Скачать презентацию Модель атома по Резерфорду Атом по Резерфорду это Скачать презентацию Модель атома по Резерфорду Атом по Резерфорду это

Слайды осн ЭТ.ppt

  • Количество слайдов: 78

Модель атома по Резерфорду Атом, по Резерфорду, это своеобразная модель Солнечной системы – в Модель атома по Резерфорду Атом, по Резерфорду, это своеобразная модель Солнечной системы – в центре находится тяжелое положительно заряженное ядро, вокруг которого круг Солнца, вращаются отрицательно заряженные электроны.

• Рисунок 2 - Строение ядра атома. • Ядра всех химических элементов состоят • Рисунок 2 - Строение ядра атома. • Ядра всех химических элементов состоят из нуклонов: протонов и нейтронов

Первое правило Кирхгофа (правило токов Кирхгофа) гласит, что алгебраическая сумма токов в каждом узле Первое правило Кирхгофа (правило токов Кирхгофа) гласит, что алгебраическая сумма токов в каждом узле любой цепи равна нулю. При этом втекающий в узел ток принято считать положительным, а вытекающий – отрицательным.

Второе правило Кирхгофа (правило напряжений Кирхгофа) • Второе правило Кирхгофа гласит, что алгебраическая сумма Второе правило Кирхгофа (правило напряжений Кирхгофа) • Второе правило Кирхгофа гласит, что алгебраическая сумма падений напряжений на всех ветвях, принадлежащих любому замкнутому контуру цепи, равна алгебраической сумме ЭДС ветвей этого контура. Если в контуре нет источников ЭДС (идеализированных генераторов напряжения), то суммарное падение напряжений равно нулю:

Формы двух сигналов: первый сигнал представляет собой снижение напряжения от +5 В до 0 Формы двух сигналов: первый сигнал представляет собой снижение напряжения от +5 В до 0 В в отсутствие конденсатора, второй — в схеме с конденсатором.

На рисунке показан синусоидальный сигнал, который совершает постоянные переходы от -5 В к +5 На рисунке показан синусоидальный сигнал, который совершает постоянные переходы от -5 В к +5 В. Говорят, что сигнал имеет частоту 50 Гц, если он совершает 50 циклов в секунду.

Подстроечные резисторы Подстроечные резисторы

Переменные резисторы Переменные резисторы

Постоянные резисторы Постоянные резисторы

Вольт - амперная характеристика варистора Варисторы – это компоненты, сопротивление которых уменьшается при повышении Вольт - амперная характеристика варистора Варисторы – это компоненты, сопротивление которых уменьшается при повышении приложенного напряжения сверх определённого значения

Конденсаторы Емкость конденсатора определяется по формуле: где ε – относительная диэлектрическая постоянная диэлектрика, ε Конденсаторы Емкость конденсатора определяется по формуле: где ε – относительная диэлектрическая постоянная диэлектрика, ε 0 - абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума, S – площадь пластин конденсатора, l – расстояние между обкладками.

Силуэты различных конденсаторов Силуэты различных конденсаторов

Электролитические конденсаторы Электролитические конденсаторы

Постоянные конденсаторы Постоянные конденсаторы

Подстроечные конденсаторы Подстроечные конденсаторы

Конденсаторы переменной емкости Конденсаторы переменной емкости

Ионистор Ионистор

Катушки индуктивности Индуктивность однослойной катушки цилиндрической формы без магнитопровода при укладке провода виток к Катушки индуктивности Индуктивность однослойной катушки цилиндрической формы без магнитопровода при укладке провода виток к витку : где d – внешний диаметр обмотки, мм; W – число витков обмотки; ℓ – длина обмотки, мм.

Дроссели • Дроссели пульсирующего тока – это катушки индуктивности, предназначенные для пропускания постоянной составляющей Дроссели • Дроссели пульсирующего тока – это катушки индуктивности, предназначенные для пропускания постоянной составляющей тока и задерживания его переменной составляющей.

Типовой трансформатор питания Типовой трансформатор питания

Принцип работы трансформатора и схема электрическая Принцип работы трансформатора и схема электрическая

Пьезоэлектрический трансформатор. Пьезоэлектрический трансформатор.

