Контрольные вопросы к лекции 7 1 Запишите

Контрольные вопросы к лекции 7

1. Запишите закон сохранения импульса при дифракции электронов на кристаллической решетке и представьте его в виде построения Эвальда

2. Какова глубина диагностики материала методом ДМЭ (LEED) и за счет чего она обеспечивается?

3. Какова глубина диагностики материала методом ДБЭ (RHEED) и за счет чего она обеспечивается?

4. Запишите уравнение колебаний молекулы в световом поле и решение этого уравнения

5. Интенсивность какого процесса выше: стоксова или антистоксова? Почему?

12. Нарисуйте графики зависимости действительной и мнимой частей показателя преломления от частоты

6. В какую область длин волн попадает регистрируемое излучение при рамановском рассеянии? Почему?

7. Какими методами можно получить информацию о колебательных состояниях молекулы? Ответ проиллюстрировать схемами переходов.

8. Какими методами можно получить информацию о внешних электронных состояниях молекулы или атома? Ответ проиллюстрировать схемами переходов.

9. Какими методами можно получить информацию о внутренних электронных состояниях молекулы или атома? Ответ проиллюстрировать схемами переходов.

10. Вам необходимо определить период парной мультислойной структуры, состоящей из двух гетероэпитаксиальных слоев разных материалов, а также число слоев. Опишите приборы, которые необходимо использовать, ваши действия и графики зависимостей, которые вы должны получить

11. Вы осуществили раскалывание монокристалла в вакууме, затем ввели в вакуумную камеру небольшое количество газа. Вам нужно определить реконструкцию поверхности. Опишите приборы, которые необходимо использовать, ваши действия и графики зависимостей, которые вы должны получить

13. У вас имеется набор полупроводниковых частиц сферической формы размером от 0. 2 до 2 нм (частицы каждого размера находятся в отдельной пробирке). Вам нужно определить их размеры. Опишите приборы, которые необходимо использовать, ваши действия и графики зависимостей, которые вы должны получить