согласующимся с некоторой моделью явления (эволюционные или конституционные РЭ), или, напротив, резкого отклонения от этого следования, т. е. аномального, не укладывающегося в данную модель поведения (революционные РЭ), при уменьшении характерных размеров системы ниже критических. • Примерами первых может служить монотонный рост лапласовского давления, отношения площади поверхности наночастиц (НЧ) к их объему (и соответствующее увеличение роли приповерхностных состояний и процессов) при уменьшении размеров НЧ, а вторых – проявления атомно- молекулярной дискретности, возникновение размерного (вторичного) квантования, квантового туннелирования, баллистического режима переноса при уменьшении наименьшего размера НЧ ниже некоторого критического.

>  Причины РЭ (классическое приближение) БОЛЬШАЯ ДОЛЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ИЛИ ЗЕРНОГРАНИЧНЫХ АТОМОВ ПО ОТНОШЕНИЮ Причины РЭ (классическое приближение) БОЛЬШАЯ ДОЛЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ИЛИ ЗЕРНОГРАНИЧНЫХ АТОМОВ ПО ОТНОШЕНИЮ К ОБЪЕМНЫМ НИЗКИЕ КООРДИНАТНЫЕ ЧИСЛА АТОМОВ НА ПОВЕРХНОСТИ, В УГЛАХ СТУПЕНЕК, УСТУПОВ, МАГИЧЕСКИЕ ЧИСЛА И Т. Д. ОЧИСТКА ОБЪЕМА ОТ ДЕФЕКТОВ СИЛАМИ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ЛИНЕЙНОГО И ПОВЕРХНОСТНОГО НАПРЯДЕНИЯ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ РАССЕЯНИЕМ, РЕКОМБИНАЦИЕЙ И ОТРАЖЕНИЕМ НА ГРАНИЦАХ, БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ РЕЖИМ ХАРАКТЕРНЫЙ РАЗМЕР НАНОЧАСТИЦЫ R СОПОСТАВИМ ИЛИ МЕНЬШЕ КРИТИЧЕСКОГО РАЗМЕРА ЗАРОДЫША Rn НОВОЙ ФАЗЫ, ДОМЕНА, ДИСЛОКАЦИОННОЙ ПЕТЛИ И Т. П.

> Причины РЭ квантовой  природы • Изменение электронных и фононных  спектров; Причины РЭ квантовой природы • Изменение электронных и фононных спектров; • Туннелирование; • Изменение роли обменного взаимодействия; • Приповерхностные состояния • «Обеднение» статистики ввиду уменьшения числа атомов в системе.

>   Другие причины РЭ  Реконструкция и релаксация поверхности Самоорганизация и самосборка Другие причины РЭ Реконструкция и релаксация поверхности Самоорганизация и самосборка Макро- • Изменение физических механизмов (сценариев, путей, траекторий процессов, Нано- лимитирующих стадий и т. п. ) или конечного результата

>  Физическая наномеханика  •  Динамика наночастиц и наносистем •  Нанофлюидика Физическая наномеханика • Динамика наночастиц и наносистем • Нанофлюидика • Пластичность и прочность материалов • Нанотрибология

>  Внутренняя динамика нанообъектов   0 Нормальные продольные  Нормальные  Внутренняя динамика нанообъектов 0 Нормальные продольные Нормальные Изгибные колебания стержня, радиальные кантилевера, боковых двухатомной молекулы колебания групп молекулы нанотрубки Частота собственных колебаний и добротность с уменьшением размеров растёт, т. к. m убывает быстрее, чем С

>  Особенности механического поведения    нанообъектов При уменьшении размеров деталей, компонентов Особенности механического поведения нанообъектов При уменьшении размеров деталей, компонентов гибридных устройств, отдельных частиц происходит следующее: § Растет частота их собственных колебаний, а следовательно, возможное быстродействие устройства. Так, при соблюдении геометрического подобия в стержнеобразном объекте длиной L и поперечным сечением S, в котором возбуждаются колебания типа осевого растяжения-сжатия, собственная частота 0 зависит от L как . В условиях геометрического подобия для консольной балочки прямоугольного сечения длиной L, шириной b и толщиной h (их широко используют в атомно- силовой микроскопии, сенсорах, актуаторах) . В устройствах нанометровых размеров 0 109 -1011 с-1, а молекулярных – 0 ~ 1012… 1014 с-1. § Роль поверхностных сил (трения, адгезии, капиллярных, кулоновских) и их вклад в динамику растут по отношению к объемным (гравитационным, магнитным, инерционным) как L-1, поскольку S/V ~ L-1. При L 100 нм механическое поведение наночастиц целиком зависит от поверхностных сил. § Роль термических флуктуаций нарастает.

> Схематическое изображение зависимости механических характеристик твердых тел от определяющего размера объекта I – Схематическое изображение зависимости механических характеристик твердых тел от определяющего размера объекта I – плохо исследованная область с R*≤ 10 нм; I +II – наномасштабная область; III – микромасштабная область действия закона Холла – Петча; IV – область проявления статистических масштабных эффектов, согласующаяся с теорией Вейбулла; E – модуль Юнга; s и t - нормальные и сдвиговые напряжения соответственно.

