Скачать презентацию КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РФСА В основе количественного РФСА лежит Скачать презентацию КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РФСА В основе количественного РФСА лежит

Количественный РФСА.ppt

  • Количество слайдов: 27

КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РФСА КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ РФСА

В основе количественного РФСА лежит зависимость интенсивности аналитической линии от концентрации определяемого элемента в В основе количественного РФСА лежит зависимость интенсивности аналитической линии от концентрации определяемого элемента в пробе. Для образцов не слишком сложного состава эта зависимость имеет линейный характер. I – интенсивность линии. а – коэффициент, зависит от состава образца и условий получения спектра; ( а= tgα) С – концентрация аналита в образце. b – отрезок, отсекаемый прямой на оси ординат. (b- интенсивности фона). I b C

Интенсивность спектральной линии I - интенсивность спектральной линии; N - число рентгеновских фотонов одной Интенсивность спектральной линии I - интенсивность спектральной линии; N - число рентгеновских фотонов одной энергии (одной длины волны), которые в одну секунду испускаются образцом в направлении детектора; h - энергия каждого фотона.

 • Флуоресцентный спектр элемента содержит те же характеристические линии, что и первичный спектр • Флуоресцентный спектр элемента содержит те же характеристические линии, что и первичный спектр этого элемента. Линии в спектре располагаются на фоне сплошного спектра рассеяния. • Интенсивность линий флуоресцентного спектра зависит от множества факторов, которые следует учитывать при разработке методики анализа и его выполнении.

Взаимодействие рентгеновских лучей с веществом. Взаимодействие рентгеновских лучей с веществом.

При взаимодействии лучей, вышедших из рентгеновской трубки, с веществом анализируемого образца происходит поглощение и При взаимодействии лучей, вышедших из рентгеновской трубки, с веществом анализируемого образца происходит поглощение и рассеяние рентгеновских фотонов. Линии в рентгенофлуоресцентном спектре образуются при поглощении РФ фотонов и ионизации атомов. Фон в РФ-спектре создается рассеянными фотонами. Рентгеновская трубка Поглощение рентгеновских фотонов образцом. Рассеяние рентгеновских фотонов.

Однако, не всегда ионизация атома сопровождается испусканием фотонов. Например, из атома выбит К-электрон, на Однако, не всегда ионизация атома сопровождается испусканием фотонов. Например, из атома выбит К-электрон, на его место переходит электрон из L слоя (2 Р 1/2). Освободившаяся энергия идет на отрыв электрона из L слоя (2 Р 3/2). Этот процесс называется Оже эффектом. К 1 S 1/2 2 S 1/2 L 2 P 1/2 2 P 3/2 ОЖЕ -электрон В Оже процессе задействованы три энергетических уровня атома, например KLL переход: К (1 S 1/2 )→ L(2 Р 1/2) → L ( 2 Р 3/2 ). • К(1 S 1/2) - энергетический уровень атома, в котором выбит электрон из К - слоя. • L(2 Р 1/2) – энергетический уровень, атома при переходе электрона из L в К-слой. • L(2 P 3/2) - энергетический уровень электронного подслоя, из которого вылетел Оже- электрон.

В результате поглощения, энергия первичных фотонов преобразуется в кинетическую энергию фотоэлектронов, Оже электронов и В результате поглощения, энергия первичных фотонов преобразуется в кинетическую энергию фотоэлектронов, Оже электронов и энергию вторичного рентгеновского излучения т. е. - линий в РФспектре.

Рассеяние рентгеновских лучей в анализируемом веществе. Образование фона. Рассеяние рентгеновских лучей в анализируемом веществе. Образование фона.

Рассеяние - изменение направления фотона в результате столкновения с электронами аналита. Два вида рассеяния. Рассеяние - изменение направления фотона в результате столкновения с электронами аналита. Два вида рассеяния. 1. Некогерентное рассеяние. Энергия фотона (Еф) достаточна для выбивания внешнего электрона атома. Еф > Еи. Происходит кратковременное поглощение этого фотона. Часть его энергии расходуется на отрыв внешнего электрона и сообщения ему кинетической энергии. Другая часть энергии излучается в виде рассеянного фотона. Энергия рассеянного фотона меньше энергии поглощенного. 2. Когерентное рассеяние. Фотон сталкивается с внутренним электроном атома. Энергия фотона недостаточна для выбивания этого электрона. Энергия фотона в результате рассеяния не изменяется. Меняется лишь направление его движения. Рассеянные фотоны создают сплошной спектр – фон. В атомах пробы присутствуют одновременно и сильно и слабо связанные электроны. Поэтому фон содержит длины волн и когерентно и некогерентно рассеянного излучения.

