Скачать презентацию Интегральные микросхемы Весна 2016 Лекция 9 Интегральные микросхемы Скачать презентацию Интегральные микросхемы Весна 2016 Лекция 9 Интегральные микросхемы

Келек - лк 9.ppt

  • Количество слайдов: 64

Интегральные микросхемы Весна 2016 Лекция 9 Интегральные микросхемы ( часть 1) ХНУРЭ Факультет КИУ Интегральные микросхемы Весна 2016 Лекция 9 Интегральные микросхемы ( часть 1) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 1

Интегральные микросхемы Весна 2016 Интегральная микросхема – микроэлектронное изделие, выполняющее определённые функции преобразования, хранения, Интегральные микросхемы Весна 2016 Интегральная микросхема – микроэлектронное изделие, выполняющее определённые функции преобразования, хранения, обработки информации и имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 2

Интегральные микросхемы Весна 2016 1952 — Джэффри Даммер, идея интегральной схемы ( «брусок без Интегральные микросхемы Весна 2016 1952 — Джэффри Даммер, идея интегральной схемы ( «брусок без проводов» ) 1958 — Джэк Килби, первая интегральная схема (пять элементов, генератор) 2000 — Джэк Килби, Нобелевская премия за создание интегральной схемы ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 3

Интегральные микросхемы Весна 2016 Серия ИМС – набор типов ИМС, выполняющих различные функции и Интегральные микросхемы Весна 2016 Серия ИМС – набор типов ИМС, выполняющих различные функции и имеющих единое конструктивнотехнологическое исполнение ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 4

Интегральные микросхемы Весна 2016 Интегральные микросхемы Классификация По технологии По функциональному назначению Цифровые изготовления Интегральные микросхемы Весна 2016 Интегральные микросхемы Классификация По технологии По функциональному назначению Цифровые изготовления По конструктивному исполнению Аналоговые ТТЛ КМОП Комбинированные ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 Комбинированные 5

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Входное напряжение логической (минимальное) - Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Входное напряжение логической (минимальное) - Входное единицы U 1 ВХ (VIH); напряжение (максимальное) логического нуля U 0 ВХ (VIL); - Выходное напряжение логической единицы (минимальное) - Выходное U 1 ВЫХ(VOH); напряжение (максимальное) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 логического нуля U 0 ВЫХ(VOL); 6

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Логический перепад UЛ =U 1 Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Логический перепад UЛ =U 1 - U 0 - Пороговое напряжение элемента Uпор (VIK); -Мощность потребления в состоянии логического “ 0” Р 0 П -Мощность потребления в состоянии логической “ 1” Р 1 П -Средняя мощность потребления РП. СР=(Р 0 П + Р 1 П)/2 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 7

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Поля допусков входных и выходных сигналов ИМС ТТЛ-технологии ХНУРЭ Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Поля допусков входных и выходных сигналов ИМС ТТЛ-технологии ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 8

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Поля допусков входных и выходных сигналов ИМС КМОП-технологии ХНУРЭ Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Поля допусков входных и выходных сигналов ИМС КМОП-технологии ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 9

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Напряжение источника питания (указывается номинал, Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Напряжение источника питания (указывается номинал, отклонение от номинала, величина пульсации) Uпит (VCC) (VDD); - Выходной ток логической “ 1” I 1 ВЫХ (IOH); - Выходной ток логического “ 0” I 0 ВЫХ(IOL); - Входной ток логической “ 1” I 1 ВХ(IIH); - Входной ток логического “ 0” I 0 ВХ (IIL); - Ток потребления IПОТ (ICC); ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 10

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС -Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U 0 Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС -Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U 0 -- Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U 1 -- Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U 0 -- Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U 1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 11

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Диапазон рабочих температур tmin, tmax, Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статические параметры ЦИС - Диапазон рабочих температур tmin, tmax, 0 C; - Коэффициент разветвления по выходу Краз. - Коэффициент объединения по входу Коб. Краз=3 ЦИС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 ЦИС 12

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Передаточная характеристика Uвых=f(Uвх) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 13

Цифровые интегральные схемы ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 Весна 2016 Цифровые интегральные схемы ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 Весна 2016 14

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статическая помехоустойчивость По низкому уровню По высокому уровню ХНУРЭ Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Статическая помехоустойчивость По низкому уровню По высокому уровню ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 15