>Теоретическая прочность на сдвиг и растяжение     Одностенная  Одиночная Теоретическая прочность на сдвиг и растяжение Одностенная Одиночная углеродная полимерная Идеальный кристалл нанотрубка молекула 0, 1 G

>    Прочность в наношкале Прочность кристаллической решетки на разрыв и на Прочность в наношкале Прочность кристаллической решетки на разрыв и на сдвиг определяется в первую очередь силами связи атомов в решетке. (Необратимый сдвиг приводит к пластическому течению, искажающему форму детали, что в большинстве случаев делает её непригодной к дальнейшей эксплуатации. Поэтому такую ситуацию и определяют как прочность на сдвиг). Предельные напряжения, которые вызывают потерю упругой устойчивости идеальной (бездефектной) кристаллической решетки называют теоретическим пределом прочности на растяжение th и сдвиг th при действии нормальных и касательных напряжений соответственно. Дадим простейшую оценку этих величин в рамках классической модели твердого тела. Положим, что межатомные силы при сдвиге одной кристаллической плоскости относительно другой меняются по гармоническому закону: (х)= max Sin(2 x/b). Для малых смещений x действует закон Гука (х)= Gx/d (G – модуль сдвига, d – расстояние между соседними плоскостями) и Sinx x. Тогда (при b d). Впервые такую оценку сделал Я. И. Френкель в 20 - е годы прошлого века. Другие, более строгие модели (в том числе и квантовые) также дают th 0, 1 G. Аналогично для растягивающих напряжений th 0, 1 Е (где Е – модуль th Юнга). Значения th и th превышают прочность реальных конструкционных материалов от 10 до 1000 раз, что говорит о наличии большого резерва упрочнения. Одним из перспективных способов является уменьшение структурных единиц материала (зерен, фаз, доменов) или самих изделий до нанометровых размеров. Их прочность приближается к теоретическим пределам за счет уменьшения числа и мощности присутствующих структурных дефектов, резко понижающих прочность традиционных материалов (более подробно см. Модуль 8).

>  Сухое трение и износ в   наношкале Схема взаимодействия двух Сухое трение и износ в наношкале Схема взаимодействия двух микрошероховатых поверхностей твердых тел Примеры возникновения динамических наноконтактов при абразивном (а) и эрозионном (б) износе; помоле в шаровой (в) и струйной (г) мельницах. Затемненные области высоких локальных напряжений и деформаций, F – сила, V – скорость

>Сухое трение, абразивный и эрозионный износ имеют колоссальное значение для практики. Они происходят не Сухое трение, абразивный и эрозионный износ имеют колоссальное значение для практики. Они происходят не по всей видимой контактирующей поверхности, а на микро-, субмикро- и нановыступах (обычное соотношение реальной площади контакта с кажущейся может составлять 0, 1 – 0, 001). Наноконтакты – это типичные нанообъеткы, свойства материала в которых существенно отличаются от объемных макроскопических. Так, предел текучести, твердость, хрупкость, вязкость разрушения в них могут во много раз отличаться от табличных макроскопических. Следует также учесть, что трение и износ – не есть чисто механические процессы. Большую роль в их механизмах играют физико-химические процессы в контактных пятнах, адгезионные, тепловые и электромагнитные явления. В неподвижных и скользящих наноконтактах возникают сложные электронные процессы, зачастую с проявлением размерного квантования. Весь этот комплекс наноконтактных процессов изучает недавно начавшая формироваться наука – нанотрибология. Её основная задача – вывести известные феноменологические законы трения и износа из «первых принципов» , т. е. фундаментальных принципов физики.

>    Коэффициент трения в    наношкале   Коэффициент трения в наношкале Коэффициен Среднеквад- Коэффициен т трения при ратичная т трения при испытаниях Материал высота испытаниях зондом из неровностей, шариком из Si 3 N 4, R=50 нм Si 3 N 4, R=3 мм нм Высокоориен ти-рованный пиролитичес 0, 09 0, 006 0, 1 кий графит Природный алмаз 2, 3 0, 04 0, 2 Монокристал лический Si 0, 14 0, 07 0, 4 (100) Springer Handbook of Nanotechnology (Ed. B. Bushan). Berlin. Springer. 2007. 1916 pp.

>На слайде показана зависимость силы трения от величины нормальной силы для наноконтакта. Видно, адгезия, На слайде показана зависимость силы трения от величины нормальной силы для наноконтакта. Видно, адгезия, добавляющая силу прижатия к приложенной извне, увеличивает трение. Тем не менее, обычно сухое трение в наношкале намного меньше, чем макромасштабное (некоторые примеры даны в таблице).

>  Сухое трение в атомной    шкале    Вариации Сухое трение в атомной шкале Вариации латеральной силы (б) на поверхности Трение на поверхности монокристалла Na. Cl в высокоориентированного пиролитического атомной шкале: малая нормальная сила – почти графита, часто используемого для контроля полностью обратимый процесс. Период достижения истинного атомного разрешения в осцилляций латеральной силы FL совпадает с атомно-силовой микроскопии. периодом кристаллической решетки Springer Handbook of Nanotechnology (Ed. B. Bushan). Berlin. Springer. 2007. 1916 pp.

