Материалы по курсу Физические основы нанотехнологий Весна 2012

Скачать презентацию Материалы по курсу Физические основы нанотехнологий Весна 2012

Материалы по курсу.pptx

Количество слайдов: 78

Материалы по курсу «Физические основы нанотехнологий» Весна 2012 г.

1. Что такое нанотехнологии.

2. Уникальные свойства нанокластеров и наноструктур.

Просвечивающая электронная микроскопия хризотила. Свертка между малым кремний-обогащенным тетраэдрическим листом и обогащенным магнием октаэдрическим листом. (Yada, K. , 1971, Acta Cryst. , A 27 659 -664) 10

Хризотил (<белый асбест>) - волокнистая разновидность водного силиката магния - серпентина, состав которого отвечает формуле Mg 6[Si 2 O 5](OH)8 или 3 Mg. O. 2 Si. O 2. 2 H 2 O. В природном хризотил-асбесте содержатся примеси Fe 2 O 3, Fe. O, Al 2 O 3, Cr 2 O 3, Ni. O, Мn. О, Ca. O, Na 2 O и H 2 O. Он слагает жилки в темно-зеленых серпентинитах, обнаруживая обычно поперечно-волокнистую структуру. В плотном куске хризотил-асбест обладает зеленой или желтовато-зеленой окраской и перламутровым блеском, но после расщепления (фибризации) на отдельные волокна превращается в белую пухоподобную массу. Хризотил-асбест имеет весьма высокую температуру плавления (1521 C), приблизительно при 700 C теряет кристаллизационную воду и становится хрупким. Это самый термостойкий из всех асбестов. По сравнению с амфибол-асбестами менее устойчив к воздействию кислот (разлагается в соляной кислоте); однако он щелочеустойчив, отличается высокими сорбционными, тепло-, звуко- и электроизоляционными свойствами. По прочностным свойствам асбест разделяется на нормальной или высокой прочности (прочность на растяжение около 300 кг/мм 2), полуломкий или пониженной прочности и ломкий или слабой прочности (прочность на растяжение 110 -220 кг/мм 2). Хризотил-асбест пониженной прочности фиксируется в зоне выветривания; для него характерна белесая окраска, низкая распушиваемость, меньшая эластичность и некоторое снижение количества Mg. O. Ломкий асбест рассматривается в качестве продукта высокотемпературного преобразования нормального хризотил-асбеста; его отличают упругость, меньшая прочность на растяжение, небольшое снижение количества Mg. O и кристаллизационной воды, увеличение количества Fe. O.

Параметры адсорбентов Адсорбент Размер поры (нм) S (m 2/g) % поглощения Zeolite (Na. Y) 0. 74 766 41. 3 % 3. 0– 7. 0 904 60. 6 % 3– 40 151 81. 3 % Activated carbon O-CNTs Изображения получены с помощью ПЭМ. (а) Непосредственно перед процессом адсорбции Адсорбция никотина и смол углеродными нанотрубками (УНТ) (b) После адсорбции 12 [Z. Chen et al / Applied Physics Science 252 (2006) 2933 -2937]

The melting point decreases dramatically as the particle size gets below 5 nm Source: Nanoscale Materials in Chemistry, Wiley, 2001 13

Source: Nanoscale Materials in Chemistry, Wiley, 2001 14

• Spherical iron nanocrystals • J. Phys. Chem. 1996, Vol. 100, p. 12142 15

• Surface chemistry is important in catalysis. Nanostructured materials have some advantages: - Huge surface area, high proportion of atoms on the surface - Enhanced intrinsic chemical activity as size gets smaller which is likely due to changes in crystal shape - Ex: When the shape changes from cubic to polyhedral, the number of edges and corner sites goes up significantly - As crystal size gets smaller, anion/cation vacancies can increase, thus affecting surface energy; also surface atoms can be distorted in their bonding patterns - Enhanced solubility, sintering at lower T, more adsorptive capacity 16

Зерно кварца. Диаметр менее 25 нм [Takumi Hawa, Brian Henz, and Michael Zachariah // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1056 (2008)] 17

Травление кремния фокусированным ионным пучком (проявление пластических свойств) КДБ-10 (100) [Герасименко Н. Н. , Чамов А. А. , Медетов Н. А. , Ханин В. А. // Письма в ЖТФ. – 2010. – Т. 36. – Вып. 21. – С. 38– 45. ] 18

Механические свойства наноматериалов. Обратный закон Холла. Петча СЭМ-изображение вытравленномпри помощи ФИП гребня в монокристаллической подложке Si. 19

Механические свойства наноматериалов. Обратный закон Холла. Петча СЭМ-изображение вытравленном при помощи ФИП гребня в монокристаллической подложке Si. 20

Моделирование процессов образования рельефа на поверхности под облучением. Проявление вязкого течения [M. Castro, R. Cuerno. Ion induced solid flow. // Eprint ar. Xiv: 1007. 2144] 21

3. Радиционная стойкость наноструктур.