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Входная характеристика Iвх=f(Uвх) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Входная характеристика Iвх=f(Uвх) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 16

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Выходная характеристика Iвых=f(Uвых) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Выходная характеристика Iвых=f(Uвых) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 17

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические характеристики ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические характеристики ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 18

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры - время перехода из состояния логической « Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры - время перехода из состояния логической « 1» в состояние логического « 0» - время перехода из состояния логического « 0» в состояние логической « 1» - время задержки включения - время задержки выключения ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 19

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры - время задержки распространения сигнала при включении Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры - время задержки распространения сигнала при включении - время задержки распространения сигнала при выключении - среднее время задержки распространения сигнала - рабочая частота переключения (максимальная рабочая частота) fп ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 20

Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры Предельно допустимая емкость нагрузки СН, Ф Предельно Цифровые интегральные схемы Весна 2016 Динамические параметры Предельно допустимая емкость нагрузки СН, Ф Предельно допустимая индуктивность нагрузки LН, Гн ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 21

Интегральные микросхемы Весна 2016 Степень интеграции – показатель сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в Интегральные микросхемы Весна 2016 Степень интеграции – показатель сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов K=lg. N K 2 – малая степень интеграции 25 сверхбольшая (СБИС) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 22

Интегральные микросхемы Весна 2016 Элемент – часть ИС, в которой реализуется функция какого-либо радиоэлемента Интегральные микросхемы Весна 2016 Элемент – часть ИС, в которой реализуется функция какого-либо радиоэлемента (транзистора, диода, резистора, конденсатора и т. д. ) и которую нельзя отделить от кристалла и рассматривать как самостоятельное изделие с точки зрения измерения параметров, упаковки и эксплуатации. Компонент – часть ИС, с помощью которой можно реализовать функцию какого-либо радиоэлемента. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 23

Интегральные микросхемы Весна 2016 Подложка ИС – заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов Интегральные микросхемы Весна 2016 Подложка ИС – заготовка, предназначенная для изготовления на ней элементов гибридных и плёночных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, контактных площадок. Плата ИС – часть подложки (или вся подложка), на поверхности которой выполнены плёночные элементы, контактные площадки и линии соединений элементов и компонентов. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 24

Интегральные микросхемы Весна 2016 Полупроводниковая пластина – заготовка, используемая для создания ИС (иногда пластина Интегральные микросхемы Весна 2016 Полупроводниковая пластина – заготовка, используемая для создания ИС (иногда пластина с выполненными на ней элементами). Кристалл ИС – часть пластины, полученная после её резки, когда на одной пластине выполнено несколько функциональных устройств. Вывод ИМС – проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла и механически с его поверхностью ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 25

Интегральные микросхемы Весна 2016 Контактные площадки – металлизированные участки на кристалле, предназначенные для присоединения Интегральные микросхемы Весна 2016 Контактные площадки – металлизированные участки на кристалле, предназначенные для присоединения к выводам корпуса ИС. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 26

Интегральные микросхемы Весна 2016 Сформированные микросхемы на кристалле ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Сформированные микросхемы на кристалле ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 27

Интегральные микросхемы Весна 2016 4 -битный ЦП Intel i 4004 (1971) Частота 90 -200 Интегральные микросхемы Весна 2016 4 -битный ЦП Intel i 4004 (1971) Частота 90 -200 к. Гц, 2250 транзисторов Объём адресуемой памяти: 640 байт Напряжение питания: − 15 В (p. MOS) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 28

Интегральные микросхемы Весна 2016 Корпус – часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних Интегральные микросхемы Весна 2016 Корпус – часть конструкции ИС, которая защищает кристалл от внешних воздействий. Типы и размеры корпусов, а также число вводов и их расположение стандартизированы. На корпусе имеется “ключ” или корпус выполняется несимметричной формы, что эквивалентно ключу, который необходим для правильного нахождения выводов микросхемы. ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 29

Интегральные микросхемы Весна 2016 Примеры корпусов микросхем ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 Интегральные микросхемы Весна 2016 Примеры корпусов микросхем ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 30

Интегральные микросхемы Весна 2016 Классификация типов корпусов для обычного монтажа ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра Интегральные микросхемы Весна 2016 Классификация типов корпусов для обычного монтажа ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 31