>  Наиболее фундаментальный уровень в изучении любого явления в наномире может быть достигнут Наиболее фундаментальный уровень в изучении любого явления в наномире может быть достигнут при рассмотрении его электронно- спиновом и атомно-молекулярном уровне. На ряде материалов (чистых монокристаллических металлах, ионных и полупроводниковых кристаллах, пиролитическом графите, соединении Mo. S 2 и др. ) достигнуто атомное разрешение в регистрации сил трения при движении иглы атомно-силового микроскопа (см. Модуль 5) в режиме регистрации латеральных сил. Видно, что сила взаимодействия зонда с поверхностью модулируется с периодичностью кристаллической решетки. Для некоторых режимов сканирования можно добиться полной обратимости движения и равенства нулю средней величины силы трения. Основная причина диссипации энергии на атомарном уровне - неравномерность движения отдельных атомов, принадлежащих двум контактирующим поверхностям. При надлежащем выборе кристаллографического направления (обычно с большими индексами Миллера) и малой скорости движения небольшой группы атомов вдоль неподвижной поверхности экспериментально достигается «сверхскольжение» (аналог сверхпроводимости и сверхтекучести жидкого гелия), т. е. скольжение с нулевым трением. При не столь тщательно соблюдаемых условиях можно добиться снижения сухого трения в наномасштабе во много раз по сравнению с макроскопическим

> Поведение взвесей, суспензий, эмульсий  нанообъектов в гравитационном поле М  Крупные Поведение взвесей, суспензий, эмульсий нанообъектов в гравитационном поле М Крупные Средние Мелкие Распределение частицы Больцмана В гравитационном поле U=mgh=V gh Распределение частиц по высоте V( - 0)gh k. T V( - 0)gh<

>   Рассмотрим ансамбль не взаимодействующих между собой классических частиц массой m (модель Рассмотрим ансамбль не взаимодействующих между собой классических частиц массой m (модель идеального газа) в гравитационном поле g =9, 81 м 2/с. Эти частицы обладают в поле потенциальной энергией U=mgh и подчиняется статистике Больцмана, в соответствии с которой распределяются по высоте h (вследствие броуновского движения ) так, что в равновесии установится зависимость их концентрации n от h в виде . Здесь n 0=n при h=0 и учтено, что на частицы объемом V и плотностью в среде с плотностью 0 действует выталкивающая сила Архимеда FA=V 0 g. Для численной оценки рассмотрим конкретную суспензию сферических частиц серебра радиусом R в воде, помещенной в пробирку высотой H=0, 1 м при комнатной температуре (Т≈300 K). Тогда - 0≈ 104 кг/м 3, V = 4/3 R 3 и для частиц с R=5 нм n/n 0≈0, 95, для R=10 нм n/n 0≈0, 37, а для R=20 нм n/n 0≈10 -4. Отсюда следует, что ввиду экспоненциально сильной зависимости n/n 0 от V вблизи R=Rc≈10 нм происходит фактически скачок от равномерного распределения частиц по высоте (при R Rc) к их оседанию на дне сосуда (при R Rc). Частицы более легкие, чем жидкость, например, капельки жира в молоке), будут не оседать, а всплывать. Частицы достаточно большого размера будут оседать (при > 0) или всплывать (при < 0) в жидкости.

>Характерное время  расслоения суспензии или эмульсии зависит от R,  - 0 и Характерное время расслоения суспензии или эмульсии зависит от R, - 0 и вязкости жидкости . В приведенном примере для наночастиц серебра с R = 20 нм Даже в воздухе с гораздо меньшей вязкостью, чем в воде, эта взвесь будет оседать около двух суток (в совершенно спокойных условиях). Средняя скорость конвективных потоков в жидкости, а тем более в воздухе в обычных условиях гораздо выше 10 -6 м/с. Для ускорения седиментационных процессов применяют центрифугирование, которое создает ускорение до 106 раз превышающее g, что резко сокращает продолжительность процесса.

>Течение жидкостей в наношкале  (нанофлюидика) FF    Граничное  Смешанное Течение жидкостей в наношкале (нанофлюидика) FF Граничное Смешанное Трение в трение толстых слоях (объемное) Сила трения Ff Течение ламинарное ~ 1 нм 2… 5 нм ~ 10 нм ~ 10 мкм Обобщенная зависимость Штрибека силы трения от скорости движения в жидкости с вязкостью

>  Движение жидкостей (особенно содержащих высокомолекулярные соединения, наночастицы) в наноразмерных каналах, порах, мембранах, Движение жидкостей (особенно содержащих высокомолекулярные соединения, наночастицы) в наноразмерных каналах, порах, мембранах, нанопористых средах сильно отличается от макроскопического. Для краткости всю специфику подобных ситуаций обозначают термином «наножидкости» или «нанофлюидика» . Ясно, что когда размер канала становится соизмеримым с размером движущихся по нему молекул или наночастиц, свойства жидкости сильно изменятся по сравнению с объемными. Это отражает обобщенная зависимость Штрибека.

>  Важнейшими особенностями движения  жидкостей в наношкале можно считать: 1. Ламинарный (безвихревой) Важнейшими особенностями движения жидкостей в наношкале можно считать: 1. Ламинарный (безвихревой) характер течения при любых реальных условиях, поскольку в наносистемах оно всегда характеризуется очень малыми значениями безразмерного числа Рейнольдса (физически оно означает отношение сил инерции к силам вязкости в жидкости) (здесь - скорость течения, d – эффективный поперечный размер канала или движущегося тела, и - плотность и вязкость жидкости соответственно). В этих условиях уравнение Навье-Стокса упростится до , имеющего известные решения для всех простых случаев (напомним, что переход к турбулентному течению 3

>    Продолжение 2. В большинстве случаев движение наножидкости по каналу приводит Продолжение 2. В большинстве случаев движение наножидкости по каналу приводит к образованию двойного электрического слоя в пристеночных слоях. Вследствие наличия зарядов в жидкости наложение внешнего электрического поля Е вызывает электроосмос – её движение вдоль канала со скоростью = Е/ (здесь - диэлектрическая проницаемость жидкости, - приповерхностный потенциал), т. е. реализуется нанонасос. 3. Движение жидкости в канале, обтекание препятствия и т. п. сопровождается образованием заторможенного приповерхностного (граничного слоя жидкости). Обычно он имеет толщину в несколько молекул, что составляет единицы (для высокомолекулярных жидкостей – до десятка) нанометров. Все процессы массо- и теплопереноса в этом слое происходят намного медленнее, чем в подвижных слоях. Если характерный размер гидродинамической задачи (например, диаметр капилляра или движущейся в потоке наночастицы)) приблизится к , все характеристики жидкости и процессов в ней резко изменятся, что и отражает эмпирическая кривая Штрибека для гидравлического сопротивления в области малых размеров.