(a) АСМ-скан образца с одностенными нанотрубками, (b) СЭМ-скан с многостенными нанотрубками, (c) СЭМ-скан образца с углеродными волокнами, полученных осаждением, и (d) АСМ-скан образца с углеродными нановолокнами. (a), (b) и (d) получили 10 000 грэй; (c) 1 000 грей. [H. C. Shaw, D. Liu, B. W. Jacobs et al. 12 th NASA Symposium on VLSI Design, Coeur d’Alene, Idaho, USA, Oct. 4 -5, 2005] 23

Нанокристаллическое золото Относительное изменение удельного электрического сопротивления нанокристаллического золота по сравнению с поликристаллическим в зависимости от дозы облучения 12 С с энергией 60 Мэ. В. [Y. Chimi, A. Iwase, N. Ishikawa, et al. // J. Nucl. Mater. , 297 (2001)] 24

Пористый кремний Нанопористые слои Si демонстрируют повышенную радиационную стойкость по сравнению с c. Si Спектры рамановского рассеяния слоев por-Si - наложение линий рассеяния от объемных фононов, колебаний в нанокристаллах и аморфной фазы. Спектры рамановского рассеяния для c-Si (a) и por-Si (b). 1 — исходные образцы; 2– 4 — после облучения Ar+ 300 кэ. В дозами 5· 1014, 2 · 1015, 1 · 1016 см-2 соответственно. [В. В. Ушаков, В. А. Дравин, Н. Н. Мельник и др. // ФТП, 1997. – Т. 31. - № 9. - С. 1126] 25

Пористый фосфид галлия В отличие от нанопористого кремния por-Ga. P не обнаруживает повышенной радиационной стойкости: por-Ga. P имеет не нано-, а мезопористую структуру. Спектры фотолюминесценции c-Ga. P (a) и por-Ga. P (b), облученных различными дозами ионов Ar и отожженных при 720°C. Дозы облучения, см-2: 2 — 5 · 1014, 3 — 1 · 1015, 4 — 5 · 1015. 1 — спектры исходных образцов. [В. В. Ушаков, В. А. Дравин, Н. Н. Мельник и др. // ФТП, 1998. – Т. 32. – № 8] 26

Аморфизация нанокристаллического Ge в матрице Si. O 2 Сравнение доз аморфизации для nc-Ge и c-Ge (данные EXAFS). По мнению авторов, меньшая доза аморфизации nc-Ge по сравнению с c-Ge связана с влиянием внешнего аморфизированного слоя Ge на границе с a-Si. O 2 на весь объем нанокристаллита вплоть до размеров кристаллита ~10 нм. [F. Djurabekova, M. Backman, K. Nordlund // Nucl. Inst. and Meth. in Phys. Res. , B 266 (2008) 2683] 27

Многослойные пленочные структуры Cu-Nb • • • Многослойные пленочные структуры Cu-Nb, полученные напылением, толщина отдельного слоя 2. 5, 5, 40, 100 нм. Облучение данных структур при комнатной температуре ионами гелия с энергией 33, 150 кэ. В, доза 6*1016 – 1. 5*1017 см-2. При толщинах слоев менее 20 нм ПЭМ не выявил наличия эффекта блистеринга после облучения. [A. Misra, M. J. Demcowicz, et al. The Radiation Damage Tolerance Of Ultra-High Strength Nanolayered Composites // JOM, 2007. – No 9. - P. 62 -65] 28

Многослойные пленочные структуры Cu-Nb. Моделирование Энергия формирования точечных дефектов (вакансий) на границе раздела нанокомпозита Cu. Nb намного меньше, чем в монокристаллическом материале. Интерфейс является эффективной областью стока подвижных радиационных дефектов. [A. Misra, M. J. Demcowicz, et al. The Radiation Damage Tolerance Of Ultra-High Strength Nanolayered Composites // JOM, 2007. – No 9. - P. 62 -65] 29