Зонные диаграммы материалов • Зонные энергетические диаграммы диэлектриков, полупроводников и проводников Зонные диаграммы материалов • Зонные энергетические диаграммы диэлектриков, полупроводников и проводников

Работа полупроводникового диода Работа полупроводникового диода

Виды корпусов распространенных типов диодов Виды корпусов распространенных типов диодов

Вольт – амперная характеристика идеального диода и реального диода Обозначение диода на электрической схеме Вольт – амперная характеристика идеального диода и реального диода Обозначение диода на электрической схеме

Обозначение и вольт – амперная характеристика стабилитрона Обозначение и вольт – амперная характеристика стабилитрона

Внешний вид стабилитронов и схема включения Внешний вид стабилитронов и схема включения

Устройство и внешний вид обычного светодиода Устройство и внешний вид обычного светодиода

Конструкция полупроводникового лазера и внешний вид Конструкция полупроводникового лазера и внешний вид

Принцип работы, обозначение и внешний вид фотодиодов Принцип работы, обозначение и внешний вид фотодиодов

Вентильное (а) и фотодиодное (б) включение фотодиода а б Вентильное (а) и фотодиодное (б) включение фотодиода а б

Вольт - амперная характеристика диода Ганна • Обозначение диода Ганна • на схемах Вольт - амперная характеристика диода Ганна • Обозначение диода Ганна • на схемах

Эффект Зеебека Эффект Зеебека

Устройство и работы батареи элементов на эффекте Пельтье Устройство и работы батареи элементов на эффекте Пельтье

Вольт - амперная характеристика туннельного диода Вольт - амперная характеристика туннельного диода

Эффект Холла Эффект Холла

Обозначение биполярного транзистора на схеме и внешний вид Обозначение биполярного транзистора на схеме и внешний вид

Конструкция плоскостного транзистора Конструкция плоскостного транзистора

Работа биполярного транзистора Работа биполярного транзистора

• • Протекание токов в открытом транзисторе n-p-n Транзисторы различной мощности Цоколевка транзисторов • • Протекание токов в открытом транзисторе n-p-n Транзисторы различной мощности Цоколевка транзисторов N 3904 и 2 N 3906. Транзистор 2 N 3904 имеет структуру NPN, а 2 N 3906 - PNP

Схема с общим эмиттером транзистор n-p-n и усилитель на n-p-n транзисторе Схема с общим эмиттером транзистор n-p-n и усилитель на n-p-n транзисторе

Схема с общим коллектором, транзисторы p-n-p и схема усилителя на n-p-n транзисторе Схема с общим коллектором, транзисторы p-n-p и схема усилителя на n-p-n транзисторе

Схема с общей базой транзистор p-n-p и усилитель на n-p-n транзисторе Схема с общей базой транзистор p-n-p и усилитель на n-p-n транзисторе

Принцип работы (а), внешний вид (б) фототранзистора Принцип работы (а), внешний вид (б) фототранзистора

Конструкция полевого транзистора с p-каналом Конструкция полевого транзистора с p-каналом

Конструкция полевого транзистора с n-каналом Конструкция полевого транзистора с n-каналом

Структура n-канального транзистора с изолированным затвором Структура n-канального транзистора с изолированным затвором

Сток – затворные характеристики транзисторов с встроенным каналом Сток – затворные характеристики транзисторов с встроенным каналом

Структура n-канального транзистора с индуцированным каналом Структура n-канального транзистора с индуцированным каналом

Сток – затворные характеристики транзисторов с индуцированным каналом Сток – затворные характеристики транзисторов с индуцированным каналом

Схема включения полевого транзистора Схема включения полевого транзистора

Структура транзистора IGBT Структура транзистора IGBT

Структура транзистора IGBT Структура транзистора IGBT

Структура динистора Структура динистора

Вольт – амперные характеристики динистора Вольт – амперные характеристики динистора

Вольт – амперная характеристика тиристора Вольт – амперная характеристика тиристора

Вольт – амперная характеристика симистора Вольт – амперная характеристика симистора

Тонкопленочная микросхема Тонкопленочная микросхема

Пленочный резистор Пленочный резистор

Пленочная индуктивность Пленочная индуктивность

Гибридные микросхемы. Гибридные микросхемы.