ИНТЕНСИВНОСТЬ СПЕКТРАЛЬНЫХ ЛИНИЙ В РФ- СПЕКТРЕ. ИНТЕНСИВНОСТЬ СПЕКТРАЛЬНЫХ ЛИНИЙ В РФ- СПЕКТРЕ.

Интенсивность спектральной линии зависит не только от концентрации элемента в образце. Она зависит от Интенсивность спектральной линии зависит не только от концентрации элемента в образце. Она зависит от множества факторов, связанных с различными условиями получения спектра и разным общим составом анализируемых образцов. К основным условиям получения спектра относятся: - РФ- спектрометр и его характеристики - Параметры рентгеновской трубки в данном РФспектрометре, - Агрегатное состояние образцов, - Способ приготовления пробы для анализа - Общий химический состав анализируемого образца.

Зависимость интенсивности спектральных линий от параметров рентгеновской трубки. Зависимость интенсивности спектральных линий от параметров рентгеновской трубки.

1 – Интенсивность первичного рентгеновского излучения, идущего от рентгеновской трубки к поверхности образца. Различают 1 – Интенсивность первичного рентгеновского излучения, идущего от рентгеновской трубки к поверхности образца. Различают интегральную и спектральную интенсивность. Интенсивность не разложенного по длинам волн излучения, называется интегральной интенсивностью. Она состоит из непрерывного излучения и характеристического спектра материала анода трубки. В таком виде излучение выходит из Проба трубки и попадает на пробу. Спектральная интенсивность излучения определенной длины волны.

Интегральная и спектральная интенсивность первичного излучения растет при увеличении напряжения на рентгеновской трубке. Об Интегральная и спектральная интенсивность первичного излучения растет при увеличении напряжения на рентгеновской трубке. Об С увеличением напряжения растет кинетическая энергия электронов, и они глубже проникают в анод. Увеличивается количество ионизованных атомов в сек, увеличивается и интенсивность первичного излучения. раз е Ан од рен ц ē н тге овс кой тру бки . Больше фотонов попадает на образец. Увеличивается интенсивность РФ (вторичного ) спектра.

Зависимость интенсивности флуоресценции от напряжения на рентгеновской трубке. • • U - напряжение на Зависимость интенсивности флуоресценции от напряжения на рентгеновской трубке. • • U - напряжение на рентгеновской трубке. Urф - потенциал возбуждения серии линий определяемого элемента, n = 1 - 3 в зависимости от (U - U rф) и состава пробы.

Интегральная и спектральная интенсивность первичного излучения увеличивается при увеличении силы тока, питающего катод рентгеновской Интегральная и спектральная интенсивность первичного излучения увеличивается при увеличении силы тока, питающего катод рентгеновской трубки. Проба Количество рентгеновских фотонов , бомбардирующих пробу, зависит от силы тока на катоде рентгеновской трубки. С увеличением силы тока, катод сильнее разогревается. Увеличивается количество электронов, ионизирующих атомы анода. Растет интенсивность первичного спектра. Увеличивается интенсивность РФ-спектра образца.

2. Зависимость интенсивности линий в спектре флуоресценции от химического состава образца. 2. Зависимость интенсивности линий в спектре флуоресценции от химического состава образца.

Эффект избирательного поглощения аналитической линии элемента вызывают элементы, присутствующие в пробе, край поглощения которых Эффект избирательного поглощения аналитической линии элемента вызывают элементы, присутствующие в пробе, край поглощения которых несколько большей длины волны, чем характеристическая линия элемента. • Например: при определении ниобия, по К линии с длиной волны 746 мÅ эффект избирательного поглощения будут вызывать стронций (край поглощения - 768 мÅ), рубидий (813 мÅ ). Излучение, испускаемое атомами ниобия может поглощаться атомами стронция и рубидия. • Интенсивность линии ниобия при этом будет меньше, чем она была бы при отсутствии стронция и рубидия в пробе.