Рентгеноструктурный анализ облученных образцов пористого кремния красн. – до облучения син. – после por-Si(004) c-Si(004) Доза P+ 3· 1013 см-2 Энергия 80 кэ. В Дифракционный пик Si(004) Размер кристаллитов ~10 нм 30

Рентгеноструктурный анализ облученных образцов пористого кремния красн. – до облучения син. – после c-Si(004) Доза P+ 3· 1013 см-2 Энергия 80 кэ. В Дифракционный пик Si(004) - окисленный пористый кремний. por-Si(004) Наличие механических напряжений σ ~ 0, 5 ГПа Размер кристаллитов ~50 нм 32

ИК-спектроскопия облученных образцов ИК-спектры поглощения образцов: Размер кристаллитов ~10 нм (верхн. ) Размер кристаллитов ~40 нм (нижн. ) красн. – до облучения син. – после 33

ИК-спектроскопия облученных образцов пористого кремния ИК-спектр поглощения образца окисленного пористого кремния (размер кристаллитов ~50 нм). красн. – до облучения син. – после 34

К модели радиационной стойкости нанокристаллических материалов [Герасименко Н. Н. , Смирнов Д. И. // Нано- и микросистемная техника, 2008. - № 9. - С. 2 -11] 35

Квантовые точки в сверхрешетке Нормализованная фотоинтенсивность ФЛ от In. As КТ для различных протонных доз: 1 – квантовые точки в сверхрешетке; 2 – в Ga. As. Интенсивность ФЛ нормирована по отношению к образцам без облучения. [M. B. Huang, J. Zhu, S. Oktybrsky // Nucl. Instr and Meth. In Phys. Res. B, 211 (2003)]

37 Чем объясняется повышенная радиационная стойкость квантовых точек? • Геометрическое соотношение: общий процентный объем активной области КТ является очень малым, что в самоформирующихся In. Ga. As/Ga. As КТ по отношению к площади поверхности составляет от 5 % до 25 % в зависимости от условий процесса роста, поэтому шанс появления индуцированных радиацией дефектов в активной области значительно уменьшается. • Более общее положение: трехмерная квантово-размерная локализация экситонов (three-dimensional quantum confinement) в квантовых точках (диаметр In. Ga. As КТ составляет в среднем 5 -25 нм) уменьшает вероятность захвата фотовозбужденных носителей радиационными дефектными центрами, которые играют роль центров безызлучательной рекомбинации. Под квантово-размерной локализацией в данном случае нужно прямо понимать захват носителей в активную область квантовой точки: при переходе к наноразмерам вероятность такого процесса чрезвычайно велика.

4. Получение наноматериалов и наноструктур.

Получение нанопорошков электронным пучком Схема установки для получения нанопорошка 1 - промышленный ускоритель электронов ЭЛВ-6; 2 - магниторазрядные насосы; 3 – граничные линии пучка; 4 - дифференцированная откачка; 5 - система выпуска сфокусированного пучка в атмосферу; 6 - фокусирующие линзы; 7 - подача воздуха для блокирования попадания инертного газа в систему выпуска; 8 - водяное охлаждение камеры испарителя; 9 – камера испарителя с помещённым в неё исходным материалом; 10 – промежуточная камера охлаждения нанопорошка; 11 – камера сбора порошка с рукавным фильтром 12; 13 – вентилятор, обеспечивающий циркуляцию инертного газа. [М. Г. Голковский, П. С. Прозоренко, И. К. Чакин и др. // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2010. – № 9. ] 39