Интегральные микросхемы Весна 2016 Классификация типов корпусов для поверхностного монтажа ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра Интегральные микросхемы Весна 2016 Классификация типов корпусов для поверхностного монтажа ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 32

Интегральные микросхемы Весна 2016 DIP (Dual In-line Package) Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса вдоль Интегральные микросхемы Весна 2016 DIP (Dual In-line Package) Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса вдоль двух противоположных сторон. Корпус может быть изготовлен из ударопрочного пластика (PDIP) или из специальной керамики (CDIP). ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 33

Интегральные микросхемы Весна 2016 SDIP (Shrink DIP) Корпус типа DIP с уменьшенным шагом выводов Интегральные микросхемы Весна 2016 SDIP (Shrink DIP) Корпус типа DIP с уменьшенным шагом выводов ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 34

Интегральные микросхемы Весна 2016 WDIP (DIP with Window) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 WDIP (DIP with Window) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 35

Интегральные микросхемы Весна 2016 QFI (Quad Flat I-leaded Package) Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса, Интегральные микросхемы Весна 2016 QFI (Quad Flat I-leaded Package) Выводы расположены перпендикулярно плоскости корпуса, но в отличие от корпусов типа DIP, выводы прижаты к корпусу ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 36

Интегральные микросхемы Весна 2016 SIP (Single In-line Package) Выводы расположены вдоль одной стороны в Интегральные микросхемы Весна 2016 SIP (Single In-line Package) Выводы расположены вдоль одной стороны в направлении, совпадающим с плоскостью корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 37

Интегральные микросхемы Весна 2016 HSIP (SIP with Heat Sink) Корпус типа SIP с металлическим Интегральные микросхемы Весна 2016 HSIP (SIP with Heat Sink) Корпус типа SIP с металлическим теплоотводом ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 38

Интегральные микросхемы Весна 2016 ZIP (Zigzag In-line Package) Направление выводов совпадает с плоскостью корпуса. Интегральные микросхемы Весна 2016 ZIP (Zigzag In-line Package) Направление выводов совпадает с плоскостью корпуса. Выводы расположены с одной стороны по линии "зиг-заг" ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 39

Интегральные микросхемы Весна 2016 ИМС в корпусах для поверхностного монтажа (Surface mount type) SOP(Small Интегральные микросхемы Весна 2016 ИМС в корпусах для поверхностного монтажа (Surface mount type) SOP(Small Outline Package) Корпус с двусторонним расположением G-образных выводов ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 40

Интегральные микросхемы Весна 2016 SSOP (Shrink SOP) Корпус типа SOP с уменьшенным шагом выводов Интегральные микросхемы Весна 2016 SSOP (Shrink SOP) Корпус типа SOP с уменьшенным шагом выводов ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 41

Интегральные микросхемы Весна 2016 TSOP(Thin Small Outline Package) От корпуса SOP отличается уменьшенной толщиной Интегральные микросхемы Весна 2016 TSOP(Thin Small Outline Package) От корпуса SOP отличается уменьшенной толщиной корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 42

Интегральные микросхемы Весна 2016 TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package) От корпуса SOP отличается Интегральные микросхемы Весна 2016 TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package) От корпуса SOP отличается уменьшенной толщиной корпуса и уменьшенным шагом выводов ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 43

Интегральные микросхемы Весна 2016 HSOP(SOP with Heat Sink) Корпус SOP с теплоотводом ХНУРЭ Факультет Интегральные микросхемы Весна 2016 HSOP(SOP with Heat Sink) Корпус SOP с теплоотводом ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 44

Интегральные микросхемы Весна 2016 PSOP (Power Small Outline Package) Корпус SOP с теплоотводом в Интегральные микросхемы Весна 2016 PSOP (Power Small Outline Package) Корпус SOP с теплоотводом в виде металлической пластины под корпусом ИМС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 45

Интегральные микросхемы Весна 2016 РQFP (Plastic Quad Flat Packagе) Корпус прямоугольной формы с G-образными Интегральные микросхемы Весна 2016 РQFP (Plastic Quad Flat Packagе) Корпус прямоугольной формы с G-образными выводами, расположенными по четырем сторонам корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 46