>Капиллярные явления в наношкале Капиллярные явления в наношкале

>  Капиллярные явления есть частный случай поверхностных явлений с участием искривленных поверхностей контактирующих Капиллярные явления есть частный случай поверхностных явлений с участием искривленных поверхностей контактирующих тел, одно из которых жидкое. Из самого названия следует, что оно ярко проявляется в узких каналах, порах, капиллярах. Искривленная поверхность жидкости или твердого тела создает дополнительное (лапласовское) давление р. L, зависящее от величины и знака кривизны поверхности р. L = ± (1/r 1+1/r 2), где - поверхностное натяжение, r 1 и r 2 - главные радиусы кривизны в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Если r 1=r 2=r, то р. L = ± 2 /r. Выпуклая поверхность создает положительное давление, а вогнутая – отрицательное (оба направлены к центру кривизны). При больших значениях и малых r лапласовское давление может достигать значительных величин. Так, например, для капельки воды ( = 0, 075 Дж/м 2) диаметром 2 r = 3 нм р. L = 108 Па, т. е. в 1000 раз больше атмосферного, а для такой же капельки ртути ( = 0, 45 Дж/м 2) еще в 6 раз выше. Закон Лапласа сформулирован в макроскопических терминах, поэтому справедлив для r а, где а – характерный размер действия молекулярных сил (~ несколько нанометров). Капиллярные силы заставляют подниматься жидкость в тонких капиллярах (при смачивании стенок) и притягиваться смоченные наночастицы друг к другу.

> Давление пара над искривленной поверхностью  р=р0 +р. L    р0 Давление пара над искривленной поверхностью р=р0 +р. L р0 р = р 0 -р L Поскольку в капле жидкости давление выше, чем в окружающей среде, на величину лапласовского p. L, химический потенциал повышен на = p. L Vm = 2 Vm/r , где Vm - молярный объём вещества капли. С другой стороны r = 0+ RT ln p. R, где р. R – давление над искривленной поверхностью. Отсюда вытекает закон Кельвина - для выпуклой поверхности - для вогнутой поверхности Для р. L р0 по первому члену разложения экспоненты Аналогично этому предельная растворимость Сr вещества на выступе определяется соотношением Гиббса-Оствальда , где С 0 – растворимость вещества, ограниченного плоской поверхностью.

>  Явления переноса в  наноструктурах •  Электрический ток – перенос заряда Явления переноса в наноструктурах • Электрический ток – перенос заряда • Диффузия – перенос массы • Теплопроводность – перенос теплоты • Вязкость – перенос импульса Обобщенная формула для всех: I=-K grad U

>Большая группа явлений (наиболее известные и значимые представители которых поименованы выше) называется в физике Большая группа явлений (наиболее известные и значимые представители которых поименованы выше) называется в физике явлениями переноса и может быть рассмотрена с общих позиций. Все они реализуются под действием градиента какого- либо термодинамического потенциала в ходе неравновесного процесса, осуществляющего перенос в направлении, противоположном этому градиенту. При малых отклонениях системы от термодинамического равновесия поток некоторой величины I (количественной меры переноса заряда, массы, энергии, импульса, энтропии и т. д. через единицу площади в единицу времени) связан с обобщенной силой – градиентом обобщенного потенциала U (электрического , концентрации С, температуры Т, скорости потока и т. д. ) простым феноменологическим уравнением Ii = - Ki grad U, где Ki – коэффициент переноса. Термодинамика неравновесных процессов дает общую феноменологическую теорию таких процессов, а физическая кинетика позволяет вычислять кинетические коэффициенты в рамках той или иной микроскопической модели путем решения соответствующих кинетических уравнений.

>  Легко видеть, что простейшие физические законы, описывающие явления переноса (закон Ома, 1 Легко видеть, что простейшие физические законы, описывающие явления переноса (закон Ома, 1 -ый закон Фика, 1 -ый закон Фурье, формула Пуазейля, см. ниже), являются частными случаями обобщенного уравнения переноса. Закон Ома [Кл/м 2 с], 1 -ый закон Фика [кг/м 2 с], 1 -ый закон Фурье [Дж/м 2 с] , формула Пуазейля [ м 3 /м 2 с ]. Рассмотрим теперь на примере закона Ома микроскопические подходы к интерпретации и количественному определению соответствующего коэффициента переноса – удельной электропроводности . Легко показать, что в рамках классического рассмотрения = е n , где е – заряд носителя (электрона, иона, куперовской пары и др. ), n - концентрация носителей, - их подвижность (средняя скорость в единичном поле). Заметим, что - пропорциональна длине свободного пробега носителя между соударениями с рассеивающими центрами. Аналогичные соотношения между характеристиками ансамбля микроскопических объектов –носителей и макрокинетическим коэффициентом переноса можно ввести и для других кинетических явлений (более подробно см. учебники физики).

