Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике Сообщение подготовили: Лейферов Борис Михайлович, кандидат физико-математических наук, генеральный директор ООО «А-УНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ» Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта
Дистанционное зондирование Земли Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли 2
Окна прозрачности в атмосфере Явление обусловлено, в основном, воздействием молекулярного поглощения атмосферы. Поглощение ИК-излучения на многих участках спектра практически полное. Поэтому говорят о прохождении ИКизлучения в атмосфере только в некоторых окнах прозрачности. «Окнам «соответствуют интервалы длин волн ИК-излучения: =0, 95 – 1, 05 мкм; =1, 15 – 1, 35 мкм; =1, 5 – 1, 8 мкм; =2, 1 – 2, 4 мкм; =3, 3 – 4, 2 мкм; =4, 5 – 5, 1 мкм; =8 – 13 мкм. Рисунок 2 – Спектр пропускания земной атмосферы 3
![Строение кристаллической решетки Si Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния (Si) [1]](https://present5.com/presentation/1/71973300_450212043.pdf-img/71973300_450212043.pdf-4.jpg "Строение кристаллической решетки Si Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния (Si) [1]")
Строение кристаллической решетки Si Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния (Si) [1] Рисунок 4 – Схема включения донорной примеси 4
Оптические переходы в полупроводниках Рисунок 5 – Оптические переходы в полупроводниках 5
Ширина защищенной зоны полупроводниковых материалов Полупроводник Eg (температура), ЭВ Ga. P 2, 259 (300 K) Ga. As 1, 435 (300 K); 1, 521 (10 K) In. As Si Ge 0, 359 (300 K); 0, 42 (4, 2 K) 1, 12 (300 K); 1, 166 ( 4, 2 K) 0, 744 (4, 2 K) 6
Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов Рисунок 6 – Структура энергетических зон Ge, Si, Ga. As 7
Зонная структура раствора Cd. Hg. Te Рисунок 7 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от состава Hg/Cd. Te при 300 K [2] 8
Фотоприемники на основе ПЗС Рисунок 9 – Матричный ПЗС со строчным переносом (схема подключения) Рисунок 8 – Матричный ПЗС со строчным переносом 9
Список источников 1 Левинштейн М. Е. , Симин Г. С. Знакомство с полупроводниками / Под ред. Л. Г. Асламазова. – М. : Наука, 1984. 2 Мосс Т. , Баррел Г. , Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника М. : Мир, 1976 10
Спасибо за внимание! 11
Скачать презентацию Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике Сообщение подготовили
Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике.pptx