Характеристики процесса получения некоторых нанопорошков Удельная Средний Производитель производитель размер частиц ность нм г/ч 10 -2 моль/(к. Вт·ч) Окисление Bi до Bi 2 O 3 в потоке воздуха 150 163, 8 18, 7 Температура плавления Температура кипения Мощность пучка °С °С к. Вт Bi 217, 4 1552; 1422 7, 2 500 245 16, 3 Ag 960, 5 2167; 2157 9 170 73, 1 7, 5 Cu 1083 2543; 2845 12, 5 150 112, 5 14, 2 Si. O 2 кварц 1610 ; кристобалит 1720 кварц 1997; кристобалит 2950; 2227; 2805; 70* 40* 3000* 71, 3* Si 1415 3300; 2613; 3290 11, 2 70 1, 02 0, 32 1830 ; 1650 выдел. разлаг. 2927; част. О 2 разлаг. 3540 60 50 8, 8 0, 18 Материал Ti. O 2 4, 2 Al 2 O 3 2046, 5 ; 2054 2980; 2974; разлаг. 3910 49 35 14, 5 0, 29 Gd 2 O 3 2322 предположительно 4100 10, 2 54 26, 6 0, 72 Y 2 O 3 2430 4300; 4480 60 32 15, 5 0, 11 W 3420 5680; 5370 Окисление W до WO 2 и WO 3 в потоке воздуха 22, 4 150 12, 3 0, 3 33 50 32, 6 0, 54 40

Ge+ 50 ke. V Rp = 355 Å ΔRp = 130 Å D ~ 1016 cm-2 Plot of experiment Ge+ Si. Ge Ge+ 150 ke. V Rp = 890 Å ΔRp = 306 Å D ~ 1016 cm-2 1) Without etching Etched layer ~ 300 Å AFM - topology AFM - capacitance Luminescence Ge+ 2) After etching Ge+ ΔRp = 130 Å Ge+ Raman - scattering Auger - spectroscopy AFM Ge+ SEM Ge+ Rp = 335 Å Ge+ Si. Ge II Annealing ~ 1000º ≥ 15 minutes. Si 41

AFM Image of Etched Surface measurements performed using AFM Solver Pro by NT-MDT D = 1014 cm-2, E = 50 ke. V, J = 5 µА/cm 2 Etchant solution HF : HNO 3 : CH 3 COOH = 1 : 40 : 15 /t = 20 sec. / 42

2 - and 3 -dimensional AFM and SEM images of the sample implanted with D=1017 cm-2 measurements performed using AFM Solver Pro by NT-MDT 2 d SEM-image arb. un. 2 d AFM-image µm 3 d AFM-image The number of regions, Height distribution situated on the 43 for AFM-image equal distance

Dimensional and space distribution of the islands for the sample implanted with D=1017 cm-2 measurements performed using AFM Solver Pro by NT-MDT The characteristic element – X≈90 nm; – Y≈50 nm; – Z≈8 nm. 3 d-AFM-image of the Specific dimensions 2 d magnified structure element AFM-image of the scan – Z height fall Rz=9. 2 nm; – Roughness from full area Ra=0. 543 nm. 2 d magnified AFM-image with 3 islands and their profiles 44

The comparison of implanted Si surface relief and capacitance fluctuations on it measurements performed using AFM Solver Pro by NT-MDT p-Si(111), Ge+ (D=6· 1013 cm-2) 1 – Scanning capacitance mode; 2 – Atomic force mode. 45

SEM-image and Auger-spectrum for the sample implanted with D=1017 cm-2 2 SEM-image 1 Auger spectrum Si 79. 3% (at. ) Ge 20. 7% (at. ) (Si 0. 8 Ge 0. 2) Si 69. 4% (at. ) Ge 30. 6% (at. ) (Si 0. 7 Ge 0. 3) 46 17

Typical Raman scattering and Photoluminescence Data for MBE Si. Ge Structures (Ar ion laser excitation) RAMAN spectra of a 6 -fold stack of 8 ML Ge quantum dots separated by 25 nm Si. The Ge films were grown at 250°C. [V. A. Markov et al. / Thin Solid Films 369 (2000) 79 -83] PL spectra of a 6 -fold stack of 8 (a) and 10 ML (b) Ge quantum dots separated by 25 nm Si. The Ge films were grown at 250°C. 47

Implanted nanocrystals in dielectric matrices Silicon nanocrystals in Al 2 O 3 Principles of the experiment Material: Si+ implantation 100 nm Al 2 O 3 films, deposited on Si by means of electron-beam evaporation in vacuum and crystalline sapphire (1102) Ion implantation: Si+ E = 100 ke. V and by 0. 5 1017 -3 1017 cm Crystalline sapphire -2 Ar+ E = 100 ke. V and by 0. 8 1017 cm-2 Si+ implantation Al 2 O 3 100 nm Monocrystalline silicon Annealing: 500 -1100 C, dry N 2 flow, 2 hours Photoluminescence mesuring : room temperature with excitation at wave length 488 nm (Ar+-laser) and 337 nm (N 2 laser) 500 -1100°С Annealing 48