>  Особенности диффузии в    наноструктурах Наряду с диффузией, вызванной разностью Особенности диффузии в наноструктурах Наряду с диффузией, вызванной разностью концентраций в соседних микробъёмах, существует и диффузия под действием других движущих сил (электрического поля, упругих деформаций, разности температур, химических потенциалов и др. ). Она также происходит в результате почти случайного блуждания частиц, но имеет предпочтительное направление, задаваемое градиентом внешнего поля. В этом случае процесс правильнее называть миграцией. Диффузионный поток будет тогда определяться обобщенным законом Фика Учитывая, что при малых размерах объекта grad U может быть очень большим (в одномерном случае ) миграционные потоки могут стать очень значительными по отношению к чисто диффузионным. Другой важный момент определяется квадратичной зависимостью характерного времени диффузии от расстояния R, на которое распространяется диффузионный фронт: =АR 2/D, где А – безразмерный коэффициент ~ 1. Ясно, что при уменьшении R от макромасштабов до нано – величина упадет на много порядков величин.

>  Диффузия по свободным поверхностям и границам зерен     Сравнение Диффузия по свободным поверхностям и границам зерен Сравнение поверхностной, параллельной межзеренным границам и объемной диффузии тория в вольфраме при равных D 0 Физико-химические основы материаловедения / Готтштайн Г. ; пер. с англ. К. Н. Золотовой, Д. О. Чаркина; под ред. В. П. Зломанова. – М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. – 400 с.

>  Теплоперенос в наношкале • Существует 3 вида теплопереноса, способных идти параллельно: Теплоперенос в наношкале • Существует 3 вида теплопереноса, способных идти параллельно: Qсуммарная = Q теплопров. + Q конвект. + Q излучен. 1. Теплопроводность (в твердых телах, гелях, заторможенных слоях жидкости и т. п. ); 2. Конвекция (в движущихся слоях газов и жидкостей) 3. Излучение (путем обмена энергией с помощью электромагнитных волн преимущественно инфракрасного диапазона). Ввиду очень сильной зависимости интенсивности излучательного теплообмена от температуры (по четвертой степени от нее), она не имеет определяющего значения для биохимических реакций в живых организмах.

>   Некоторые особенности   теплопереноса в наношкале • Интенсивность стационарного теплопереноса Некоторые особенности теплопереноса в наношкале • Интенсивность стационарного теплопереноса при теплопроводности и конвекции определяется разностью температур и коэффициентами теплопроводности или теплоотдачи соответственно. Первый может отличаться в наношкале от макроскопического из-за изменений фононного спектра в наноструктурах, а второй – из-за сопоставимости толщины заторможенного граничного слоя теплоностителя с характерными размерами наноструктуры. • Режим нестационарной (неустановившейся) теплопроводности определяется величиной критерия Фурье (безразмерного времени) Fo = t/tc , где tc = R 2/K-характерное время термической диффузии, K – коэффициент температуропроводности. • При Fo значительно меньше 1 реализуется адиабатический режим, при Fo гораздо больше 1 – режим с интенсивным теплообменом и сильным снижением градиента температуры (по сравнению с адиабатическим). • Из-за малости R в наноструктурах безразмерное время течет для них быстро. Так, для частиц с R=10 нм, взвешенных в воде или водном растворе, Fo=1 соответствует реальному промежутку времени порядка 1 нс.

>Time dependence of MNP heating Time dependence of MNP heating

>  Temperature field distribution    around MNP    Temperature field distribution around MNP T(r, t)=T 0+qρRF 3/3λr(erfc((r-RF)/2(χt)1/2)- -exp(r/RF-1+χt/ RF 2) erfc((r-RF)/2(χt)1/2+(χt)1/2/ RF)) [W. Andrä, C. G. d’Ambly, R. Hergt, I. Hilger, W. A. Kaiser. Temperature distribution as function of time around a smallspherical heat source of local magnetic hyperthermia. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 194. p. 197 -203 (1999)]

>Размерные эффекты в  магнетизме Размерные эффекты в магнетизме

>Простейшая классификация магнетиков Простейшая классификация магнетиков

>Задолго до установления микроскопической природы магнитных свойств веществ их классифицировали по микроскопическим характеристикам – Задолго до установления микроскопической природы магнитных свойств веществ их классифицировали по микроскопическим характеристикам – величине магнитной проницаемости, поведению в магнитном поле, температурным зависимостям и др. Основные типы веществ согласно такой феноменологической классификации приведены в таблице. До последней трети прошлого века размерные эффекты в магнитных свойствах веществ систематически не исследовались. Результаты, полученные в последние десятилетия свидетельствуют, что уменьшение характерных размеров структуры может сильно (иногда драматически) повлиять на магнитные свойства как неупорядочивающихся, так и самоупорядочивающихся (по магнитным моментам) материалов. Некоторые примеры такого поведения будут даны ниже.

