+ =Кадры Инновационной России Заведующий кафедрой физики твердого тела Королевского Института Технологий (KTH, Stockholm, SWEDEN) Профессор Гришин А. М. Проект: «Оптимизация свойств оксидных пленок для применения в 3 D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК 02. 740. 11. 5179 «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 -2013 годы» «Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области химии и новых материалов» Результаты совместных с Петр. ГУ исследований v Синтезированы МОМ-структуры на основе одинарных, бинарных и многокомпонентных оксидов, реализующих униполярное и биполярное переключения с энергонезависимой памятью; v Проведены экспериментальные и теоретические исследования эффектов резистивного переключения; v Определен механизм биполярного переключения в структурах с двойным оксидным слоем Si-Si. O 2 -V 2 O 5 Аu и La 0. 5 Sr 0. 5 Co. O 3 -Ce. O 2 -Ag; v Отработаны низкотемпературные технологические приемы получения оксидных структур с параметрами переключения оптимальными для использования в ячейках 3 D памяти; v Получен опыт работы на FIB установке и зондовом наноманипуляторе при изготовлении и тестировании ячеек памяти на основе La 0. 5 Sr 0. 5 Co. O 3 -Ce. O 2 -Ag структуры. ВАХ униполярного переключения тонкопленочной сэндвич структуры Si/Nb/Nb 2 O 5(90 нм)/Au Исследуемые оксидные материалы v. Униполярное переключение: Ni. O, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, Zr. O 2; v. Биполярное переключение: V 2 O 5, Ce. O 2; v. Двухслойные структуры: VO 2 -V 2 O 5, Nb. O 2 -Nb 2 O 5, Ta. Ox-Ta 2 O 5; v. Мультиферроидные пленочные структуры: оксид лантанида легированный (Fe, Mn, Ni) c подслоем ферромагнетика. Примеры микронных и субмикронных контактных площадок полученных FIB литографией Матрица элементов памяти Re. RAM на гибкой подложке Kapton Методы синтеза, изготовления и тестирования структур Термическое и лазерное распыление, магнетронное напыление, анодное окисление металлов, зольгель метод, катодно-анодная поляризация. Электронно-лучевая, оптическая и FIB литография. Уникальная методика получения и тестирования структур микронного и субмикронного масштабов. Проект: «Разработка гетероструктур на основе оксидных пленок для применения в 3 D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК 14. 740. 11. 0895 «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009 -2013» «Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области физики и астрономии» О т д е л ь н ы м н а п р а в л е н и е м и с с л е д о в а н ий является разработка оксидных структур с выпрямлением (гетероструктуры, диоды Шоттки) д л я и с п о л ь з о в а н и я в с о с т а в е л е г к омасштабируемой многослойной (3 D) cross-point 1 D-1 R Resistive Random Access Memory (Re. RAM) c выбором оптимальных вариантов и рекомендациями их использования. . Исполнители: Стефанович Г. Б. , Величко А. А. , Пергамент А. Л. , Борисков П. П. , Путролайнен В. В. , Черемисин А. Б. , Березина О. Я. , Кулдин Н. А. , Кундозерова Т. В. , Параничев Д. К. , Болдин П. А. , Куроптев В. А.