Скачать презентацию Методы анализа поверхности Апраксин Р В 1 курс Скачать презентацию Методы анализа поверхности Апраксин Р В 1 курс

Surface2.pptx

  • Количество слайдов: 34

Методы анализа поверхности Апраксин Р. В. 1 курс магистратуры 2015 Методы анализа поверхности Апраксин Р. В. 1 курс магистратуры 2015

Поверхность – граница раздела двух фаз (слой некоторой толщины) Толщина? В зависимости от области Поверхность – граница раздела двух фаз (слой некоторой толщины) Толщина? В зависимости от области исследования от нм до мкм 2

Зачем? 1) Оптические свойства 2) Химические свойства: 2. 1. Адсорбция 2. 2. Гетерогенный катализ Зачем? 1) Оптические свойства 2) Химические свойства: 2. 1. Адсорбция 2. 2. Гетерогенный катализ 3) Коррозия 4) Трение и др. Направленная модификация поверхности 3

Общая схема методов Рис. 1. Возможности возбуждения и излучения поверхности твердых тел 4 Общая схема методов Рис. 1. Возможности возбуждения и излучения поверхности твердых тел 4

Информационная глубина • Рис. 2. Информационные глубины разных методов анализа поверхности 5 Информационная глубина • Рис. 2. Информационные глубины разных методов анализа поверхности 5

Информационная глубина Рис. 3. Демонстрация значения информационной глубины при анализе поверхности 6 Информационная глубина Рис. 3. Демонстрация значения информационной глубины при анализе поверхности 6

Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ; SEM) Рис. 4. Блок-схема сканирующего электронного микроскопа 7 Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ; SEM) Рис. 4. Блок-схема сканирующего электронного микроскопа 7

Взаимодействие электронов с поверхностью • Вторичные электроны: • 1) Высокая разрешающая способность • 2) Взаимодействие электронов с поверхностью • Вторичные электроны: • 1) Высокая разрешающая способность • 2) Чувствительность к рельефу поверхности • Отраженные электроны: • 1) Низкая разрешающая способность • 2) Чувствительность к химическому составу поверхности и слабая чувствительность к рельефу поверхности 8

Детектирование 9 Детектирование 9

Контраст 10 Контраст 10

Контраст • A B Рис. 8. Демонстрация композиционного (А) и топографического (В) контраста в Контраст • A B Рис. 8. Демонстрация композиционного (А) и топографического (В) контраста в методе детектирования отраженных электронов (BSE) 11

Контраст Рис. 9. Топографический контраст в методе детектирование вторичных электронов 12 Контраст Рис. 9. Топографический контраст в методе детектирование вторичных электронов 12

Примеры Рис. 10. Кристаллы In 2 O 3 13 Примеры Рис. 10. Кристаллы In 2 O 3 13

Примеры Рис. 11. Кристаллы Ti. O 2 14 Примеры Рис. 11. Кристаллы Ti. O 2 14

Примеры Рис. 12. Поли-3, 4 -этилендиокситиофен (PEDOT) 15 Примеры Рис. 12. Поли-3, 4 -этилендиокситиофен (PEDOT) 15

Примеры Рис. 13. Наночастицы Au 16 Примеры Рис. 13. Наночастицы Au 16

Рентгеновский микроанализ с дисперсией по энергии (EDX) • Рис. 14. Взаимодействие между первичными электронами Рентгеновский микроанализ с дисперсией по энергии (EDX) • Рис. 14. Взаимодействие между первичными электронами в атомной оболочке 17

Рентгеновский микроанализ с дисперсией по энергии (EDX) Рис. 15. Схематический вид типичного EDX спектра Рентгеновский микроанализ с дисперсией по энергии (EDX) Рис. 15. Схематический вид типичного EDX спектра 18

Детектирование Рис. 16. Схема EDX детектора 19 Детектирование Рис. 16. Схема EDX детектора 19

Локальный анализ Рис. 17. EDX спектр фрагмента 20 Локальный анализ Рис. 17. EDX спектр фрагмента 20

Локальный анализ • Рис. 18. Анализ композита PEDOT/Ni. O 21 Локальный анализ • Рис. 18. Анализ композита PEDOT/Ni. O 21

Распределение элементов Рис. 19. Распределение элементов в композите PEDOT/Ni. O 22 Распределение элементов Рис. 19. Распределение элементов в композите PEDOT/Ni. O 22

Оже-электронная спектроскопия 23 Оже-электронная спектроскопия 23

Оже-эффект • Рис. 20. Схематическое представление Оже-процесса Eож=EK-ELIII 24 Оже-эффект • Рис. 20. Схематическое представление Оже-процесса Eож=EK-ELIII 24

Вероятность Оже-процесса Рис. 21. Зависимость выхода оже-электронов и рентгеновских квантов от атомного номера 25 Вероятность Оже-процесса Рис. 21. Зависимость выхода оже-электронов и рентгеновских квантов от атомного номера 25

Оборудование 26 Оборудование 26

Электронный спектр • Рис. 23. Электронный спектр 27 Электронный спектр • Рис. 23. Электронный спектр 27

Электронный спектр 28 Электронный спектр 28

Примеры • Рис. 25. Оже-электронный спектр листа алюминия 29 Примеры • Рис. 25. Оже-электронный спектр листа алюминия 29

Примеры • Рис. 26. Оже-электронный спектр поверхности молибдена 30 Примеры • Рис. 26. Оже-электронный спектр поверхности молибдена 30

Получение профиля концентраций Ионное травление • Рис. 27. Принцип Оже-анализа с профилем глубины 31 Получение профиля концентраций Ионное травление • Рис. 27. Принцип Оже-анализа с профилем глубины 31

Получение профиля концентраций Примеры • Рис. 28. Оже-электронный профиль глубины алюминиевого листа 32 Получение профиля концентраций Примеры • Рис. 28. Оже-электронный профиль глубины алюминиевого листа 32

Получение профиля концентраций Примеры • Рис. 29. Оже-электронный профиль пленки Ni(толщина 100 нм), осажденной Получение профиля концентраций Примеры • Рис. 29. Оже-электронный профиль пленки Ni(толщина 100 нм), осажденной на подложку In. P: cразу после напыления (А) и после отжига при 2500 С в течение 30 минут (Б). 33

34 Сп ас иб о ни ма н за в ие ! 34 Сп ас иб о ни ма н за в ие !