> Некоторые определения Магнитный  момент  Намагниченность Некоторые определения Магнитный момент Намагниченность

>Магнетики  Все вещества в той или иной степени магнитны и  взаимодействуют с Магнетики Все вещества в той или иной степени магнитны и взаимодействуют с внешним магнитным полем (МП). Одна из основных характеристик магнетика – магнитный момент единицы объема: Магнитный момент Намагниченность Объем – магнитная восприимчивость (тензор 2 -го ранга) Суммарное магнитное поле в присутствии вещества: – относительная магнитная проницаемость вещества

>  Магнитное поле в присутствии    вещества Напряженность МП H [A/m] Магнитное поле в присутствии вещества Напряженность МП H [A/m] всегда пропорциональна намагничивающему току I Индукция МП В есть сумма допустим, что - Магнитная восприимчивость материала - Магнитная проницаемость; Система СГС , , а , при 1 Тл = 104 гс; при µ = 1 1 Тл = 104 Э

>   Поведение вещества в магнитном поле можно рассматривать с  макроскопических позиций, Поведение вещества в магнитном поле можно рассматривать с макроскопических позиций, используя известные феноменологические закономерности и опираясь на уравнения Максвелла и законы термодинамики. Более глубокие представления о природе магнитных свойств можно получить на основе квантовой механики и статистики. В макроскопическом подходе важную роль играет намагниченность – векторная сумма магнитных моментов элементов структуры , нормированная на объём V (скаляр): Вектор можно связать с приложенным магнитным полем через магнитную восприимчивость материала (тензор второго ранга): В отсутствие магнитного поля отдельные магнитные моменты электронов, атомов, молекул, наночастиц и т. д. Могут быть хаотизированы по направлениям (вследствие тепловых флуктуаций, стремления к росту энтропии и понижению свободной энергии Гиббса), а в некоторых (довольно редких) случаях – самоупорядочены в пределах некоторой области, называемой магнитным доменом. Самоупорядочивающиеся по магнитным моментам вещества называются ферромагнетиками (независимо от того, содержат ли они в своем составе атомы железа или нет). В присутствии вещества индукция магнитного поля складывается (векторно!) из двух составляющих: намагничивающего поля в вакууме и поля магнитных моментов атомов : где – относительная магнитная проницаемость вещества (тензор второго ранга).

>Зависимости J и c от H Зависимости J и c от H

>  Behavior of Dia-, Para-, Ferro-  and Superparamagnetics in MF  Behavior of Dia-, Para-, Ferro- and Superparamagnetics in MF Dia- Para- Ferro- Superpara- [Q. A. Pankhurst, J. Connolly, S. K. Jones, J. Dobson. Applications of magnetic nanoparticles in biomedicine. J. Phys. D: Appl. Phys. V. 36. p. R 167–R 181 (2003)]

> Одним из отличительных признаков различной магнитной структуры вещества являются зависимости их J и Одним из отличительных признаков различной магнитной структуры вещества являются зависимости их J и от Н. У магниторазупорядоченных материалов J меняется с Н линейно (вплоть до очень сильных полей, не достижимых в лабораторных условиях). Этому соответствуют постоянные значения и . Вещества, у которых положительны и 1 называются парамагнетиками (от латинского «возле» , «около» ), а отрицательны и 1 – диамагнетиками. Типичная величина у парамагнетиков ~10 -3, а диамагнетиков ~10 - 5. Самоупорядочивающиеся вещества называют ферромагнитными (в технике только такие материалы называют «магнитными» , а пара- и диамагнетики считаются немагнитными). К них и сильно зависят от приложенного магнитного поля и магнитной предыстории и могут достигать многих тысяч. Фактически за счет этого достигается «бесплатное» увеличение внешнего магнитного поля во много раз. В неоднородных магнитных полях пара- и ферромегнетики втягиваются в область более сильного поля, а диамагнетики – выталкиваются. Эти различия дают возможность классифицировать вещества на разные типы по их поведению во внешних магнитных полях. Температурные и размерные зависимости у них также ведут себя по-разному.

>Природа атомного магнетизма      – магнетон Бора –  Природа атомного магнетизма – магнетон Бора – квант магнитного момента

>Природа магнетизма на атомарном уровне определяется наличием у элементарных частиц собственных магнитных моментов той Природа магнетизма на атомарном уровне определяется наличием у элементарных частиц собственных магнитных моментов той или иной величины, а у электронов в атоме – еще и орбитальным магнитным моментом (в частном случае s-электронов он может быть равен нулю). Таким образом, магнитный момент атома является векторной суммой ядерных магнитных моментов всех нуклонов и электронных магнитных моментов. Учитывая, что ядерные магнитные моменты более чем в 1000 раз уступают по величине электронным, в первом приближении ими можно пренебречь. Естественной мерой атомных магнитных моментов является собственный магнитный момент электрона, равный магнетону Бора: Магнитный момент любого многоэлектронного атома, даже находящегося в конце Периодической таблицы Менделеева, никогда не превышает нескольких В , поскольку для уменьшения магнитной энергии атома элементарные магнитные моменты электронов стремятся установить свои вектора магнитных моментов попарно противоположно, что компенсирует их внешнее поле.

>Природа магнетизма твердых тел  Диамагнетики – Возникновение встречного МП  вследствие прецессии электронов Природа магнетизма твердых тел Диамагнетики – Возникновение встречного МП вследствие прецессии электронов во внешнем МП Парамагнетики – Ориентация магнитных моментов атомов вдоль внешнего МП Ферро- Квантовое обменное Ферри- взаимодействие и магнитное Антиферро- самоупорядочение спиновых моментов Суперпара-

>  Магнитное упорядочение   Ферромагнетик     Ферримагнетик  Магнитное упорядочение Ферромагнетик Ферримагнетик Антиферромагнетик Magnetic Nanoparticles (Ed. by S. P. Gubin). WILEY-VCH. 2009, p. 200