Конкуренция атомов. Уменьшение интенсивности линии аналита (например, ниобия) может быть связана и с другими Конкуренция атомов. Уменьшение интенсивности линии аналита (например, ниобия) может быть связана и с другими процессами. Например, если в пробе присутствует Sr, край поглощения которого незначительно отличается от края поглощения Nb, то оба элемента одновременно возбуждаются. Атомы Nb и атомы Sr конкурируют за захват РФ фотонов, идущих от рентгеновской трубки. Чем больше концентрация Sr, тем меньшая доля первичного излучения достанется атомам ниобия. И тем ниже будет интенсивность линии Nb.

Эффект избирательного возбуждения аналитической линии. Атомы аналита могут быть ионизованы не только первичным излучением, Эффект избирательного возбуждения аналитической линии. Атомы аналита могут быть ионизованы не только первичным излучением, но и излучением другого элемента, присутствующего в пробе, если длина волны линии этого элемента меньше края поглощения аналита. Пример. При определении 24 Cr, 26 Fe, 28 Ni по К - линиям, атомы 28 Ni ионизируются только первичным излучением т. к. край поглощения никеля меньше длины волны К линии 26 Fe. Атомы железа возбуждаются и первичным излучением и излучением К-линий 28 Ni . Атомы хрома возбуждаются за счет первичного излучения и за счет флуоресценции 28 Ni и 26 Fe. . Эффект избирательного возбуждения приводит к увеличению интенсивности аналитических линий.

Эффекты избирательного возбуждения и избирательного поглощения сопутствует другу. Они направлены в противоположные стороны и Эффекты избирательного возбуждения и избирательного поглощения сопутствует другу. Они направлены в противоположные стороны и в некоторых случаях взаимно компенсируют друга. В большинстве же реальных случаев, влияние химического состава на интенсивность линий существенно искажает зависимость интенсивность линии от концентрации элемента в пробе. Для многокомпонентных образцов, состав которых меняется от образца к образцу, уравнение зависимости интенсивности линии от концентрации усложняется: ai, bi, di – коэффициенты, учитывающие взаимное влияние элементов, на интенсивность линий (Ii) определяемого (I-того) элемента. (Обратите внимание на то, что концентрация элемента в уравнении является функцией, а интенсивность линии – аргументом. Так принято при составлении компьютерных программ).

Как видно из всего сказанного, на интенсивность линий в спектре флуоресценции влияет множество факторов. Как видно из всего сказанного, на интенсивность линий в спектре флуоресценции влияет множество факторов. Коэффициенты уравнения, зависимости аналитического сигнала от концентрации неизвестны. Неизвестен и вид градуировочного графика (ГГ). Установить коэффициенты ГГ можно только с помощью градуировочных образцов (ГО). Химический состав ГО должен быть близок к составу образцов анализируемых.

Этапы количественного РФСА и источники погрешностей. 1. Приготовление градуировочных образцов (ГО) 2. Отбор и Этапы количественного РФСА и источники погрешностей. 1. Приготовление градуировочных образцов (ГО) 2. Отбор и подготовка проб. 3. Введение проб в прибор. 4. Измерение аналитических сигналов. 5. Построение градуировочных графиков и расчет коэффициентов уравнения зависимости I от С 6. Нахождение концентраций определяемых элементов.

Погрешности количественного РФ-анализа. На каждом этапе проведения анализа свои источники случайных и систематических погрешностей. Погрешности количественного РФ-анализа. На каждом этапе проведения анализа свои источники случайных и систематических погрешностей. Причинами случайных погрешностей, как и в любом другом методе анализа, является недостаточная стабильность отдельных узлов аппаратуры и недостаточная однородность образца. Для уменьшения величины случайной погрешности часто прибегают к измерению относительной интенсивности. (Метод внутреннего стандарта). Основной причиной систематических погрешностей является недостаточное соответствие градуировочных образцов анализируемым.