[ Mark Breese et al. “Fabrication of patterned porous silicon microstructures using proton beam writing” 49 (Centre for Ion Beam Applications, Department of Physics, National University of Singapore) ]

[ Mark Breese et al. “Fabrication of patterned porous silicon microstructures using proton beam writing” 50 (Centre for Ion Beam Applications, Department of Physics, National University of Singapore) ]

Rod-like Defects Radiation Effects, 1980, Vol. 48. pp. 13– 18. The Formation of Defects in Si Under the Radiation Enhanced Diffusion Conditions V. V. Kalinin, A. L. Aseyev, N. N. Gerasimenko, V. I. Obodnikov and S. I. Stenin. Defects in Si after the irradiation to D=2· 1016 ion/cm 2, E=500 ke. V, Tir=450º. Plates 40 Å wide are marked with arrows Defects in Si at a depth 3. 5µm after the irradiation to D=1017 ion/cm 2, E=500 ke. V, Tir=600º. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 106 (1995), pp. 191– 197. Implant Damage and Transient Enhanced Diffusion in Si D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H. -J. Grossmann, T. E. Haynes and J. M. Poate. Dislocation formation from {311} defects: a single rod-like {311} defect gives a long row of Frank loops. Si irradiated D=2· 1014 ion/cm 2, E=500 ke. V, and annealed at 950º, 10 min. 51

AFM images of In. Sb surfaces (3 µm*3 µm) bombarded with Ar+ ions at room temperature (Eion = 500 e. V, αion = 80, jion = 400 µAcm 2, sputter time of 10 min): (a) no sample rotation and; (b) sample rotation. Please note the different z-scale. (F. Frost, B. Rauschenbach / Nucl. and Meth. In Phys. Res. B 216 (2004) 9 -19) 53

3. Co. Si 2 nanowires formation Co+ ion distribution profile Distribution profiles of Co+ SIMS-ions implanted into Si(100) with D = 2· 1017 cm− 2, E = 180 ke. V and different ion current densities. 8 54

Rutherford backscattering spectra of He+ ions (400 ke. V) for Si(111) irradiated by ions with energy E = 100 ke. V, current density jav = 100 μA/cm 2 and different doses D(cm− 2): 1 – 1015; 2 – 1, 5· 1015; 3 – 1, 8· 1015; 4 – 2· 1015; 5 – 2, 5· 1015÷ 3, 5· 1015; 6 – 4· 1015÷ 8· 1015; 7 – “random”; 8 – “virgin”. 9 55

Two-dimensional image of surface area with defects nm nm μm a μm nm nm μm μm μm б μm μm nm nm μm μm μm в μm μm μm г Two-dimensional image of surface area with defects, their Fourier transform is shown above: а) specimen № 1 (j = 15 μA/cm 2 ) with “butterfly-shaped” defects; б) specimen № 1 (j = 100 μA/cm 2 ) with hills, oriented along single direction; в) specimen № 4 (j = 100 μA/cm 2 , annealing and etching) with “daw-shaped” defects; г) specimen № 6 (j = 100 μA/cm 2 , annealing and etching ) с “cord-shaped” defects. 10 56

5. Типы и применение твердотельный наноструктур в электронике.

Ion-synthesized Si-Ge quantum dots Schematic pictures representing mechanism hetero epitaxial grows of films (Eaglesham et al. 1990). Darkfield image of TEM of Ge island on Si (Eaglesham et al. 1990). Critical Dimensions of Quantum Dot (N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov et al. 1998) Ec ΔE Ev a) Frank – van der Marwe b) Volmer-Weber Cross-section, Stanski-Krastanow regime, diameter 0. 14 µm, height > 50 nm. c) Stanski-Krastanow Autoassembling of quantum dots and wires of Ge of Si (111) substrate (G. Jin et. Al. , 1999). 7 monolayers of Ge 10 monolayers of Ge 3 D ATM presentation of starting stages of selforganization for quantum wires. For Ga. As-Al 0. 4 Ga 0. 6 As Dmin≈ 40 Ǻ, Dmax≈ 200 Ǻ;

Transfer of energy between QDs a) Schematic explanation of the energy transfer between QDs via an optical near-field interaction. E nx , Eny , Enz (nx , ny , nz) = (1, 1, 1) or (2, 1, 1) is the quantum number representing the excitonic energy level in a QD. b) Schematic explanation of the optical nanofountain and unidirectional energy transfer. 63 c) Schematic drawing of a fountain in a basin. [Kawazoe, Kobayashi, and Ohtsu Appl. Phys. Lett. 86, 103102 ~2005]

Пики фотолюминесценции кремниевых точек в Si. O 2 и Si 3 N 4 (300 K).