Интегральные микросхемы Весна 2016 TQFP(Thin Quad Flat Package) Корпус РQFP с уменьшенной толщиной корпуса Интегральные микросхемы Весна 2016 TQFP(Thin Quad Flat Package) Корпус РQFP с уменьшенной толщиной корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 47

Интегральные микросхемы Весна 2016 Корпуса J-lead package Корпуса этой группы имеют загнутые под плоскость Интегральные микросхемы Весна 2016 Корпуса J-lead package Корпуса этой группы имеют загнутые под плоскость корпуса выводы (отсюда символ J в названии) SOJ (Small Outline J-leaded Package) Корпуса с двусторонним расположением выводов ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 48

Интегральные микросхемы Весна 2016 QFJ (Quad Flat J-leaded Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), Интегральные микросхемы Весна 2016 QFJ (Quad Flat J-leaded Package), PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), JLCC (J-Leaded Ceramic Chip Carrier) Выводы расположены по периметру корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 49

Интегральные микросхемы Весна 2016 BGA (BALL GRID ARRAY) Выводы микросхем данной группы представляют собой Интегральные микросхемы Весна 2016 BGA (BALL GRID ARRAY) Выводы микросхем данной группы представляют собой матрицу шариков, размещенных непосредственно под корпусом CBGA (Ceramic Ball Grid Array) Квадратный или прямоугольный керамический корпус (рис. 7. 22). Типовое количество выводов – до 500 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 50

Интегральные микросхемы Весна 2016 CPGA (Ceramic Pin Grid Array) Керамический квадратный или прямоугольный корпус Интегральные микросхемы Весна 2016 CPGA (Ceramic Pin Grid Array) Керамический квадратный или прямоугольный корпус с жесткими выводами, расположенными на нижней стороне корпуса, перпендикулярно плоскости корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 51

Интегральные микросхемы Весна 2016 CCGA (Ceramic Column Grid Array) Керамический корпус с выводами, представляющие Интегральные микросхемы Весна 2016 CCGA (Ceramic Column Grid Array) Керамический корпус с выводами, представляющие собой столбики из припоя, расположенные в виде матрицы на нижней стороне корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 52

Интегральные микросхемы Весна 2016 QFN (Quad Flat Non-leaded Package) Металлизированные участки расположены по всем Интегральные микросхемы Весна 2016 QFN (Quad Flat Non-leaded Package) Металлизированные участки расположены по всем четырем сторонам малогабаритного квадратного корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 53

Интегральные микросхемы Весна 2016 PQFN (Power Quad Flat No Leads) Прямоугольный или квадратный корпус Интегральные микросхемы Весна 2016 PQFN (Power Quad Flat No Leads) Прямоугольный или квадратный корпус с теплоотводом на нижней стороне ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 54

Интегральные микросхемы Весна 2016 DFN (Dual Flat No Leads) Металлизированные участки расположены по двум Интегральные микросхемы Весна 2016 DFN (Dual Flat No Leads) Металлизированные участки расположены по двум длинным сторонам корпуса ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 55

Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный резистор п/п ИМС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный резистор п/п ИМС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 56

Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный конденсатор п/п ИМС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Диффузионный конденсатор п/п ИМС ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 57

Интегральные микросхемы Весна 2016 МОП-конденсатор ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 Интегральные микросхемы Весна 2016 МОП-конденсатор ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 58

Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 59

Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Вертикальный транзистор типа n-p-n ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 60

Интегральные микросхемы Весна 2016 Горизонтальный транзистор типа p-n-p ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. Интегральные микросхемы Весна 2016 Горизонтальный транзистор типа p-n-p ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 61

Интегральные микросхемы Весна 2016 Транзистор Шоттки ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 Интегральные микросхемы Весна 2016 Транзистор Шоттки ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 62

Интегральные микросхемы Весна 2016 Полевой транзистор технологии «Кремний на изоляторе» “SOI MOSFET” (Silicium on Интегральные микросхемы Весна 2016 Полевой транзистор технологии «Кремний на изоляторе» “SOI MOSFET” (Silicium on isolator). ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 63

Интегральные микросхемы Весна 2016 Задание для самостоятельной работы 1. Система условных обозначений отечественных ИМС Интегральные микросхемы Весна 2016 Задание для самостоятельной работы 1. Система условных обозначений отечественных ИМС 2. 2. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы) ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70 -21 -354 64