> Одна из общих причин проявления диамагнетизма (но не единственная) – возникновение прецессии атомных Одна из общих причин проявления диамагнетизма (но не единственная) – возникновение прецессии атомных магнитных моментов их вращению вокруг вектора внешнего магнитного поля. Это приводит к появлению встречного магнитного поля. Этот эффект действует всегда, но он мал и при наличии других перекрывается ими. Парамагнетизм возникает благодаря ориентации магнитных моментов атомов (если они не равны нулю в отсутствии поля) вдоль внешнего поля, что приводит к его увеличению. Все эффекты самоупорядочения обязаны сильному обменному взаимодействию электронов в соседних атомах (оно же вызывает образование прочных ковалентных связей). В ферромагнетиках выигрыш от обменного взаимодействия превышает проигрыш от понижения энтропии при упорядочении (при температурах ниже некоторой критической). Различные разновидности ферромагнетиков отличаются типом магнитного упорядочения. В ферромагнетиках две подрешетки имеют противоположную магнитную поляризацию, но не компенсируют друга, а в антиферромагнетиках компенсируют полностью. В ферромагнитных частицах достаточно малых размеров их энергия во внешнем магнитном поле может стать меньше тепловой энергии, в результате чего они, не утрачивая внутренней самоупорядоченности начинают хаотически менять направление вектора суммарной намагниченности. Ансамбль таких наночастиц будет восприниматься внешним наблюдателем как парамагнитная среда с повышенной восприимчивостью. Вследствие этого такое состояние называют суперпарамагнитным.

>  Домены      T < Tc –  Домены T < Tc – температура Кюри H=0 H>0 H=0 H 1 > 0 H 2 > H 1 > 0

>Связь кривой намагничивания с доменной структурой Связь кривой намагничивания с доменной структурой

>Петля гистерезиса J    (I) Петля гистерезиса J (I)

>  Температурная зависимость намагниченности ферромагнетиков     Закон Кюри-Вейса  Температурная зависимость намагниченности ферромагнетиков Закон Кюри-Вейса n – концентрация магнитных моментов Mi в единице объема TC – температура Кюри

>Магнитомягкие и магнитотвердые материалы  Bs – остаточная индукция  Hc – коэрцитивная сила Магнитомягкие и магнитотвердые материалы Bs – остаточная индукция Hc – коэрцитивная сила Площадь петли гистерезиса равна работе по перемагничиванию в одном цикле (А ≈ Hc Bs )

>Ферромагнитные материалы принято подразделять на магнитомягкие и магнитотвердые. Первые характеризуются малой площадью петли гистерезиса Ферромагнитные материалы принято подразделять на магнитомягкие и магнитотвердые. Первые характеризуются малой площадью петли гистерезиса S и низкими значениями характерных точек на ней: остаточной индукцией Вs и коэрцитивной силой Нс. Величина S численно равна работе А по перемагничиванию единицы объёма материала в одном цикле (А ≈ Нс Вs). Магнитомягкие материалы используют для изготовления сердечников катушек, трансформаторов, статоров и роторов электродвигателей. Чем меньше в них Нс и Вs, тем меньше потери энергии и нагрев устройства. В материалах магнитных носителей информации , постоянных магнитов и т. п. , напротив, чем больше Нс и Вs , тем выше запасаемая энергия при намагничивании. Поэтому для таких приложений стремятся сделать материалы с петлей как можно более широкой и прямоугольной.

>  Магнетизм в наношкале Наиболее интересны для практического применения самоупорядочивающиеся по магнитному моменту Магнетизм в наношкале Наиболее интересны для практического применения самоупорядочивающиеся по магнитному моменту вещества (ферромагнетики: Fe, Co, Ni, Gd и их сплавы). В макрообъёмах они имеют многодоменную магнитную структуру, в которой соседние домены (самопроизвольно намагниченные области) имеют противоположную намагниченность. При уменьшении характерных размеров объекта R* до единиц микрометров обычно остается всего один домен, намагниченность которого достигает предельного насыщения (для данного материала и температуры). При очень маленьких R* ( 1 нм) величина начинает падать и магнитный порядок может исчезнуть совсем. Но еще раньше (при R* 20… 50 нм) магнитная энергия домена (или однодоменной наночастицы) становится сопоставимой или меньшей, чем её тепловая энергия (~ k. T). В результате вектор начинает хаотически переориентироваться , что для внешнего наблюдателя будет выражаться в сильном уменьшении кажущейся намагниченности среды. Такое состояние называют суперпарамагнитным. В некоторых парамагнитных материалах, напротив, уменьшение R* в области 10 нм приводит к увеличению магнитной восприимчивости. Более подробно о магнетизме в наношкале речь пойдет в модуле 9.

>Магнетизм в наношкале   Характерный объект, R*, нм Магнетизм в наношкале Характерный объект, R*, нм

>Size Dependence of Ni coercitivity    Single-domain    ferromagnetic Size Dependence of Ni coercitivity Single-domain ferromagnetic Super- k. A/m Multi-domain para- ferromagnetic mag- netic nm

> Зависимость коэрцитивной силы ферромагнетиков от размера зерна в  поликристалле Зависимость коэрцитивной силы ферромагнетиков от размера зерна в поликристалле

>Зависимость магнитного момента атомов в наночастицах рения от количества атомов в них  Рис. Зависимость магнитного момента атомов в наночастицах рения от количества атомов в них Рис. 4. 17 из книги Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Нанотехнологии (перевод с англ. под ред. Ю. И. Головина). М. : Техносфера. 2004. 328 с.

>Контрольные вопросы по магнетизму  • 1. Поведение вещества в магнитном  поле (феноменология). Контрольные вопросы по магнетизму • 1. Поведение вещества в магнитном поле (феноменология). Диа-, пара-, ферро- магнетики. • 2. Напряженность и индукция магнитного поля, их физ. смысл • 3. Что такое магнитный момент? Намагниченность? • 4. Какие объекты обладают магнитным моментом (макро-, микро-)?

