Изготовление биполярной ИС с изоляцией транзисторов

Изготовление биполярной ИС с изоляцией транзисторов p-n-переходом

Создание скрытого коллекторного слоя • Обработка поверхности пластины кремния p -типа • Окисление • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка мышьяка (диффузия из источника неограниченной мощности) • Удаление оксида • Выращивание эпитаксиального слоя кремния n -типа • Окисление с разгонкой примеси 3 n+ p

Создание изолирующих областей • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ n+ p

Создание глубокого коллектора • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ n+ p+ n+ p+ n n+ p

Создание пассивной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ n+ p+ n n+ p

Создание активной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p p+ n+ p+ n+ p+ n+ p

Создание эмиттера • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси n++ p p+ n++ p+ n+ p+ n n+ p

Создание металлизации • Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям • Напыление алюминия с 1% кремния • Фотолитография – формирование рисунка в слое металла • Нанесение оксида кремния плазмохимическим методом • Термообработка – «вжигание» контактов • Фотолитография – вскрытие окон в диэлектрике над контактными площадками n++ p p+ n++ p+ n+ p+ n+ p

Изготовление биполярной ИС с изопланарной изоляцией транзисторов

p+ p n++ Si. O 2 n+ n p+ n+ p+ p Локальное окисление кремния

Создание скрытого коллекторного слоя • Обработка поверхности пластины кремния p -типа • Окисление • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка мышьяка (диффузия из источника неограниченной мощности) • Удаление оксида • Выращивание эпитаксиального слоя кремния n -типа • Окисление n n+ p

Создание изолирующих областей • Нанесение нитрида кремния химическим осаждением из газовой фазы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде и нитриде • Травление канавок на половину глубины изолирующих областей • Фотолитография – средняя канавка закрывается фоторезистом • Ионная имплантация бора в канавки • Удаление фоторезиста • Окисление • Удаление нитрида кремния Si. O 2 p+ n p+ n+ p+ n+ p

Создание глубокого коллектора • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси n+ Si. O 2 n+ Si. O 2 n p+ n+ p

Создание пассивной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ Si. O 2 n+ Si. O 2 n+ n p+ n+ p

Создание активной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ p Si. O 2 n+ n p+ n+ p+ p

Создание эмиттера • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ n++ p Si. O 2 n+ n p+ n+ p+ p

Создание металлизации • Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям • Напыление алюминия с 1% кремния • Фотолитография – формирование рисунка в слое металла • Нанесение оксида кремния плазмохимическим методом • Термообработка – «вжигание» контактов • Фотолитография – вскрытие окон в диэлектрике над контактными площадками p+ n++ p Si. O 2 n+ n p+ n+ p+ p

Изготовление биполярной ИС с щелевой изоляцией транзисторов

n++ p p+ n++ n+ n Si* n+ p+ p+

Создание скрытого коллекторного слоя • Обработка поверхности пластины кремния p -типа • Загонка мышьяка (диффузия из источника неограниченной мощности) • Выращивание эпитаксиального слоя кремния n -типа • Окисление n n+ p

Создание изолирующих областей • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Ионное травление канавок до глубины средней канавки • Фотолитография – средняя канавка закрывается фоторезистом • Ионное травление изолирующих канавок • Ионная имплантация бора в канавки • Удаление фоторезиста • Окисление • Осаждение поликремния в канавки • Окисление n Si* n+ p+

Создание глубокого коллектора • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси n n n+ Si* Si* n+ n+ p p p+ p+

Создание пассивной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ n n n+ Si* n+ Si* Si* n+ p p p+

Создание активной базы • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка бора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси p+ p n n p Si* n+ Si* n+ Si* Si* n+ p p p+ p+

Создание эмиттера • Фотолитография – формирование рисунка в оксиде • Загонка фосфора (диффузия из источника неограниченной мощности) • Окисление с разгонкой примеси n++ p+ n++ n n p Si* n+ Si* n+ n+ n+ p p p+ p+

Создание металлизации • Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям • Напыление алюминия с 1% кремния • Фотолитография – формирование рисунка в слое металла • Нанесение оксида кремния плазмохимическим методом • Термообработка – «вжигание» контактов • Фотолитография – вскрытие окон в диэлектрике над контактными площадками n++ p+ n++ n p Si* n+ p+ p+