Институт физики полупроводников им А В Ржанова СО

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН один из институтов Новосибирского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Новосибирске. Основан в 1964 году.

Общие сведения Основными направлениями научной деятельности института являются элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физикохимические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики, актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем, актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику.

История Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года). В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН от 1. 07. 03 г. № 224). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединен присоединён в качестве филиала Конструкторскотехнологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН от 29. 11. 05 г. № 274). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова

Структура Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный Отдел физики и техники полупроводниковых структур Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ Научные лаборатории Омский филиал ИФП Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ»

Академик Анатолий Васильевич Ржанов (1920 -2000) - крупнейший ученый в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Анатолий Васильевич прошел очень сложный жизненный путь - воевал, был ранен на Ленинградском фронте. Тяжелое ранение в 1943 году, казалось, навсегда закроет для А. В. Ржанова путь в науку, однако он уже в 1948 году блестяще заканчивает аспирантуру Физического института им. Лебедева и начинает первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора. Заслуги Анатолия Васильевича перед страной отмечены высокими правительственными наградами. Он награжден орденами Трудового Красного Знамени, Октябрьской революции, Ленина, "За заслуги перед Отечеством" IV степени. За мужество и героизм, проявленные на фронте, А. Ржанов награжден также боевыми орденами и медалями.

Член-корреспондент АН СССР (1987), доктор физико-математических наук (1977), профессор (1985). Физик. Специалист в области элементной базы, систем восприятия информации и диагностики полупроводниковых структур. В Сибирском отделении с 1962 г. : зам. директора (1976), одновременно начальник СКТБ специальной электроники и аналитического приборостроения (1980– 1990), с 1990 г. — директор Института физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР — РАН, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН, зам. председателя Сибирского отделения (1991– 1999). Учреждена премия его имени для молодых ученых СО РАН.

дович еони в Александр Л Асее Родился 24. 09. 1946. В 1968 г. закончил Новосибирский государственный университет. В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию "Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках", в 1990 г. защитил докторскую диссертацию "Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов". В 2000 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (специальность "элементная база микроэлектроники"), в 2006 г. избран действительным членом РАН по Отделению физических наук РАН