> Продолжение… • Взаимодействия в ансамбле магнитных  частиц, свободная энергия (классическое и Продолжение… • Взаимодействия в ансамбле магнитных частиц, свободная энергия (классическое и квантовое приближение) • Соотношение магн. моментов ядерных частиц (ядра), электронов (спиновый и орбитальный ММ) и атомов. • Природа диа- и пара- магнетизма • Самопроизвольное магнитное упорядочение, виды магнитного порядка и соответствующие классы веществ

> Продолжение… • Магнитный домен, однодоменное состояние  наночастиц • Кривая намагничивания ферромагнетика. Продолжение… • Магнитный домен, однодоменное состояние наночастиц • Кривая намагничивания ферромагнетика. Что она характеризует? • 3 характеристики петли гистерезиса: намагниченность насыщения, остаточная намагниченность, коэрцитивная сила • Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Энергия потерь при перемагничивании

>Продолжение…  • Суперпарамагнетизм. Соотношение  магнитной и тепловой энергии частицы. Поведение во внешнем Продолжение… • Суперпарамагнетизм. Соотношение магнитной и тепловой энергии частицы. Поведение во внешнем магнитном поле • Релаксация магнитного момента по Неелю и по Брауну • Размерные эффекты в магнетизме (частица, порошок, суспензия, объемный материал)

>Фотоника в наношкале •  Рассеяние света на объектах с R*<  • Фотоника в наношкале • Рассеяние света на объектах с R*< • Квантовые ямы и квантовые точки • Периодические структуры для фотоники

>Важнейшей особенностью наноструктур (R* 100 нм) с точки зрения их взаимодействия со световой волной Важнейшей особенностью наноструктур (R* 100 нм) с точки зрения их взаимодействия со световой волной является их малость по сравнению с длиной волны как видимого света, так и ближнего ультрафиолета (не говоря уже об ИК-излучении). Это делает такие структуры в принципе неразрешимыми в самом лучшем оптическом микроскопе. Правда, это и не запрещает наблюдать отдельно расположенные центры рассеяния с R* << в прозрачных средах в темном поле (под большим углом к направлению падающего пучка), а также в переизлученном этими нанообъектами свете (в результате фотолюминесценции). Сечение рассеяния (т. е. интенсивность рассеянного света) при R* << дается формулой Релея = А(R*)6/ 4, где А – коэффициент, зависящий от диэлектрической проницаемости частицы и окружающей среды. Низкоразмерные системы, образующие квантовые проволочки, ямы (колодцы) и квантовые точки, имеют электронные дискретные спектры, зависящие от их размеров. Они широко используются для создания высокоэффективных лазеров и фотоприемников. В этих случаях эксплуатируют квантовые свойства света. Периодические структуры с шагом порядка используют в фотонике для управления световыми пучками. В этих приложениях эксплуатируют волновые свойства света.

> Электронные спектры низкоразмерных объектов Макроскопи- Квантовая  ческое  яма   проволока Электронные спектры низкоразмерных объектов Макроскопи- Квантовая ческое яма проволока точка тело

>Примеры размерных эффектов в   химии Примеры размерных эффектов в химии

>  Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009 Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009

>   Размерный эффект: (+), (-) и (0) Из лекции Б. В. Романовского Размерный эффект: (+), (-) и (0) Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009

>  Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009 Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009

>  Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009 Размерный эффект: активность Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009

> Окисление CO на Au/Mg. O при 200 К Из лекции Б. В. Романовского Окисление CO на Au/Mg. O при 200 К Из лекции Б. В. Романовского «Нанокатализ» МГУ-2009

>Скорость реакции газообразного водорода с  наночастицами железа в зависимости от   Скорость реакции газообразного водорода с наночастицами железа в зависимости от размеров частиц Рис. 4. 14 из книги Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Нанотехнологии (перевод с англ. под ред. Ю. И. Головина). М. : Техносфера. 2004. 328 с.

>  Размерный эффект в  обращенных мицеллах Схематическое изображение обращенной мицеллы с Размерный эффект в обращенных мицеллах Схематическое изображение обращенной мицеллы с Зависимость каталитической активности инкапсулированной молекулой β-глюкозы от радиуса обращенных энзима (Е). мицелл в АОТ-вода-октан системе. Рис. 8. 5 и 8. 6 из книги Ю. И. Головин. Введение в нанотехнику. М. : Машиностроение. 496 с.

>    Литература 1. Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Нанотехнологии (перевод с англ. Литература 1. Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Нанотехнологии (перевод с англ. под ред. Ю. И. Головина). М. : Техносфера. 2004. 328 с. 2. Ю. И. Головин. Основы нанотехнологий. М. : Машиностроение. 2012. 496 с. 3. Н. Г. Рамбиди, А. В. Березкин. Физические и химические основы нанотехнологии. М. : Физматлит. 2008. 456 с. 4. И. П. Суздалев. Нанотехнологии: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М. : Ком. Книга. 2006. 596 с. 5. Г. Б. Сергеев. Нанохимия. М. : Изд-во МГУ. 2003. 288 с. 6. Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля. Наноструктурные материалы. М. : Академия. 2005. 192 с. 7. А. Л. Бучаченко. Нанохимия – прямой путь к высоким технологиям нового века. Успехи химии. 2003. 419 с. 8. Ю. Д. Третьяков, Е. А. Гудилин. Основные направления фундаментальных и ориентированных исследований в области наноматериалов. Успехи химии. 2009. Т. 78. № 9. С. 867 -888.