Схема выращивания монокристалла методом Чохральского Схема выращивания монокристалла методом Чохральского

Трафаретная печать (сеткография) трафаретная печать (сеткография) • • Схематическое расположение ракеля относительно поверхности подложки: Трафаретная печать (сеткография) трафаретная печать (сеткография) • • Схематическое расположение ракеля относительно поверхности подложки: 1 - подложка; 2 — отпечаток на пасте; 3 – паста; 4 – трафарет или маска; 5 – лезвие.

Фрагменты конструкции печатных плат • а) односторонней и б) двухсторонней: 1 — монтажное отверстие, Фрагменты конструкции печатных плат • а) односторонней и б) двухсторонней: 1 — монтажное отверстие, 2 — контактная площадка, 3 — проводник, 4 — диэлектрическая подложка, 5 — переходное металлизированное отверстие

Фрагмент конструкции многослойной печатной платы • 1 — сквозное металлизированное отверстие, 2 — глухой Фрагмент конструкции многослойной печатной платы • 1 — сквозное металлизированное отверстие, 2 — глухой микропереход, 3 — скрытый микропереход, 4 — слои, 5 — скрытые межслойные отверстия, 6 — контактные площадки

Фрагмент конструкции многослойной печатной платы • в 3 D виде Фрагмент конструкции многослойной печатной платы • в 3 D виде

Гибкая печатная плата Гибкая печатная плата

Печатная плата на металлическом основании Печатная плата на металлическом основании

Пример двухслойной печатной платы с защитной паяльной маской и маркировкой Пример двухслойной печатной платы с защитной паяльной маской и маркировкой

Структура жидкокристаллического индикатора 1 – стекло или подобный прозрачный материал; 2 – плёнки прозрачных Структура жидкокристаллического индикатора 1 – стекло или подобный прозрачный материал; 2 – плёнки прозрачных электродов, образующих матрицу; 3 – жидкие кристаллы; 4 – металлическая поверхность.

Включение электронно – лучевой трубки 1 – нить накала; 2 – катод; 3 – Включение электронно – лучевой трубки 1 – нить накала; 2 – катод; 3 – модулятор; 4 и 5 – первый и второй аноды; 6 и 7 – пластины отклонения луча вдоль осей Y и X; 8 – аквадаг; 9 – экран трубки. Резистор R 1 служит для коррекции яркости изображения, а резистор R 3 – для регулировки его фокуса.

Резистивный сенсорный экран Применение КПК, Коммуникаторы, Сотовые телефоны, POS-терминалы, Tablet PC, Промышленность (устройства управления), Резистивный сенсорный экран Применение КПК, Коммуникаторы, Сотовые телефоны, POS-терминалы, Tablet PC, Промышленность (устройства управления), Медицинское оборудование

Сенсорный ёмкостный экран Применение: Некоторые банкоматы, Информационные киоски Сенсорный ёмкостный экран Применение: Некоторые банкоматы, Информационные киоски

Проекционно-ёмкостные Платежный терминал Измеряет ёмкость конденсатора, образующегося между телом человека и прозрачным электродом на Проекционно-ёмкостные Платежный терминал Измеряет ёмкость конденсатора, образующегося между телом человека и прозрачным электродом на поверхности стекла, которое и является в данном случае диэлектриком

Обобщенная структурная схема усилителя Обобщенная структурная схема усилителя

Схема многокаскадного усилителя • Входной каскад и предварительный усилитель предназначены для усиления сигнала до Схема многокаскадного усилителя • Входной каскад и предварительный усилитель предназначены для усиления сигнала до значения, необходимого для подачи на вход усилителя мощности (выходного каскада). • Выходной каскад (каскад усиления мощности) предназначен для отдачи в нагрузку заданной мощности сигнала при минимальных искажениях его формы и максимальном КПД.

Дискретные устройства Основные параметры а) Способы кодирования непрерывного сигнала прямоугольными импульсами • • прямоугольных Дискретные устройства Основные параметры а) Способы кодирования непрерывного сигнала прямоугольными импульсами • • прямоугольных импульсов