6. Принципы самоорганизации.

• Термодинамическая сила может вызывать ток Jik, где i ≠ k. Например, градиент температуры может вызвать поток вещества в многокомпонентных системах. Такие процессы называются перекрестными и характеризуются коэффициентом Lik при i ≠ k. В этом случае производство энтропии имеет вид: • (2) • • • В соответствии с теоремой Пригожина в стационарном состоянии при заданных внешних условиях, препятствующих достижению равновесия, величина σ минимальна. При термодинамическом равновесии σ = 0. Для объяснения многочисленных неравновесных явлений используются соотношения термодинамики неравновесных процессов.

• Например, в области линейности необратимых процессов матрица феноменологических коэффициентов симметрична: • Lik = Lki. (3) • • Это соотношение взаимности (симметрии) Онсагера. Другими словами, возрастание потока Jk, вызванное увеличением на единицу силы Xi, равно возрастанию потока Ji, обусловленному увеличением на единицу силы X k

•

7. Ренгеновская литография.

РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ Многочисленные дискуссии и эксперименты, выполненные в последние годы показали, что переход к разрешению (20÷ 30) нм возможен только при использовании двух методов: • электронной литографии. • рентгеновской литографии (РЛ). Второй метод значительно дешевле и дает возможность выхода на дешевую массовую продукцию.

Современное состояние проблемы Работы по РЛ ведутся по двум основным направлениям: на синхротронных источниках (СИ) и на точечных источниках. Еще 20 лет назад в качестве точечных источников использовались рентгеновские трубки, в которых энергия электронного пучка трансформировалась в рентгеновское излучение. Однако, коэффициент трансформации энергии электронного пучка в мягкое рентгеновское излучение (около 1 кэ. В), что необходимо для РЛ, крайне низок, около 10 -4. В современных лазерных источниках мягкого рентгеновского излучения достигнут результат около 10%, т. е. примерно в тысячу раз больше, чем в рентгеновских трубках. Обе проблемы были успешно решены за последние годы. Например, лазерный источник Brite Light американской компании JMAR работает стабильно с частотой 1 к. Гц и выдает энергию в мягком рентгеновском диапазоне до 250 Вт. Этот источник эффективно используется сейчас для массового выпуска чипов с разрешением ~40 нм. Подобные системы используются во многих промышленных и исследовательских компаниях.

Эксперимент JMAR В конце 90 -х годов американская компания JMAR провела успешные эксперименты с точечным источником + коллиматор. В качестве источника использовался лазерный источник с выходной мощностью около 30 Вт. В качестве коллиматора использовалась капиллярная линза Кумахова с выходным диаметром 25 х25 мм. В эксперименте не ставилась цель тогда получить рекордное разрешение. Тем не менее при расстоянии между маской и резистом, равном 40 мкм было получено разрешение ~ 80 нм. В дальнейшем эти результаты были существенно улучшены и к настоящему времени компания JMAR сделала коммерческую литографическую систему. Основными компонентами этой системы являются: степпер (система совмещения – разработка Canon); лазерный источник (разработка JMAR); капиллярная линза.

Поликапиллярная оптика Кумахова • Поликапиллярная линза 80 -е гг. • • • Современная поликапиллярная линза Фокусировка рентгеновского излучения Распространение рентгеновского луча в стеклянном капилляре

Задачи проекта • • • Экспериментальное подтверждение возможности получения разрешения (20÷ 30) нм на системе точечный источник + рентгеновский коллиматор. Экспериментальное подтверждение высокой интенсивности системы точечный источник + коллиматор, не уступающей источникам СИ. Разработка оптимальной системы маска-резист с разрешением (20÷ 30) нм и достаточной чувствительностью. Оптимизация параметров рентгеновского коллиматора – рентгеновской капиллярной линзы для РЛ. Создание экспериментального комплекса в составе: точечный источник МРИ, коллиматор, маска, резист + системы позиционирования маски и резиста с секундной угловой точностью.